AI数据中心是SiC行业新增驱动，但短期贡献或低于乐观预期

概览

本报告更新J.P. Morgan对碳化硅行业在AI数据中心和汽车应用中的看法。核心判断是：AI对SiC行业是正面因素，尤其受益于数据中心电源从AC向HVDC架构迁移，以及UPS、SST、服务器PSU等环节对高效率、高功率密度器件的需求提升；但数据中心对整体SiC器件TAM的绝对贡献和占比可能低于市场乐观派预期。相比之下，新能源汽车特别是800V平台迁移仍是SiC需求的主要基础。

核心观点

报告认为，AI相关需求已经造成SiC MOS交期拉长和高规格产品溢价，但2028年数据中心SiC器件TAM贡献即使在较乐观假设下也约为4亿至4.8亿美元，且考虑AC与HVDC混用后可能更低。全球SiC器件TAM在2026年预计约40亿至45亿美元，主要由新能源汽车和800V迁移推动。数据中心贡献率或从当前低个位数提升至两三年后的中高个位数，但可能低于20%至30%的乐观预期。产业链方面，汽车SiC MOS仍面临价格下行，8英寸SiC衬底价格仍有下降空间；需求强劲与价格竞争并存。

分析框架

报告主要基于产业调研、供应链交期与价格跟踪、数据中心电力装机假设、SiC单位价值量测算、EV渗透率和SiC器件TAM预测，对AI和汽车两类应用对SiC行业的增量贡献进行拆解。

方法论与常识提炼

• 行业TAM测算数据中心电力装机乘以SiC单位价值量

  以1MW HVDC数据中心电源建设所需SiC含量价值估算数据中心SiC TAM。

  报告假设1MW HVDC数据中心电力建设对应约5.0k至6.0k美元或略高的SiC价值量，并结合2028年80GW AI数据中心新增装机预测，得到约4亿至4.8亿美元的潜在TAM贡献；若HVDC渗透率低于100%，实际贡献更小。

• 需求结构判断EV与AI双驱动拆分

  区分新能源汽车已形成的基础TAM与AI数据中心新增TAM。

  报告强调SiC器件TAM已经由EV需求显著建立，AI数据中心是重要增量驱动，但贡献占比需要与整体TAM规模对比，不能只依据情绪或订单紧张判断。

• 供应链价格跟踪衬底与MOS价格、交期监测

  通过6英寸、8英寸衬底价格和汽车、AI SiC MOS交期及价格变化判断供需状态。

  报告使用中国供应商对大客户报价、供应商产能利用率、交期从26周到39周或52周的变化，以及不同应用SiC MOS价格差异，评估短期供需紧张和中期价格压力。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• United Nova - A (688469.SS)

  中国SiC MOS领先供应商，受益于汽车和潜在AI服务器需求。

  优势

  SiC MOS芯片和模块收入有望从2025年Rmb1.5bn提升至2026年Rmb3.0bn；已向国际AI服务器客户送样8英寸SiC MOS进行认证；具备量产和及时扩充8英寸SiC产能的能力。

  劣势

  盈利和价格仍可能受汽车SiC MOS降价及中国供应商竞争影响。

  对比

  相较衬底供应商，United Nova更直接受益于SiC MOS需求增长和AI客户认证进展。

  风险

  客户认证不及预期、汽车SiC MOS价格继续下行、竞争加剧、产能爬坡不及预期。

• SICC - A (688234.SS)

  中国6英寸和8英寸SiC衬底领先供应商，受益于SiC采用提升但承压于价格下行。

  优势

  在6英寸和8英寸SiC衬底具备领先地位，8英寸衬底今年可能实现显著同比扩张；中长期或受益于数据中心和先进封装相关应用。

  劣势

  8英寸SiC衬底价格仍持续下行，报告认为市场对衬底价格上行可能存在错误预期。

  对比

  相较SiC MOS器件环节，衬底环节更直接暴露于过剩供给、良率提升后降价和客户压价压力。

  风险

  8英寸衬底价格跌幅超预期、客户要求6英寸与8英寸价差收窄、行业过剩产能限制价格修复。

• Rohm (6963.T)

  SiC器件和模块供应商，受益于xEV逆变器与AI服务器应用增长。

  优势

  FY26计划SiC收入接近JPY55bn，设备和模块收入预计同比增长55%；AI服务器SiC MOS已在FY25放量，FY26计划收入占比提升至10%；8英寸晶圆计划FY26量产。

  劣势

  需要用器件和模块增长抵消外部6英寸晶圆销售业务流失；盈利恢复目标在FY28。

  对比

  相较中国本土供应商，Rohm具备国际客户和技术平台优势，但也面临区域收入结构调整和成本效率改善压力。

  风险

  8英寸量产进度、第五代MOS良率改善、xEV需求区域切换、FY28盈利恢复不确定性。

• 汽车SiC MOS市场

  当前SiC器件TAM的核心基础需求，主要受EV和800V平台迁移驱动。

  优势

  中国SiC EV出货量和渗透率快速提升，价格下降推动SiC进入更低价位车型。

  劣势

  汽车逆变器SiC MOS价格仍快速下行，2027年能否稳定取决于供给侧竞争。

  对比

  相较AI SiC MOS，汽车SiC MOS价格更低、降价压力更明显，但市场规模更大、需求基础更成熟。

  风险

  中国供应商认证增加导致价格继续承压，单车SiC die数量下降削弱部分价值量增长。

• 数据中心SiC市场

  AI电源架构升级带来的新增SiC需求来源。

  优势

  AI客户订单强劲，HVDC架构迁移和高功率密度要求提升SiC在UPS、SST和PSU中的应用价值。

  劣势

  即使在较乐观假设下，2028年数据中心SiC TAM贡献仍可能仅为数亿美元，占整体SiC器件TAM比例低于乐观派预期。

  对比

  相较EV市场，数据中心SiC当前规模较小但增速和情绪弹性更强；相较汽车应用，AI SiC MOS价格更高、交期更长。

  风险

  HVDC渗透率低于预期、AC和HVDC混合架构降低SiC需求、市场预期过度计入20%至30% TAM贡献。

关键数据

• 2028年AI数据中心新增电力装机假设80GWJ.P. Morgan团队预测，用于测算数据中心SiC TAM。
• 1MW HVDC数据中心SiC价值量约$5.0k-$6.0k或略高基于电源模块拓扑和器件价格的产业调研。
• 2028年数据中心SiC器件TAM潜在贡献约$400mn-$480mn，且可能更低该估算假设HVDC渗透率100%；若AC与HVDC混用，实际贡献低于该区间。
• 2026年全球SiC器件TAM判断约$4.0bn-$4.5bn报告认为该规模主要由EV和800V迁移推动。
• Yole Group全球SiC器件TAM预测2025年约$3.7bn，2026年约$4.6bn，同比增长25%增长主要来自EV 800V迁移。
• AI SiC MOS交期52周报告称AI客户订单强劲且合格产能暂时有限。
• 高规格AI SiC MOS价格至少为汽车逆变器SiC MOS的2倍比较相同die size和Rds(On)规格。
• 6英寸SiC衬底价格约Rmb1.5k自2026年初以来基本稳定，低于部分供应商现金成本。
• 8英寸SiC衬底价格展望2026年底Rmb3.0k-Rmb4.0k；2027年Rmb2.5k-Rmb3.5k报告预计良率、效率提升和中国供应商有效供给增加将推动价格继续下降。
• 中国SiC EV出货量估计2025年250万台；2026年400万台或以上不含Tesla，2026年同比增长约60%或以上。
• 中国SiC EV渗透率2025年中十位数；2026年低二十位数价格下降推动SiC进入约Rmb150k价位EV车型。
• United Nova SiC MOS收入目标2025年Rmb1.5bn至2026年Rmb3.0bn公司提及潜在增长，对应收入占比约从18%升至28%。
• Rohm SiC收入计划FY25略高于JPY40bn；FY26略低于JPY55bnJ.P. Morgan估计，FY26设备和模块收入同比增长约55%。

影响与含义

投资含义上，AI数据中心需求可提升SiC行业关注度，并在短期造成高规格SiC MOS交期拉长和价格溢价，但估值和盈利预期应回到TAM贡献占比和供应链竞争现实。United Nova因SiC MOS需求强劲、具备量产和8英寸扩产能力，被视为中国SiC MOS的重要受益者；SICC在6英寸和8英寸SiC衬底具备领先地位，但报告对8英寸衬底价格展望保持谨慎，认为市场可能存在过度乐观预期。Rohm方面，AI服务器SiC MOS已在FY25放量，FY26计划提升收入占比，并推进8英寸量产和第五代MOS平台以改善良率和生产率。

风险

• AI数据中心对SiC器件TAM的实际贡献可能低于市场乐观预期，尤其在HVDC渗透率不足100%时。
• 8英寸SiC衬底价格可能继续下跌，供应商提价难度较大。
• 汽车SiC MOS价格可能因更多中国供应商通过车用认证而持续承压至2027年。
• 行业过剩产能可能限制6英寸衬底价格修复。
• SiC MOS产品迭代降低单模块die数量，可能部分抵消EV出货增长带来的价值量提升。
• 个股层面存在客户认证、产能爬坡、良率改善和盈利恢复不及预期风险。

后续跟踪

• AI数据中心HVDC渗透率和80GW新增电力装机假设是否兑现。
• AI SiC MOS交期是否维持在52周附近，以及高规格产品相对汽车SiC MOS的价格溢价是否持续。
• 8英寸SiC衬底价格在2026年底和2027年的实际下降幅度。
• 中国SiC EV出货量是否达到2026年400万台或以上，以及渗透率是否升至低二十位数。
• United Nova 8英寸SiC MOS在国际AI服务器客户处的认证进展。
• SICC 8英寸衬底扩产、良率提升与价格压力的平衡。
• Rohm FY26 8英寸晶圆量产、第五代MOS导入和FY28盈利恢复路径。