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服务器内存采购上行加速,UBS上调DDR、NAND与HBM需求/价格假设

机构
UBS
日期
2026-05-12
作者
Timothy Arcuri、Sunny Lin
公司
-
代码
-
行业
半导体存储器
评级
-
看多/乐观信心弱报告上调服务器DDR、NAND和HBM需求及价格假设,认为服务器采购上行正持续传导至存储需求和定价,且2027年HBM需求仍高于供给。
作者Timothy Arcuri、Sunny Lin
覆盖区域美国、欧洲、其他
资产类别权益/股票
业务部门服务器DRAM、DDR5、HBM、NAND Flash、服务器SSD、GPU/加速器存储
研究机构部门/子公司UBS Global Research(其他)、UBS Securities Pte. Ltd.(其他)

AI 摘要卡

服务器内存采购上行加速,UBS上调DDR、NAND与HBM需求/价格假设

UBS认为数据中心服务器需求继续超预期,推动2Q26服务器DDR合约价接近环比+60%,HBM需求预测上修,并可能使Samsung在2027年追平SK Hynix的HBM份额。

本报告为行业/月度研究,不对应单一公司评级或目标价;整体基调偏正面,核心受益方向为服务器DRAM、HBM与服务器SSD供应链。
数据中心服务器内存HBMDRAMNAND FlashDDR5AI加速器存储周期
  • 服务器DDR合约价2Q26预计接近环比+60%,高于此前+37%的预测;服务器DDR价格或从1Q的US$1.15/Gb升至约US$1.95/Gb,部分DDR5报价接近US$2.10。
  • HBM终端需求预测上调至2026年32.9bn Gb、同比+88%,2027年58.0bn Gb、同比+76%,主要来自Google TPU采购假设上修。
  • SK Hynix因应客户需求将更多产能配置给DDR5/LPDDR5X,UBS下调其2026/2027年HBM出货预测;Samsung 2027年HBM出货预测上调至23.0bn Gb。
  • UBS预计2027年Samsung与SK Hynix的HBM bit份额各达40%,Micron约20%;2027年HBM需求仍高于供给,Samsung的进一步上行可能成为主要摆动因素。

研报解读

概览

本报告聚焦2026年5月存储半导体月度更新,核心结论是服务器内存采购上行继续加速,并正在同时推升DRAM、HBM和NAND Flash的需求与定价。UBS基于最新产业调研,上调2Q26服务器DDR和NAND合约价格环比涨幅预期,同时上修2026-2027年HBM终端需求预测。报告认为,AI服务器、GPU/加速器与云厂商自研芯片采购仍是存储需求的主要增量来源。

核心观点

第一,服务器DDR价格上行幅度超此前预期,2Q26合约价预计接近环比+60%,并可能在4Q27接近US$2.80/Gb,且与移动DRAM的价差扩大。第二,NAND Flash合约价格同样受服务器SSD驱动,2Q26预计环比+60%,3Q26预计继续环比+10%。第三,HBM需求端继续上修,2026年预计32.9bn Gb、2027年预计58.0bn Gb;Google TPU采购假设是主要上调来源。第四,供应端结构发生变化:SK Hynix因DDR5/LPDDR5X需求强劲而将产能更多配置给传统高端DRAM,Samsung则因资本开支提前而在2027年HBM份额显著追赶。

分析框架

报告采用产业调研、供需模型、价格假设、GPU/加速器自下而上拆分和供应商份额预测相结合的方法。UBS将服务器采购、HBM内容量、GPU/加速器出货、DRAM产能分配、NAND供需和供应商资本开支变化纳入模型,以评估2026-2027年存储行业价格、出货和份额变化。

方法论与常识提炼

  • 供需分析UBS DRAM与NAND供需模型

    通过bit需求、bit供给、库存和应用端需求拆分判断价格周期。

    报告使用DRAM、HBM和NAND的供需摘要、供应商bit出货、晶圆产能和应用端需求增长来解释服务器需求对价格的传导。

  • 自下而上模型UBS服务器采购模型

    从服务器、GPU/加速器和云厂商芯片采购假设推导内存需求。

    报告引用Dell'Oro Group、Gartner、公司数据和UBS估算,构建服务器DRAM和HBM需求预测,并按NVIDIA、Google、AMD、Amazon、Meta等需求来源进行拆分。

  • 份额与情景分析HBM供应商bit份额预测

    比较SK Hynix、Samsung和Micron在HBM出货与产能配置上的变化。

    UBS下调SK Hynix 2026-2027年HBM出货预测,上调Samsung 2027年预测,并据此推导2027年Samsung与SK Hynix各40%、Micron 20%的HBM份额格局。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • SK Hynix
    HBM与高端DRAM主要供应商
    优势
    2024-2026E仍为HBM领先供应商,客户需求强劲;DDR5/LPDDR5X需求上行带来产能配置选择权。
    劣势
    因将更多产能配置给DDR5/LPDDR5X,UBS下调其2026和2027年HBM出货预测。
    对比
    2027年HBM bit份额预计从领先收敛至40%,与Samsung持平,高于Micron的20%。
    风险
    若Samsung产能与良率提升快于预期,SK Hynix份额优势可能被进一步压缩。
  • Samsung Electronics
    HBM、DRAM和NAND综合供应商
    优势
    近期资本开支提前推动2027年HBM出货预测上调,可能在2027年与SK Hynix达到HBM份额平价。
    劣势
    2025年HBM份额相对低,追赶依赖产能、客户认证和执行节奏。
    对比
    2027年HBM bit份额预计达到40%,与SK Hynix持平并高于Micron。
    风险
    若HBM需求或客户认证节奏低于预期,上调后的出货预测存在落空风险。
  • Micron Technology
    HBM与DRAM/NAND供应商
    优势
    HBM份额预计在2025-2027年维持约20%-22%,参与AI存储上行周期。
    劣势
    相对SK Hynix和Samsung,2027年HBM bit份额预计较低。
    对比
    2027年预计约20%,低于Samsung和SK Hynix各40%。
    风险
    HBM技术代际、产能扩张和客户份额竞争可能影响其上行弹性。
  • NVIDIA
    GPU/加速器与HBM需求核心驱动方
    优势
    图表显示其在相关需求拆分中占比最高,Rubin平台将继续驱动HBM4/HBM4E需求。
    劣势
    Rubin Ultra HBM配置假设从1TB下调至768GB,显示单机HBM内容量仍存在不确定性。
    对比
    相较其他云厂商或芯片平台,NVIDIA仍是最大需求来源之一。
    风险
    HBM4E 16-Hi良率、热压键合难度和DRAM die供给约束可能影响配置路线。
  • Google TPU
    HBM需求上修的重要来源
    优势
    UBS将Google TPU采购假设上调,是2026-2027年HBM终端需求预测上修的主要原因。
    劣势
    需求依赖云资本开支和自研芯片部署节奏。
    对比
    在非NVIDIA加速器需求中,Google为重要增量来源。
    风险
    若TPU采购节奏放缓,HBM需求上修幅度可能回落。
  • 服务器DDR/DDR5
    本轮存储价格上行的核心品类之一
    优势
    2Q26合约价预计接近环比+60%,部分DDR5报价接近US$2.10/Gb。
    劣势
    价格快速上行可能压缩下游服务器客户采购弹性。
    对比
    报告认为其与移动DRAM价差正在扩大。
    风险
    若服务器采购或AI资本开支降温,价格上行持续性可能受影响。
  • NAND Flash/服务器SSD
    受服务器需求驱动的存储品类
    优势
    2Q26合约价格预测上调至环比+60%,3Q26预计继续+10%。
    劣势
    NAND周期波动大,供给扩张或库存变化可能影响价格持续性。
    对比
    相较传统消费NAND,服务器SSD是本轮上修的主要驱动。
    风险
    服务器SSD需求不及预期或供应商增产过快可能削弱涨价逻辑。

关键数据

  • 2Q26服务器DDR合约价格涨幅+60% QoQ左右此前预测为+37%;服务器DDR价格估计约US$1.95/Gb,部分DDR5报价接近US$2.10。
  • 3Q26服务器DDR价格预测+10% QoQUBS继续预测3Q26服务器DDR价格环比上涨。
  • 4Q27服务器DDR价格预测接近US$2.80/Gb显示服务器DDR价格上行周期被延长。
  • 2Q26 NAND合约价格涨幅+60% QoQ此前预测为+40%;主要由服务器SSD需求驱动。
  • 2026年HBM终端需求预测32.9bn Gb,同比+88%此前预测为31.5bn Gb。
  • 2027年HBM终端需求预测58.0bn Gb,同比+76%此前预测为53.9bn Gb。
  • SK Hynix HBM出货预测2026年17.7bn Gb;2027年23.1bn Gb分别低于此前18.4bn Gb和24.7bn Gb,原因是更多产能转向DDR5/LPDDR5X。
  • Samsung HBM出货预测2026年9.7bn Gb;2027年23.0bn Gb2027年预测由20.3bn Gb上调至23.0bn Gb。
  • 2027年HBM bit份额预测Samsung 40%,SK Hynix 40%,Micron 20%Samsung或在2027年追平SK Hynix。
  • 2027年HBM ASP假设HBM4/HBM3E每bit同比+30%;HBM4E较前一年HBM4维持+50%UBS将HBM4/HBM3E 2027年ASP假设从持平上调至同比+30%。

影响与含义

报告对存储产业链含义偏正面:服务器DDR、HBM和服务器SSD需求共振,可能支撑存储价格继续上行,并改善存储厂商收入与盈利弹性。供应端方面,产能在HBM与DDR5/LPDDR5X之间的再分配将影响不同供应商的份额和议价能力;Samsung的2027年追赶成为HBM供需平衡的关键变量。需求端方面,Google TPU、NVIDIA Rubin平台及其他AI加速器采购假设仍将显著影响HBM总需求和产品代际结构。

风险

  • 科技行业投资风险较高,快速技术变化、竞争加剧和宏观周期暴露可能影响半导体股票表现。
  • AI服务器和云资本开支若放缓,服务器DDR、HBM和NAND需求预测可能下修。
  • HBM4E 16-Hi相较12-Hi存在更高热压键合良率挑战,产品路线仍在演进且未最终确定。
  • DRAM die层面的供应约束可能影响HBM配置、交付和客户平台导入节奏。
  • Samsung、SK Hynix和Micron的资本开支、良率、客户认证和产能分配变化可能导致份额预测偏离。
  • 存储价格快速上涨可能引发下游采购推迟或需求弹性下降。

后续跟踪

  • 2Q26和3Q26服务器DDR实际合约价涨幅是否达到UBS预测。
  • NAND合约价和服务器SSD需求是否继续支撑3Q26环比上涨。
  • Google TPU采购、Broadcom和MediaTek相关预测是否继续上修。
  • NVIDIA Rubin/Rubin Ultra最终HBM容量配置,尤其是768GB与1TB方案取舍。
  • Samsung 2027年HBM产能、良率、客户认证和资本开支提前效果。
  • SK Hynix在HBM与DDR5/LPDDR5X之间的产能分配。
  • 2027年HBM需求是否继续高于供给,以及库存是否扩大。
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