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DRAM情绪指标维持温和正面,1Q26合约价格或有明显上行

机构
Goldman Sachs
日期
2026-01-23
作者
Giuni Lee、Daiki Takayama、Taeyong Lee
公司
-
代码
-
行业
DRAM
评级
Buy ratings referenced for Samsung Electronics, Samsung Electronics (Pref) and SK Hynix Inc.
看多/乐观信心弱January 2026 DRAM sentiment indicator remains moderately positive, supported by DDR5 and DDR4 spot price rallies, strong server ODM demand, Nanya Tech revenue acceleration, and channel checks indicating higher 1Q26 DRAM and NAND pricing quotes.
作者Giuni Lee、Daiki Takayama、Taeyong Lee
目标价Samsung Electronics common share: W180,000; Samsung Electronics preference share: W142,000; SK Hynix Inc.: W700,000
覆盖区域其他
业务部门DRAM、NAND、HBM、server ODM、smartphones、memory semiconductors
研究机构部门/子公司Goldman Sachs(其他)

AI 摘要卡

DRAM情绪指标维持温和正面,1Q26合约价格或有明显上行

Goldman Sachs认为,DDR5和DDR4现货价格大幅上涨、AI服务器出货拉动服务器ODM收入、Nanya Tech收入高增以及渠道报价上调,共同指向DRAM短期合约价格和存储厂盈利预期仍有上修空间。

报告提及Samsung Electronics普通股和优先股均为Buy评级,12个月目标价分别为W180,000和W142,000;SK Hynix Inc.为Buy评级,2026E P/B法12个月目标价为W700,000。
DRAMDDR5DDR4HBMAI服务器合约价格存储周期Samsung ElectronicsSK Hynix Inc.Nanya Tech
  • 2026年1月DRAM情绪指标维持“温和正面”,与2025年12月一致。
  • DDR5和DDR4现货价格分别较12月合约价格溢价76%和172%,提高短期合约价格大幅上涨的概率。
  • 台湾服务器ODM 12月收入同比增长94%,连续13个月实现50%以上同比增长,受机架级AI服务器出货爬坡支撑。
  • Nanya Tech 12月收入同比增长445%,连续5个月录得三位数同比增速,且增速持续加快。
  • 渠道调研显示,部分移动客户已接受1Q26 DRAM和NAND报价,涨幅显著高于4Q25已达成水平。

研报解读

概览

本报告为Goldman Sachs关于DRAM市场情绪的行业研究,核心结论是2026年1月DRAM情绪指标继续指向温和正面。报告通过现货价格、服务器ODM收入、Aspeed收入、韩国DRAM出口、中国智能手机出货、Nanya Tech和Supreme Electronics收入、DRAM ASP二阶导、HBM一致预期对比以及渠道调研等数据点,判断短期DRAM合约价格具备强劲上行空间。

核心观点

报告认为,DRAM行业的短期景气度由价格和需求两端共同支撑。价格端,DDR5现货价格年初以来恢复快速上涨,DDR4现货价格自2024年9月以来持续上行,二者相对12月合约价格的溢价显示1Q26合约价有较高上调概率。需求端,AI服务器出货爬坡带动台湾服务器ODM收入高增,韩国DRAM出口保持强劲,中国智能手机出货虽同比增长但年初至今接近持平。公司层面,Nanya Tech收入增速显著加快,Supreme Electronics收入同比增长。渠道反馈显示,市场对1Q26传统存储价格增长的预期持续上调,并可能带来存储标的短期盈利预期上修。

分析框架

报告采用多指标情绪框架,将价格、收入、出口、终端需求、行业ASP变化、HBM一致预期以及渠道调研组合起来评估DRAM市场方向。价格指标用于判断合约价格谈判压力,收入和出口指标用于验证需求强度,HBM一致预期用于比较Goldman Sachs预测与市场预期的差异,渠道调研用于补充客户报价接受度和投资者情绪。

方法论与常识提炼

  • 行业情绪指标GS DRAM Sentiment Indicator

    通过多个高频和月度数据点评估DRAM市场情绪方向。

    指标纳入每日DRAM现货价格、服务器ODM月收入、Aspeed月收入、韩国DRAM出口收入、中国智能手机出货、Nanya Tech收入、Supreme Electronics收入、下一季度DRAM ASP增长二阶导、2026年HBM一致预期与GSe对比,以及渠道调研和投资者交流反馈。

  • 估值方法EV/EBITDA-based SOTP

    Samsung Electronics普通股目标价采用2026E EV/EBITDA基础上的SOTP方法。

    报告给出Samsung Electronics普通股12个月目标价W180,000,优先股12个月目标价W142,000;优先股目标价基于相对普通股21%的折价假设。

  • 估值方法PB 估值

    SK Hynix目标价采用2026E P/B方法。

    报告以存储强周期中的峰值P/B倍数为基础,并加入AI溢价,得出SK Hynix 2.8倍目标P/B和W700,000目标价。

  • 公司因子框架GS Factor Profile

    Goldman Sachs通过Growth、Financial Returns、Multiple和Integrated四个维度比较股票特征。

    Growth基于前瞻销售、EBITDA和EPS增长;Financial Returns基于ROE、ROCE和CROCI;Multiple基于P/E、P/B、股息收益、EV/EBITDA、EV/FCF等估值指标;Integrated为成长、回报与估值倒数的综合百分位。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • DRAM行业
    核心覆盖对象,报告判断1月情绪温和正面。
    优势
    现货价格大幅上涨、韩国出口强劲、AI服务器需求支撑服务器ODM收入、渠道报价上调。
    劣势
    中国智能手机年初至今出货接近持平,传统终端需求并非全面强劲。
    对比
    DDR5和DDR4现货价格相对12月合约价分别溢价76%和172%,显示价格上行压力明显。
    风险
    供需恶化、客户接受度下降、终端需求走弱或价格上涨不可持续。
  • SK Hynix Inc.
    存储行业主要受益标的之一,报告提及Buy评级和W700,000目标价。
    优势
    HBM业务增长带来AI相关溢价,报告预计2026年HBM出货增长高于一致预期9个百分点。
    劣势
    Goldman Sachs对HBM价格增长和HBM收入、营业利润的预测低于一致预期。
    对比
    相对Samsung Electronics,报告在估值中给予SK Hynix AI溢价。
    风险
    存储供需恶化、技术迁移延迟、智能手机/PC/服务器需求弱于预期、Samsung HBM业务进展改善、AI资本开支下降。
  • Samsung Electronics
    报告提及Buy评级,并给出普通股和优先股目标价。
    优势
    DRAM合约价格上涨可支撑存储业务盈利预期,1Q26E DRAM混合ASP预计约环比上涨50%。
    劣势
    报告风险项包括智能手机利润率急剧收缩和移动OLED市场份额损失。
    对比
    普通股目标价W180,000,优先股目标价W142,000,优先股目标价基于相对普通股21%的折价。
    风险
    存储供需重大恶化、智能手机利润率收缩、移动OLED市场份额流失。
  • Nanya Tech
    作为台湾DRAM供应商,是DDR4价格强势的观察样本。
    优势
    12月收入同比增长445%,连续5个月三位数增长且增速持续加快。
    劣势
    增长主要由强劲DDR4价格驱动,对价格周期敏感。
    对比
    8月至12月同比增速从+141%逐月加快至+445%,显著强于一般终端需求数据。
    风险
    DDR4价格回落、客户补库放缓或传统需求转弱。
  • 服务器ODM与Aspeed
    用于验证AI服务器需求和服务器链条景气度。
    优势
    台湾服务器ODM 12月收入同比增长94%,Aspeed收入同比增长18%。
    劣势
    Aspeed同比增长建立在上一年高基数之上,后续增速可能受基数影响。
    对比
    服务器ODM连续13个月实现50%以上同比增长,强于中国智能手机出货表现。
    风险
    AI服务器出货爬坡不及预期、云厂商资本开支放缓。
  • NAND
    报告在渠道调研中提及,部分客户接受1Q26 NAND报价涨幅高于4Q25。
    优势
    与DRAM一同受益于客户接受更高1Q26报价。
    劣势
    报告重点仍是DRAM,NAND数据披露较少。
    对比
    渠道反馈显示DRAM和NAND 1Q26报价涨幅均明显高于4Q25已达成水平。
    风险
    涨价范围和持续性需要更多客户接受度验证。

关键数据

  • DDR5现货价格溢价较12月合约价高76%截至1月22日,DDR5现货价格自新年开始恢复快速上涨。
  • DDR4现货价格溢价较12月合约价高172%DDR4现货价格自2024年9月以来持续上行。
  • 台湾服务器ODM 12月收入+94% yoy,+12% momInventec、Quanta、Wiwynn、Wistron收入受机架级AI服务器出货爬坡支撑。
  • Aspeed 12月收入+18% yoy,+4% mom在2024年12月同比高基数+131%的基础上仍实现增长。
  • 韩国DRAM出口收入+72% yoy,+23% mom增长由供给紧张推动的DRAM价格上涨带动。
  • 中国智能手机11月出货+2% yoy,-8% mom连续5个月同比增长,但1月至11月累计出货整体接近持平。
  • Nanya Tech 12月收入+445% yoy,+18% mom连续5个月三位数同比增长,8月至12月同比增速为+141%、+158%、+262%、+365%、+445%。
  • Supreme Electronics 12月收入+32% yoy,+8% mom台湾分销商收入保持同比增长。
  • Samsung Electronics 1Q26E DRAM混合ASP约+50% qoqGoldman Sachs据此估计季度内ASP增长二阶导约+7个百分点。
  • 2026年Hynix HBM出货增长GSe +47%,一致预期 +38%,差异 +9个百分点Goldman Sachs预计出货增长高于一致预期。
  • 2026年Hynix HBM价格增长GSe -14%,一致预期 +3%,差异 -17个百分点Goldman Sachs对HBM价格较一致预期更保守,原因是预计HBM3E 12-Hi价格会明显下调。
  • 2026年Hynix HBM收入GSe US$27bn,一致预期 US$32bn,差异 -16%收入预测低于一致预期。
  • 2026年Hynix HBM营业利润GSe US$17bn,一致预期 US$20bn,差异 -13%营业利润预测低于一致预期。

影响与含义

若DDR5和DDR4现货价格继续高于合约价格且客户接受1Q26更高报价,DRAM合约价格和存储厂短期盈利预期可能进一步上修。AI服务器相关需求仍是行业需求韧性的关键来源,但HBM价格预期、传统终端需求和供需平衡恶化仍是需要跟踪的主要变量。

风险

  • 存储供需出现重大恶化。
  • 智能手机、PC或服务器需求弱于预期,拖累传统存储需求。
  • 技术迁移延迟影响成本、供给和产品竞争力。
  • HBM价格下调幅度大于预期,压制HBM收入和利润。
  • AI相关资本开支下降,影响HBM和服务器需求。
  • Samsung HBM业务进展改善可能改变SK Hynix相对优势。
  • Samsung智能手机利润率急剧收缩或移动OLED市场份额流失。
  • 现货价格上涨未能充分传导至合约价格,或客户接受度低于渠道调研反馈。

后续跟踪

  • 1Q26 DRAM和NAND合约价格最终谈判结果。
  • DDR5和DDR4现货价格相对合约价格的溢价是否维持。
  • 台湾服务器ODM、Aspeed和韩国DRAM出口的后续月度数据。
  • Nanya Tech收入增速是否继续维持高位。
  • 中国智能手机出货是否从累计持平转为改善。
  • 2026年Hynix HBM出货、价格、收入和营业利润预期相对一致预期的变化。
  • AI服务器出货爬坡与云厂商AI资本开支节奏。
  • Samsung Electronics和SK Hynix目标价、评级及盈利预测是否因存储价格上修而调整。
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