WFE乐观情景成为基准：2026—2027年预计连续实现接近40%的增长

概览

报告重新评估全球晶圆厂设备市场的扩张路径，将原先针对2026—2027年的乐观情景纳入基准预测。DRAM大规模提前采购、2nm及1.4nm领先制程扩产和先进封装需求共同支撑高增长，但在供给约束快速缓解后，判断周期持续性的关键将转向算力需求能否消化新增产能。

核心观点

Morgan Stanley将2026、2027和2028年WFE市场规模预测分别由1550亿、2010亿和2270亿美元上调至1630亿、2230亿和2540亿美元，对应同比增速由32%、31%和13%调整为39%、37%和14%。自2025年12月1日以来，其2026年预测累计上调26%，2027年预测累计上调54%；这已是年内第五次调整。行业年化运行规模预计在短短四个季度内由2025年第四季度约1250亿美元升至2026年第四季度约2000亿美元，说明此前的2026/27年乐观情景已基本成为基准情景。 报告此前认为，洁净室空间和设备供应链约束会压低近期上行幅度、但延长中期设备周期；最新判断是行业正在突破这两项约束。约束解除使资本开支和产能扩张速度超过此前估计，因此研究重点开始由“WFE还能增长多快”转向“算力与终端需求能否吸收新增供给”。报告按每GW算力所需WFE测算，2025—2027年行业增加超过1000亿美元的设备支出，大致对应约30GW的设备需求，与互联网团队预测的2027/28年29GW/36GW行业算力部署相近。报告并不转为看空，但指出2028年在更高基数上增长将明显放缓至14%；若要维持2027年的37%增速，2028年WFE需超过3000亿美元。 领先制程逻辑是第一项主要上修来源。2026/27年逻辑WFE预测由890亿/1140亿美元上调至950亿/1280亿美元，投资结构从成熟制程明显转向领先制程。报告的总体模型给出领先制程逻辑WFE在2026/27年增长72%/50%、成熟制程下降3%后增长15%；后续详细分析给出的对应数字为65%/50%和-2%/+18%。虽然具体口径略有差异，两组数据均指向相同结论：领先制程增长远快于成熟制程。领先与成熟制程的支出占比预计由2025年的39%/61%反转至2028年的63%/37%；另一处长期比较显示，该比例由2024年的35%/65%转至2028年的63%/37%。 制程节点方面，3nm月产能预计由2025年的18万片升至2026年的26.5万片，但2027—2029年边际增量有限。详细晶圆模型预计2nm月产能在2027/28年为18万/33.5万片，1.4nm为6万/13万片；报告的周期总览另以33.5万/50万片描述2027/28年的2nm产能路径。尽管口径不同，报告均判断2nm将在2027年超过3nm峰值并继续扩张，新增产能覆盖TSMC、Intel、Samsung等厂商。 领先制程逻辑WFE预计由2026年的510亿美元、同比增长65%，升至2027年的760亿美元、增长50%，再升至2028年的900亿美元、增长17%。2026年的3nm与2nm支出增长相近，主要来自TSMC、Samsung和Intel；2027年约500亿美元支出将投向2nm，并开始出现1.4nm设备投入。报告预计TSMC在2027年投入433亿美元、Intel投入205亿美元，使Intel成为仅次于TSMC的重要第二大支出方。2028年则假设TSMC与Intel的支出增速趋缓、Samsung略有回升，且未计入SpaceX可能带来的20亿美元实质贡献。与领先制程不同，成熟制程支出预计在2023—2026年大致持平，2027年才温和回升约18%。 DRAM是最大且持续上修的领域。2026/27年DRAM WFE预测由490亿/620亿美元上调至530亿/700亿美元，两年合计超过1200亿美元，分别同比增长70%和33%。2026年预测较年初水平高47%，主要因为制造商通过提前交付设备、释放既有洁净室和调整产能配置突破约束。Micron收购PSMC铜锣P5厂后被认为加快装机，为2026年增加约40亿至50亿美元设备支出；Micron向1Gamma迁移也推动2026年DRAM棕地WFE增长48%；Samsung P4分配给DRAM的洁净室空间增加，预计2026年末月产能达到8.5万片。 DRAM新建产能预测由2026/27年的每月26.8万/39.5万片上调至28.3万/49.3万片，2027年的上修主要来自Samsung和SK hynix。2026—2028年DRAM年均WFE预计为670亿美元，显著高于2023—2025年的270亿美元；同期年均新建产能预计为每月42.7万片，高于此前三年的17万片。DRAM月度晶圆投入预计由2026年第三季度的216.9万片，在2028年第二季度突破300万片。新增晶圆能力使2026/27年DRAM位元供给增速由29%/33%上调至32%/38%；其中HBM位元供给预计增长55%/57%，传统DRAM增长30%/36%，但从2027年开始，非HBM晶圆增量预计超过HBM增量。 报告对2027年DRAM仍保留上行空间。设备供应商几乎一致认为DRAM WFE增速将超过整体WFE，隐含2027年规模超过750亿美元、增幅约40%，高于Morgan Stanley的700亿美元预测。其700亿美元已能带来38%的位元供给增长，因此报告难以从自身产能模型推导出更高支出，但鉴于供应商判断高度一致，风险仍偏向上行。报告认为49.3万片/月的新建产能预测已经较高，更可能低估的是棕地投资：由于节点迁移提前至2026年，棕地WFE被假设由2026年的250亿美元降至2027年的155亿美元，若降幅小于预期，2027年DRAM WFE可能进一步上修。 NAND调整相对有限。2026/27年NAND WFE预测由156亿/240亿美元微调至137亿/240亿美元，主要是下调2026年棕地投资，新建产能预测大致不变。受此影响，2026/27年NAND位元供给增速由24%/31%调整为24%/26%，预计在20%中段附近趋稳；从2027年起，新建晶圆产能将开始贡献更多供给增长。YMTC预计继续占2026/27年NAND新增产能约一半。企业级SSD在NAND需求结构中的占比预计由2025年的29%升至2028年的65%。 先进封装构成另一条增长主线。AMAT、LAM和KLA均指引2026年先进封装业务增长70%以上，报告认为2026年的主要动力是CoWoS扩产，而2027年将转向HBM与SoIC。CoWoS、HBM和SoIC相关设备需求预计在2026/27年增长59%/56%，2027年先进封装增速仍可能超过整体WFE。前道相关先进封装收入预计继续快于后道，AMAT、LAM、KLA及TEL的先进封装收入增速均被建模在约70%。

分析框架

报告先将最新设备采购、洁净室使用和供应商指引纳入自下而上的WFE预测，再分别拆解领先制程逻辑、DRAM、NAND和先进封装的支出、晶圆产能及位元供给。随后以每GW算力对应的WFE需求，将设备投资与互联网团队预测的算力部署相互核验，并通过供应商隐含的DRAM支出与自身模型比较，判断预测的潜在上行空间及2028年的增速可持续性。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架供需框架

  WFE投资、晶圆产能与终端算力需求的供需匹配

  报告一方面估算设备投资能够增加多少逻辑和存储产能，另一方面用算力GW部署衡量终端需求，借此判断资本开支增长能否持续以及新增供给是否可能过快。

• 行业/产业分析框架产业链上中下游传导

  从设备支出到晶圆产能、位元供给和算力部署的传导

  报告将上游WFE采购转化为中游晶圆开工和DRAM、NAND位元供给，再与下游算力需求对应，以解释设备投入对产业供给的实际影响。

• 行业/产业分析框架

  领先制程晶圆产能模型

  报告按3nm、2nm和1.4nm节点及主要制造商建立月产能和设备支出预测，用于识别各年份的增长节点、厂商贡献与领先制程和成熟制程的结构变化。

• 行业/产业分析框架

  WFE per GW算力强度分析

  报告估算每新增1GW算力部署所对应的晶圆厂设备需求，并将约30GW的WFE需求与2027/28年29GW/36GW的行业算力部署预测进行交叉验证。

• 事件博弈与行为金融预期差/预期管理

  乐观情景向基准情景迁移

  报告追踪年内连续五次预测上调以及供应商指引，判断此前仅属于上行情景的DRAM、领先制程和NAND扩产条件已逐步兑现。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• TSMC

  报告预计其将是2027年领先制程逻辑WFE增长的最大贡献者，并主导2nm及1.4nm产能增加。

  优势

  2027年预计投入433亿美元，且2nm扩产加速。

  劣势

  报告假设其2028年支出增速将放缓。

  对比

  2027年领先制程支出预计高于Intel，并为最大增长来源。

  风险

  若2028年支出减速幅度或终端算力需求与预测不同，行业增长路径可能变化。

• Intel

  报告预计Intel将在2027年成为领先制程逻辑WFE的重要第二大支出方。

  优势

  2027年预计投入205亿美元，并参与2nm和1.4nm新增产能。

  劣势

  2028年支出增速被保守假设为放缓。

  对比

  预计紧随TSMC，成为2027年第二大领先制程增长来源。

  风险

  实际投资进度若低于报告假设，将影响领先制程WFE预测。

• Samsung

  同时参与领先制程和DRAM扩产，Samsung P4更多洁净室空间被分配给DRAM。

  优势

  预计2026年末P4的DRAM晶圆开工达到每月8.5万片，且2027年DRAM新建产能上修幅度较大。

  劣势

  报告仅预计其2028年支出小幅回升，领先制程增长贡献低于TSMC和Intel。

  对比

  在2027年领先制程增长贡献上落后于TSMC和Intel。

  风险

  洁净室配置和扩产节奏变化可能影响DRAM及逻辑WFE需求。

• Micron

  通过收购PSMC铜锣P5厂和加快1Gamma节点迁移，推动2026年DRAM设备支出提前释放。

  优势

  P5厂加速装机预计为2026年带来40亿至50亿美元增量，节点迁移支持棕地设备投资。

  劣势

  部分节点迁移已提前至2026年，抬高2027年比较基数。

  对比

  是报告解释2026年DRAM WFE远超年初预期的主要厂商之一。

  风险

  提前投资可能导致2027年棕地支出减速。

• SK hynix

  是DRAM新建产能上调的重要贡献者，并受HBM与传统DRAM扩产需求带动。

  优势

  报告对其2026年产能作小幅上调，并将其列为2027年主要上修来源之一。

  对比

  与Samsung共同构成2027年DRAM新建产能预测上调的最大来源。

  风险

  DRAM位元供给快速增长可能使扩产与终端需求的匹配更重要。

• YMTC

  预计继续贡献2026/27年约一半的NAND新建产能。

  优势

  在NAND新增产能中的占比较高。

  劣势

  报告下调了2026年整体NAND WFE和位元供给增速。

  对比

  预计占行业NAND新增产能约50%。

  风险

  NAND投资规模和晶圆新增进度若变化，将影响供给增长路径。

• AMAT、LAM、KLA及TEL

  报告预计这些设备企业受益于先进封装需求增长，相关收入增速约为70%。

  优势

  CoWoS、HBM与SoIC设备需求预计在2026/27年增长59%/56%，前道相关先进封装收入继续快于后道。

  劣势

  2026年与2027年的主要增长来源将由CoWoS转向HBM和SoIC，需要产品需求顺利衔接。

  对比

  报告预计四家公司先进封装收入均实现约70%的增长。

  风险

  先进封装项目节奏或技术路线切换若不及预期，相关增长可能受到影响。

关键数据

• 2026年WFE市场预测1630亿美元，同比增长39%原预测为1550亿美元、同比增长32%
• 2027年WFE市场预测2230亿美元，同比增长37%原预测为2010亿美元、同比增长31%
• 2028年WFE市场预测2540亿美元，同比增长14%原预测为2270亿美元、同比增长13%
• 自2025年12月1日以来的预测上调2026年上调26%；2027年上调54%报告称这是年内第五次WFE预测调整
• 行业年化运行规模约1250亿美元增至约2000亿美元从2025年第四季度至2026年第四季度，历时四个季度
• 2026/27年逻辑WFE预测950亿/1280亿美元原预测为890亿/1140亿美元
• 2027年领先制程逻辑WFE760亿美元，同比增长50%2nm为最大增长驱动，开始增加1.4nm产能
• 2027年主要领先制程支出方TSMC 433亿美元；Intel 205亿美元Intel预计成为重要的第二大支出方
• 2027年2nm设备支出约500亿美元报告预计2nm在2027年成为领先制程主要驱动力
• 2026/27年DRAM WFE预测530亿/700亿美元原预测为490亿/620亿美元；两年合计超过1200亿美元
• 2026/27年DRAM新建产能28.3万/49.3万片每月原预测为26.8万/39.5万片每月
• 2026/27年DRAM位元供给增速32%/38%原预测为29%/33%
• 2026/27年HBM位元供给增速55%/57%同期传统DRAM位元供给增速为30%/36%
• 2026—2028年DRAM年均WFE670亿美元2023—2025年均值为270亿美元
• 2026/27年NAND WFE预测137亿/240亿美元原预测为156亿/240亿美元
• 2026/27年NAND位元供给增速24%/26%原预测为24%/31%
• 企业级SSD结构占比2025年29%升至2028年65%报告对NAND需求结构的预测
• 先进封装设备需求增速2026/27年增长59%/56%涵盖CoWoS、HBM和SoIC相关设备需求

影响与含义

报告认为，洁净室和供应链瓶颈不再足以限制近期WFE增长，DRAM、2nm/1.4nm逻辑和先进封装将推动2026—2027年设备需求连续高速扩张。与此同时，约1000亿美元的两年行业增量和快速形成的存储、逻辑产能意味着后续判断重点必须转向算力及终端需求；2028年即使市场升至2540亿美元，增速也预计明显放缓。

风险

• 2027年DRAM WFE可能高于700亿美元：设备供应商的判断隐含规模超过750亿美元，报告认为预测风险偏向上行。
• 报告可能低估2027年DRAM棕地投资，因为其模型假设棕地WFE由2026年的250亿美元降至155亿美元。
• 2026年大量DRAM投资被提前实施，显著抬高2027年的比较基数并可能造成增速放缓。
• 2028年WFE预计由2027年的37%增长降至14%；要维持原增速，市场规模需超过3000亿美元。
• 随着洁净室和供应链约束被突破，新增产能能否由算力和终端需求消化成为周期持续性的关键风险。

后续跟踪

• 跟踪2027/28年实际算力部署能否接近报告引用的29GW/36GW预测。
• 观察2027年DRAM WFE最终更接近Morgan Stanley的700亿美元，还是供应商隐含的750亿美元以上。
• 关注DRAM棕地投资是否会如模型所示由2026年的250亿美元降至2027年的155亿美元。
• 跟踪TSMC与Intel的2nm设备投入，以及Intel能否成为2027年第二大领先制程支出方。
• 观察成熟制程支出能否在2023—2026年大致持平后，于2027年实现约18%的回升。
• 关注NAND新建晶圆产能从2027年起对位元供给的贡献，以及YMTC是否继续占新增产能约一半。
• 跟踪先进封装增长动力能否由2026年的CoWoS顺利转向2027年的HBM与SoIC。