2QCY26存储价格继续大涨，3Q涨幅预计明显放缓

概览

本报告是Bernstein的全球存储月度跟踪，基于TrendForce/DRAMeXchange发布的6月DRAM与NAND合约价、现货价数据，并与其行业模型和投资者预期对比。报告核心结论是：2QCY26存储价格仍处于强劲上涨周期，DRAM与NAND均受AI、服务器、SSD和移动端供需紧张推动；但进入3QCY26后，消费端需求承压、客户去规格化和长期协议价格上限将使涨价节奏明显放缓。

核心观点

DRAM价格仍强于预期，6月合约价指向2QCY26传统DRAM环比上涨74%，其中PC、Server、Mobile和Consumer/Specialty DRAM均大幅上涨。NAND晶圆价格涨幅较温和，但UFS、移动NAND与SSD涨幅强劲，使综合NAND价格在2QCY26仍可能环比上涨约60%。短期短缺仍然存在，尤其是服务器DRAM和AI相关需求强劲；中期看，PC、手机和消费电子需求破坏将逐步显现，3QCY26涨幅预计收窄，价格可能在2HCY27至CY28随LTA生效和新增产能释放而正常化。

分析框架

报告采用价格跟踪与加权均价框架：选取不同应用领域的主流DRAM和NAND产品样本，按市场需求贡献设置权重，得到行业平均价格变化；同时参考现货价作为合约价领先指标，并将HBM、SSD等未纳入样本的关键品类进行额外调整。

方法论与常识提炼

• 价格跟踪DRAM/NAND合约价与现货价跟踪

  使用TrendForce/DRAMeXchange月度价格数据跟踪存储周期

  合约价用于衡量行业主流成交价格，现货价虽波动较大但可作为供需紧张和后续合约价方向的领先指标。

• 加权均价行业ASP加权模型

  按不同应用和产品权重计算行业平均价格变化

  DRAM加权包含Mobile、Server、PC和Specialty DRAM等应用，NAND样本包含eMMC/UFS与晶圆，并额外考虑HBM和SSD对综合ASP的影响。

• 周期判断供需与LTA框架

  结合供应转配、AI需求、消费需求破坏和长期协议判断价格持续性

  报告认为LTA可缓冲价格回调，但价格上限和新增产能会使后续ASP上行更多依赖未被LTA覆盖的交易，最终推动价格在2HCY27至CY28正常化。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• Samsung Electronics

  全球存储供应商，覆盖DRAM、NAND、HBM等

  优势

  受益于DRAM与NAND价格上行、服务器需求和HBM相关需求；Bernstein给予Outperform评级。

  劣势

  部分合约谈判节奏与价格上限可能限制后续ASP弹性。

  对比

  相对NAND纯度更高的公司，Samsung具备更完整的存储与半导体组合。

  风险

  存储价格在2HCY27后正常化、消费需求破坏、竞争加剧。

• SK hynix

  全球DRAM/HBM核心供应商

  优势

  受益于服务器DRAM、AI需求和HBM景气；Bernstein给予Outperform评级。

  劣势

  移动DRAM初步报价相对Samsung和Micron更温和，部分价格弹性可能较低。

  对比

  在AI/HBM和高端DRAM暴露度上具备优势。

  风险

  LTA价格上限、新增供给释放、终端需求放缓。

• Micron

  美国存储供应商，覆盖DRAM与NAND

  优势

  受益于DRAM价格上涨和服务器需求，Bernstein给予Outperform评级。

  劣势

  TrendForce观察称Micron部分LTA价格上限可能接近2QCY26水平，或限制后续上行空间。

  对比

  相较亚洲同业，Micron合约期限偏长，价格弹性可能受LTA设计影响。

  风险

  价格上限、需求破坏、行业供给恢复。

• SanDisk

  NAND相关公司

  优势

  受益于SSD与移动NAND价格大幅上涨，Bernstein给予Outperform评级并将目标价列为US$3,000。

  劣势

  NAND结构性竞争压力较DRAM更高。

  对比

  相对DRAM龙头，对NAND周期和SSD价格更敏感。

  风险

  NAND晶圆现货价下跌、中国竞争、智能手机需求破坏。

• KIOXIA

  NAND供应商

  优势

  短期受益于NAND合约价和SSD价格上涨。

  劣势

  Bernstein维持Underperform评级，且报告对NAND结构性竞争更谨慎。

  对比

  相对DRAM龙头，业务更集中于NAND，面临更高竞争与价格正常化风险。

  风险

  中国竞争、NAND晶圆价格疲弱、需求破坏、价格周期回落。

• DRAM产业链

  本报告最核心的价格跟踪对象

  优势

  2QCY26合约价大幅上涨，服务器与AI需求强劲，现货价显示短缺仍存。

  劣势

  3QCY26涨幅预计从2Q高位显著放缓。

  对比

  相较NAND，DRAM短缺和AI服务器需求支撑更明确。

  风险

  PC、手机和消费端需求破坏，新增产能和LTA压制后续价格。

• NAND产业链

  本报告第二大价格跟踪对象

  优势

  移动NAND与SSD涨幅强劲，支撑2QCY26综合NAND价格约上涨60%。

  劣势

  晶圆现货价下跌、晶圆合约价涨幅已明显放缓。

  对比

  相对DRAM，NAND面临更强中国竞争和更明显的终端需求压力。

  风险

  模块厂采购减少、智能手机需求破坏、中国供应竞争、价格回落。

关键数据

• 2QCY26传统DRAM合约价涨幅约+74% QoQ6月合约价较5月继续上行，指向2QCY26传统DRAM价格较1QCY26上涨74%。
• PC DRAM现货价+5.6%至+11.5% MoM6月PC DRAM现货价继续反弹，DDR4与DDR5均上涨。
• Server DRAM现货价+6.1%至+26.4% MoMServer DDR5现货价表现尤其强劲，仍明显高于合约价，显示供给紧张。
• PC DRAM 2QCY26合约价涨幅约+51% QoQ6月合约价小幅环比上涨，TrendForce将3QCY26 PC DRAM涨价预期上调至+15%至+20% QoQ。
• Server DRAM 2QCY26合约价涨幅约+60% QoQ6月服务器DRAM合约价环比上涨0%至9.1%，3QCY26预计继续上涨13%至18%。
• Mobile DRAM 2QCY26合约价涨幅接近+80% QoQSamsung和Micron提出80%以上涨幅，SK hynix初步报价较温和；智能手机OEM已开始调整生产计划和内存用量。
• Specialty DRAM 2QCY26合约价涨幅+105%至+108% QoQ传统产品供应不足和AI、汽车等需求支撑价格，6月环比上涨8.3%至13.6%。
• NAND综合合约价涨幅约+60% QoQ样本口径显示NAND价格上涨41.5%，但考虑SSD约70%的涨幅后，综合NAND ASP估计约上涨60%。
• NAND晶圆合约价+0.3%至+3.7% MoM涨幅放缓，模块厂在高价位下采购更谨慎。
• NAND晶圆现货价约-3%至-4% MoM6月NAND晶圆现货价继续下跌，且月底较合约价低约20%至25%。
• 移动NAND 2QCY26涨幅约+75%至+80% QoQ主要由供应短缺驱动，但2HCY26可能面临智能手机需求破坏。
• 主要评级与目标价Samsung KRW 440,000；SK hynix KRW 3,300,000；Micron US$1,300；KIOXIA JPY 40,000；SanDisk US$3,000报告维持Samsung、SK hynix、Micron、SanDisk为Outperform，KIOXIA为Underperform。

影响与含义

投资含义偏向受益于DRAM、HBM和服务器需求的存储龙头，尤其在2QCY26至CY27供需紧张期间盈利弹性仍强；但估值和盈利可持续性将取决于LTA价格上限、消费端需求破坏程度、国产供应竞争以及2HCY27以后新增产能释放。NAND链条短期受SSD和移动NAND涨价支撑，但报告结构性上对NAND更谨慎，原因是中国竞争更强且晶圆价格已显现疲态。

风险

• 消费端需求破坏可能最终出现，尤其在PC、智能手机和消费电子领域。
• 3QCY26存储价格涨幅预计明显收窄，可能削弱市场对盈利上修的预期。
• LTA价格上限可能限制部分供应商后续ASP上行空间。
• 2HCY27至CY28新增产能释放和LTA生效可能推动价格正常化。
• NAND面临更强中国竞争，且晶圆现货价已低于合约价约20%至25%。
• 智能手机OEM可能因内存成本上升而下调生产计划和内存配置。

后续跟踪

• 3QCY26 DRAM与NAND合约价实际涨幅是否如预期放缓。
• 美国CSP与中国CSP的LTA签署进展、价格上限和供货优先级。
• Server DDR5现货价相对合约价的溢价是否持续。
• PC与智能手机OEM是否出现更明显的需求破坏或去规格化。
• SSD和eSSD需求能否继续吸收NAND供应。
• HBM4爬坡、AI服务器需求和新增存储产能释放节奏。
• 中国DRAM/NAND供应商对价格和份额的竞争压力。