Samsung Electronics 2Q26业绩强劲超预期，Memory业务驱动盈利惊喜
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Samsung Electronics 2Q26业绩强劲超预期，Memory业务驱动盈利惊喜
野村维持Samsung Electronics Buy评级和KRW 670,000目标价，认为2Q26经营利润超预期、Memory供需紧张延续，估值相对同业仍过度低估。
- 2Q26初步收入为KRW 171tn，经营利润为KRW 89tn，高于野村KRW 76tn的经营利润预测。
- 若剔除约KRW 20tn的1Q和2Q奖金准备，野村估计2Q预奖金经营利润约为KRW 110tn。
- 野村预计3Q26 commodity DRAM/NAND价格环比上涨15-20%，HBM盈利能力将向commodity DRAM靠拢。
- Foundry/LSI和MX业务盈利仍承压；MX在2Q可能转亏，且3Q仍受Memory价格上涨影响。
- 野村认为Memory供给短缺大概率持续至2029F之前，维持Buy评级与KRW 670,000目标价。
研报解读
概览
本报告为野村对Samsung Electronics 2Q26初步业绩的快速点评。报告核心结论是，公司2Q26业绩显著超出预期，主要由Memory业务强劲表现推动；尽管Foundry/LSI、MX等板块仍有盈利压力，但Memory价格上行、长期供给紧张和HBM盈利改善支撑正面投资判断。
核心观点
野村认为Samsung Electronics 2Q26收入KRW 171tn、经营利润KRW 89tn构成业绩惊喜，明显高于其KRW 76tn的经营利润预测。考虑约KRW 20tn的奖金准备集中反映在2Q，预奖金经营利润可能达到约KRW 110tn。报告维持Buy评级和KRW 670,000目标价，理由是公司利润规模在全球科技公司中处于高位，且相对同等市值竞争对手存在不公平低估。
分析框架
报告采用分部业绩拆解、Memory价格周期判断、同业估值比较和目标P/B估值框架相结合的分析方式：先判断2Q26初步业绩与预测差异，再分析Memory、Foundry/LSI、Display、MX等业务对盈利的贡献与拖累，最后以12个月目标价框架评估估值吸引力。
方法论与常识提炼
12个月目标价
野村的12个月目标价KRW 670,000来自对12MF BVPS KRW 133,139应用5.0x目标P/B；目标倍数反映Memory长期协议支持下的业务稳定性和可见度提升。
Memory价格上行与供给短缺
报告通过判断commodity DRAM/NAND价格、HBM价格与长期供给扩张节奏，评估Memory业务盈利持续性；野村预计供给扩张的实质影响可能要到2029F以后才显现。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- Samsung Electronics (005930.KS)核心覆盖公司
- 优势
- 2Q26业绩显著超预期，Memory业务表现强劲，利润规模相对同业突出，估值被认为过度低估。
- 劣势
- Foundry/LSI仍处于亏损压力，MX业务受Memory成本上涨影响，Display盈利率受价格下行压力影响。
- 对比
- 报告认为公司经营利润规模接近同等市值竞争对手的1.5-2倍，且在全球科技公司中处于较高季度利润水平。
- 风险
- 美国半导体关税、数据中心建设因电力短缺延迟，以及高利率环境下AI资本开支放缓。
- Apple (AAPL US)智能手机与Display需求相关可比公司
- 优势
- 报告提到Samsung和Apple等领先公司市占率提升带动Display出货量好于预期。
- 劣势
- Apple可能将产品价格提高15-25%，反映终端成本压力上升。
- 对比
- Samsung的MX业务可能跟随Apple进一步上调智能手机价格，但利润改善仍受Memory价格上涨制约。
- 风险
- 终端价格上调可能影响需求弹性。
关键数据
- 2Q26初步收入KRW 171tnSamsung Electronics公布的2Q26初步业绩。
- 2Q26初步经营利润KRW 89tn高于野村此前KRW 76tn预测。
- 2Q26预奖金经营利润估计约KRW 110tn野村估计约KRW 20tn的1Q和2Q奖金准备均在2Q报表中反映。
- 3Q26F commodity DRAM/NAND价格预期环比上涨15-20%报告认为Memory价格上涨节奏之后将逐步趋于稳定。
- 目标价KRW 670,000维持不变，基于5.0x目标P/B和12MF BVPS KRW 133,139。
- 当前价格KRW 318,0002026-07-06收盘价。
- 评级Buy维持不变，12个月视角相对基准跑赢。
影响与含义
报告对Samsung Electronics的投资含义偏正面：Memory业务超预期和价格上行强化盈利弹性，HBM盈利能力改善提供增量支撑，长期供给短缺延续则提高利润可见度。不过，Foundry/LSI亏损、MX成本压力和宏观及行业资本开支风险仍需持续跟踪。
风险
- 美国对半导体产品征收关税的潜在风险。
- 电力供应短缺导致数据中心建设延迟。
- 较高利率环境下AI资本开支放缓。
- Memory价格继续上涨可能压制MX业务利润改善。
- Foundry/LSI亏损规模在计入奖金准备后可能扩大。
- Display业务虽出货好于预期，但价格下行压力可能拖累盈利能力。
后续跟踪
- 3Q26 commodity DRAM/NAND实际价格涨幅是否达到15-20%。
- HBM价格与盈利能力是否继续向commodity DRAM靠拢。
- Memory长期协议扩大进度及其对价格稳定性的影响。
- Foundry/LSI亏损改善节奏。
- MX业务是否通过智能手机提价抵消Memory成本上涨。
- Memory供给扩张计划是否提前改变2029F前供需紧张判断。