TSMC上调资本开支与AI需求指引，强化欧洲半导体设备链正面读穿

概览

本报告是高盛欧洲科技硬件/半导体团队基于TSMC 2Q26业绩电话会进行的行业读穿。核心结论是：TSMC的AI/HPC需求、先进制程资本开支、美国Arizona长期扩产以及先进封装需求信号，对欧洲AI相关半导体公司形成正面影响，主要覆盖ASML、ASMI、BESI、Infineon和STMicroelectronics。

核心观点

报告最重要的观点有四点。第一，TSMC 2Q26收入达到指引高端，HPC/AI应用环比增长20%并贡献66%季度收入，说明AI驱动的领先制程需求仍然强劲。第二，TSMC将FY26收入增长指引上调至略高于40%，并将FY26资本开支展望提升至600亿至640亿美元，利好与先进节点扩产绑定的设备公司。第三，A14节点进展顺利且计划2028年量产，叠加强客户兴趣，支撑ASML和ASMI的长期先进逻辑节点需求。第四，TSMC对COUPE和成熟节点高价值应用的表述分别利好BESI的Hybrid Bonding方案，以及Infineon和STM所在的功率半导体市场。

分析框架

报告采用业绩电话会读穿方法，将TSMC的收入结构、资本开支计划、节点路线图、先进封装技术需求和成熟节点扩产方向，映射到欧洲半导体设备、先进封装和功率半导体公司的订单与估值逻辑。估值部分使用高盛对各公司的12个月目标价和倍数法假设。

方法论与常识提炼

• 估值P/E与EV/EBITDA倍数法

  以远期盈利或EBITDA乘数推导12个月目标价

  ASML目标价基于32x 2HCY27+1HCY28E P/E；ASMI、BESI、Infineon和STMicroelectronics目标价基于CY27E EV/EBITDA倍数。

• 行业读穿TSMC业绩电话会读穿

  从产业链龙头资本开支和技术路线映射上下游受益公司

  报告将TSMC的AI/HPC收入、先进节点资本开支、Arizona扩产、COUPE先进封装和成熟节点需求，映射到欧洲设备、封装和功率半导体公司。

• 高盛方法论GS Factor Profile

  用成长、财务回报、估值倍数和综合指标比较股票属性

  高盛Factor Profile通过归一化排名和分位数比较股票相对市场和行业同业的成长、财务回报与估值特征。

• 高盛方法论M&A Rank

  用1至3分衡量公司成为收购目标的可能性

  M&A Rank 1代表高概率，2代表中等概率，3代表低概率；对1或2级公司，目标价可能纳入并购成分。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• ASML Holding (ASML.AS)

  TSMC先进制程资本开支、A14节点和Arizona扩产的直接设备受益方

  优势

  EUV Low NA工具需求受领先节点扩产支撑；公司计划在2027/28年分别将EUV Low NA产能提升30%。

  劣势

  高度暴露于半导体资本开支周期。

  对比

  在本报告覆盖的欧洲AI相关半导体设备公司中，ASML与TSMC领先节点扩产的关联最直接。

  风险

  EUV延迟、资本开支周期性、不利市占变化。

• ASM International (ASMI.AS)

  先进逻辑节点与TSMC A14开发进展相关的设备受益方

  优势

  先进逻辑节点长期需求建设性，TSMC A14计划2028年量产并获客户强烈兴趣。

  劣势

  客户集中度较高，对半导体周期敏感。

  对比

  相较BESI更偏前道制程设备受益，读穿来自先进逻辑节点而非先进封装。

  风险

  半导体周期恶化、竞争强于预期、客户集中度高。

• BE Semiconductor Industries (BESI.AS)

  TSMC COUPE及先进封装需求增长的受益方

  优势

  TSMC COUPE技术已使用Hybrid Bonding拼接不同封装，AI数据中心能效和带宽要求提升利好相关方案。

  劣势

  对Hybrid Bonding采用节奏和客户支出周期敏感。

  对比

  相较ASML和ASMI，BESI的读穿重点更集中在先进封装和Hybrid Bonding。

  风险

  客户支出周期性、Hybrid Bonding采用延迟、竞争加剧。

• Infineon (IFXGn.DE)

  AI相关高价值应用推动成熟节点和功率半导体需求的受益方

  优势

  TSMC继续增加成熟节点产能以服务功率管理IC和CMOS图像传感器等AI相关高价值应用，验证功率半导体市场条件。

  劣势

  仍受EV采用率、消费需求和宏观环境影响。

  对比

  相较设备公司，Infineon的读穿更偏需求验证而非资本设备订单。

  风险

  终端市场走弱、EV采用率低于预期、半导体周期恶化、宏观负面因素延长消费需求疲弱。

• STMicroelectronics (STM; STMPA.PA)

  AI相关成熟节点和功率半导体需求的间接受益方

  优势

  成熟节点扩产和高价值AI应用需求对功率半导体形成基本面验证。

  劣势

  评级为中性，显示相对回报或风险收益不如买入评级标的。

  对比

  与Infineon同属功率半导体读穿方向，但报告维持STM中性而Infineon为买入。

  风险

  消费半导体库存修正触底快慢不及预期、竞争对手碳化硅动能加速或放缓、当前有利定价能否持续。

• TSMC

  本报告的业绩读穿来源，而非高盛欧洲覆盖评级核心标的

  优势

  AI/HPC需求强劲，FY26收入增长和资本开支指引上调，A14节点开发顺利。

  劣势

  消费和价格敏感细分市场因组件成本上升面临需求逆风。

  对比

  TSMC作为晶圆代工龙头，其资本开支和技术路线为欧洲设备与功率半导体公司提供需求信号。

  风险

  消费和价格敏感市场需求逆风、资本开支执行和先进节点扩产节奏。

关键数据

• TSMC 2Q26 HPC/AI收入表现环比增长20%，贡献季度收入66%1Q26占比为61%。
• TSMC FY26收入增长指引美元口径略高于40%此前指引为同比增长超过30%。
• TSMC FY26资本开支展望600亿至640亿美元此前表述为接近520亿至560亿美元区间高端。
• TSMC 2026资本开支投向约70%至80%用于先进节点报告认为这对先进制程需求相关半导体设备厂商构成近端利好。
• TSMC Arizona追加投资约1000亿美元用于N2及后续节点和先进封装，以满足美国客户需求。
• A14节点量产时间2028年HVMTSMC称A14开发进展良好，并观察到HPC和SP客户强烈兴趣。
• ASML评级与目标价买入，12个月目标价€2,200基于32x 2HCY27+1HCY28E P/E；关键风险包括EUV延迟、资本开支周期性和不利市占变化。
• ASMI评级与目标价买入，12个月目标价€955基于25x CY27E EV/EBITDA；关键风险包括半导体周期恶化、竞争超预期和客户集中度高。
• BESI评级与目标价买入，12个月目标价€318基于33x CY27E EV/EBITDA；关键风险包括客户支出周期性、Hybrid Bonding采用延迟和竞争加剧。
• Infineon评级与目标价买入，12个月目标价€88.0基于18x CY27E EV/EBITDA；风险包括终端市场走弱、半导体周期恶化和宏观压力。
• STMicroelectronics评级与目标价中性，12个月目标价€58.0/ADR $67.5基于13x CY27E EV/EBITDA；风险包括消费半导体库存修正节奏、碳化硅动能变化和定价可持续性。

影响与含义

对投资含义而言，TSMC的资本开支上调和长期美国扩产强化了先进制程设备需求能见度，尤其支持ASML的EUV工具需求和ASMI的先进逻辑节点暴露；AI数据中心对能效和带宽要求提高，则提升BESI Hybrid Bonding方案的战略相关性；成熟节点扩产服务AI相关高价值应用，也为Infineon和STM所在功率半导体需求提供基本面验证。不过，STM仍为中性，显示读穿正面但不足以改变其相对评级。

风险

• TSMC提到消费和价格敏感细分市场因较高组件成本面临需求逆风。
• ASML风险包括EUV延迟、资本开支周期性和不利市占变化。
• ASMI风险包括半导体周期恶化、竞争强于预期和客户集中度高。
• BESI风险包括客户支出周期性、Hybrid Bonding采用延迟和竞争加剧。
• Infineon风险包括终端市场走弱、EV采用率低于预期、半导体周期恶化和宏观压力延长消费需求疲弱。
• STMicroelectronics风险包括消费半导体库存修正触底节奏、竞争对手碳化硅动能变化，以及当前有利定价能否持续。
• 高盛与多家覆盖公司存在投行业务、做市、持仓或其他客户关系披露，投资者需结合利益冲突披露阅读。

后续跟踪

• TSMC FY26资本开支是否按600亿至640亿美元区间执行。
• 未来三年TSMC资本开支是否显著高于过去三年投资水平。
• A14节点2028年HVM进度及HPC、SP客户兴趣是否持续。
• Arizona追加1000亿美元投资的节奏、产能落地和对美国客户需求的满足情况。
• ASML EUV Low NA工具产能在2027/28年各提升30%的执行情况。
• TSMC COUPE方案和Hybrid Bonding采用速度。
• 成熟节点在功率管理IC、CMOS图像传感器等AI相关高价值应用中的需求强度。
• 消费和价格敏感半导体需求是否继续受组件成本压力影响。