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高盛维持东京电子Buy评级,山梨工厂参观强化其开发能力与竞争力判断

机构
Goldman Sachs
日期
2026-05-23
作者
Shuhei Nakamura、Kaho Otake
公司
东京电子
代码
8035.T
行业
半导体设备
评级
Buy
看多/乐观信心弱Site visit confirmed strong development capabilities, expanding gas chemical etching opportunities, and differentiated prober technology supporting competitiveness and profitability.
作者Shuhei Nakamura、Kaho Otake
目标价¥57,000
资产类别权益/股票
业务部门deposition systems、gas chemical etching systems、test systems/probers、thermal processing systems、sputter/PVD systems
研究机构部门/子公司Goldman Sachs(其他)

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高盛维持东京电子Buy评级,山梨工厂参观强化其开发能力与竞争力判断

报告认为,东京电子在沉积、气体化学刻蚀和prober等关键设备上的客户导向开发能力,支撑其在先进逻辑与高端测试需求中的竞争优势。

高盛维持Buy评级,12个月目标价¥57,000,基于FY3/27-28E EBITDA与全球SPE行业18倍EV/EBITDA,并给予15%行业相对溢价。
东京电子半导体设备先进逻辑气体化学刻蚀prober山梨工厂参观Buy评级
  • 高盛参观东京电子位于山梨县的Hosaka与Fuji两个基地,认为两处设备开发均紧贴客户需求,是公司高竞争力的重要基础。
  • Hosaka基地扩建开发功能,2023年新建25年来首栋开发楼,目前有超过100套开发用系统运行,并通过工艺整合推动低温刻蚀等新技术。
  • 气体化学刻蚀因使用气体替代液体,具备工艺稳定、低颗粒等优势,在先进逻辑客户中反馈强劲;公司预计从GAA N2向CFET世代演进时市场规模约扩大至当前1.5倍。
  • prober业务受益于高端逻辑与HBM测试需求增长,东京电子凭借自有算法和chuck材料实现更优温控性能,并可通过合作伙伴应对进一步产能需求。

研报解读

概览

这是一篇高盛关于东京电子8035.T的公司研究报告,核心来自2026年5月22日对东京电子Technology Solutions在山梨县Hosaka与Fuji两处基地的参观。报告认为,公司在沉积系统、气体化学刻蚀系统以及测试系统prober上的开发能力与客户需求高度匹配,构成其维持设备竞争力的重要基础。

核心观点

报告的核心观点是:第一,Hosaka基地强化开发功能,新开发楼和大量开发系统提升了跨设备工艺整合能力,并支持低温刻蚀、PVD、批量沉积和热处理温控等技术优势。第二,气体化学刻蚀系统在先进逻辑领域加速采用,因工艺稳定和低颗粒表现获得客户良好反馈,未来在CFET与3D-DRAM中仍有扩张空间。第三,prober从过去偏成本竞争转向技术差异化竞争,东京电子在高温控制、算法和chuck材料上具有差异化优势,有望受益于先进逻辑、foundry、OSAT以及潜在HBM芯片测试需求。

分析框架

报告以实地工厂参观和公司管理层/现场说明为主要信息来源,结合产品技术路径、客户需求变化、先进逻辑制程演进、HBM测试需求和半导体设备估值框架,对东京电子竞争力和目标价进行判断。

方法论与常识提炼

  • 估值EV/EBITDA相对估值

    12个月目标价

    高盛的12个月目标价¥57,000基于FY3/27-28E EBITDA预测、全球SPE行业平均18倍EV/EBITDA,并应用15%的行业相对溢价;该估值隐含FY3/27E P/E为37倍、P/B为12倍。

  • 公司质量GS Factor Profile

    成长、财务回报、估值倍数与综合百分位

    Goldman Sachs Factor Profile通过成长、财务回报、估值倍数和综合指标,将个股与市场及行业同业进行比较,用于提供投资背景。

  • 事件框架M&A Rank

    潜在被收购概率评分

    高盛披露其全球覆盖股票会使用M&A框架评估潜在被收购概率,评分1至3分别对应高、中、低概率;本报告主要披露框架定义,并未将其作为东京电子投资观点的核心。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • 东京电子 8035.T
    报告主体公司,高盛维持Buy评级
    优势
    开发能力强、产品组合覆盖沉积、气体化学刻蚀和prober;先进逻辑客户反馈较好;prober温控算法和chuck材料具差异化。
    劣势
    HBM应用中此前存在感不强,相关解决方案仍在开发;部分系统组装依赖外部运输模块和客户现场集成。
    对比
    报告将东京电子置于全球SPE行业估值框架下,并在覆盖宇宙中与Advantest、DISCO、Ebara、HOYA、JEOL、Kioxia Holdings、Lasertec、SCREEN Holdings、Tokyo Seimitsu、Ulvac等公司相对比较。
    风险
    半导体行业库存调整延长、出口限制进一步加强、利率上行等因素压低估值倍数。

关键数据

  • 报告评级Buy高盛维持东京电子Buy评级。
  • 12个月目标价¥57,000基于FY3/27-28E EBITDA与全球SPE行业18倍EV/EBITDA,并给予15%行业相对溢价。
  • 披露中的当前价格¥49,830公司特定披露处列示Tokyo Electron价格为¥49,830。
  • 隐含上行空间约14.4%按目标价¥57,000与¥49,830估算。
  • Hosaka开发系统数量超过100套报告称目前有超过100套用于开发的系统在运行。
  • 气体化学刻蚀潜在市场扩张约1.5倍公司称从GAA N2世代向CFET世代过渡时,该市场预计扩大至当前约1.5倍。
  • 报告日期2026-05-23报告页眉显示Equity Research 23 May 2026。

影响与含义

报告强化了东京电子在先进半导体设备中的技术壁垒叙事:气体化学刻蚀与prober不只是周期性设备需求,而是受先进逻辑、GAA/CFET、3D-DRAM和高端测试复杂度提升驱动的结构性机会。若这些技术差异继续转化为客户采用和更高附加值,公司盈利能力与估值溢价可能得到支撑。

风险

  • 半导体行业库存调整期可能延长,拖累设备订单和盈利预期。
  • 出口限制进一步加强可能影响先进设备需求、区域销售或客户投资计划。
  • 利率上行或其他宏观因素可能压低估值倍数。
  • HBM相关prober机会仍处于解决方案开发阶段,商业化进度和客户采用存在不确定性。

后续跟踪

  • 先进逻辑领域气体化学刻蚀系统在GAA N2和CFET世代的采用进度。
  • 3D-DRAM对气体化学刻蚀需求是否如公司预期扩大。
  • prober在foundry、OSAT以及singulated HBM芯片测试中的订单和产能利用率。
  • Hosaka与Fuji基地新增开发能力是否持续转化为产品差异化和盈利能力提升。
  • 全球SPE行业估值倍数、利率环境与出口管制变化。
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