摩根士丹利认为旧内存短期景气仍偏强
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摩根士丹利认为旧内存短期景气仍偏强
尽管兆易创新提示利基内存扩产后未来可能出现价格下行，报告仍判断DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash价格强势至少可持续至2026年底。
- 兆易创新公告称，主流厂商聚焦主流内存产品导致利基内存供应缺口，相关产品正在涨价。
- 公司同时提示，利基内存终端需求总体相对稳定，但涨价已在一定程度上抑制需求，未来随着产能扩张可能出现较大价格下跌。
- 摩根士丹利认为该风险更多是旧内存厂商未来可能面对的行业风险，短期尚未看到实质性大幅降价。
- 报告维持对覆盖范围内旧内存标的的 Overweight 观点，并给出大中华科技半导体行业 Attractive 看法。
研报解读
概览
本报告是摩根士丹利对大中华半导体旧内存板块的事件点评，核心触发因素是GigaDevice Semiconductor Beijing Inc在2026年6月29日晚发布公告，说明利基内存产品因供应缺口而涨价，同时提示未来产能扩张可能带来价格大幅下行风险。报告聚焦DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash等旧内存产品的短期供需与价格前景。
核心观点
核心观点是短期旧内存景气仍然乐观。摩根士丹利认为，虽然兆易创新提示了未来行业风险，但DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash的价格强势至少可延续至2026年底，短期内不认为会出现实质性大幅降价。报告继续看好覆盖范围内旧内存相关标的，并维持大中华科技半导体行业 Attractive 观点。
分析框架
报告采用事件点评与供需周期判断相结合的方法：先解读兆易创新公告中的供需缺口、涨价和未来扩产风险，再将该信息映射到DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash等旧内存市场，最后结合摩根士丹利覆盖标的的相对评级体系与估值框架判断投资含义。
方法论与常识提炼
目标价为基础情景价值
报告说明目标价来自剩余收益模型，关键假设包括8.9%的股权成本、1.1的beta、2%的无风险利率、6%的风险溢价、40%的派息率、16.4%的中期增长率和3.0%的终端增长率。
Overweight、Equal-weight、Underweight
摩根士丹利使用相对评级体系，Overweight表示未来12-18个月经风险调整后的总回报预期高于分析师覆盖行业平均水平。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- GigaDevice Semiconductor Beijing Inc (603986.SS)事件触发主体及旧内存相关标的
- 优势
- 利基内存产品受供应缺口推动出现涨价；评级为Overweight。
- 劣势
- 公告承认涨价已在一定程度上抑制终端需求。
- 对比
- 在摩根士丹利覆盖的大中华半导体范围内，该公司被纳入旧内存和NOR/DRAM相关讨论。
- 风险
- 未来利基内存产能扩张可能导致价格大幅下跌。
- DDR4、SLC/MLC NAND、NOR flash旧内存价格周期核心产品
- 优势
- 报告判断这些市场的定价强度可持续到至少2026年底。
- 劣势
- 需求总体稳定但可能受涨价抑制，且供给扩张会削弱涨价持续性。
- 对比
- 相较主流内存，旧内存和利基内存的短期价格支撑来自供应缺口和主流厂商产能聚焦变化。
- 风险
- 若新增产能释放快于预期，价格可能由上行转为明显下行。
- 旧内存覆盖标的板块投资组合观点
- 优势
- 摩根士丹利维持覆盖旧内存名称的Overweight观点。
- 劣势
- 板块高度依赖价格周期和终端需求稳定性。
- 对比
- 行业观点为Attractive，意味着对未来12-18个月相对广义市场基准的行业表现偏正面。
- 风险
- NOR需求转弱、DRAM发展慢于预期或芯片设计竞争力不足均可能削弱投资逻辑。
关键数据
- 行业观点Attractive报告列示大中华科技半导体行业观点为Attractive。
- GigaDevice Semiconductor Beijing Inc评级Overweight (O)评级日期为2025-05-15。
- GigaDevice Semiconductor Beijing Inc价格Rmb815.00表格列示价格日期为2026-06-30。
- 最新目标价记录Rmb888价格目标历史中列示2026-06-26目标价为888。
- 价格强势判断至少延续至2026年底覆盖DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash。
影响与含义
对投资含义而言，报告将兆易创新公告中的风险提示解读为中远期行业供给风险，而非短期景气反转信号。若旧内存价格继续维持强势，相关厂商的盈利预期和估值支撑可能延续；但若扩产更快落地或涨价明显抑制需求，旧内存上行周期可能提前结束。
风险
- 利基内存产能扩张后可能出现实质性价格下跌。
- 涨价可能进一步抑制终端需求。
- NOR需求转弱可能驱动下行周期。
- 芯片设计能力不及预期，或产品组合向中高密度NOR暴露增加。
- DRAM发展慢于预期。
后续跟踪
- DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash价格能否维持到2026年底。
- 利基内存新增产能释放节奏。
- 终端需求是否因涨价出现更明显抑制。
- 兆易创新DRAM进展与NOR产品结构变化。
- 摩根士丹利后续是否调整旧内存覆盖标的评级或目标价。