摩根士丹利认为2026–27年WFE牛市情景已成为基准情景,并偏好估值折价的子系统公司AEIS和MKS,以及ONTO。
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摩根士丹利认为2026–27年WFE牛市情景已成为基准情景,并偏好估值折价的子系统公司AEIS和MKS,以及ONTO。
报告认为,半导体设备需求正突破此前的产能约束,DRAM和先进逻辑是主要驱动力。AI基础设施回报的担忧及2027–28年预期已较充分,是SPE股票未能更强势表现的主要原因。
- 自12月1日以来,摩根士丹利已将2026/27年WFE预测上调26%/54%。
- 其预测2026–27年DRAM WFE将超过$120bn,其中2026年为$53bn、2027年为$70bn。
- 该行估计,到2027年AI算力部署将带来$87–125bn的增量WFE需求。
- 摩根士丹利认为,尽管AEIS和MKS相对SPE OEM存在历史性折价,但其重演库存去化的风险较低。
- TeraFab加速和成熟逻辑复苏可能成为额外的WFE驱动因素。
研报解读
概览
摩根士丹利围绕半导体设备(SPE)的七项争论展开分析。其核心结论是,WFE上行周期强于此前预期,但股票表现仍受AI基础设施回报持续性担忧及2027–28年上行预期已被较多计入的制约。
核心观点
摩根士丹利表示,由于行业投入持续突破物理和产能约束,2026–27年WFE牛市情景现已成为其基准情景。自12月1日以来,其2026年和2027年WFE预测分别上调26%和54%,2026年DRAM WFE预测增加$17bn,即47%。该行预计2026–27年DRAM WFE合计超过$120bn:2026年为$53bn,同比增长70%;2027年为$70bn,同比增长33%。先进逻辑WFE预计2026年增长72%、2027年增长50%;该行预计2027年按百分比计,NAND增速将高于先进逻辑,后者又高于DRAM。 报告认为,SPE股票相对表现疲弱更多反映AI投资回报争论,而非设备基本面恶化。市场日益将半导体产能需求与以GW衡量的超大规模云厂商算力部署联系起来。若投资者因数据中心建设延期或超大规模云厂商债券或CDS市场反映的担忧,而失去对部署进度的信心,即使短期基本面依然稳健,AI基础设施股票也会更难获支持。摩根士丹利指出,其覆盖标的以CY27或CY28 EPS的周期底部倍数交易,因为该行不愿假设WFE预测会进一步上调。另一种观点认为,买方对WFE的预期已较充分:市场对2027年的预期约为$230bn、对2028年为$300bn上下,而摩根士丹利的估计分别为$223bn和$254bn。 为检验AI与WFE的联系,摩根士丹利更新了基于NVIDIA的每GW WFE测算。其估计Rubin Ultra每GW对应约$3.4bn WFE,与Vera Rubin大致一致,即每$100bn AI资本开支约对应$7bn WFE。这低于Lam Research的$9–10bn估计,并被描述为下限,因为该计算仅聚焦NVIDIA,未纳入TPU和Trainium。摩根士丹利互联网团队预计超大规模云厂商2027年资本开支将达$1.2tr,对应29GW算力。这将带来相对于2025年的$87–125bn增量WFE需求;若非AI终端市场没有新增产能,则隐含2027年WFE为$204–242bn,对比摩根士丹利的$223bn预测。 此前若干上行情景已基本兑现。Intel指引2027年资本开支将显著高于2026年,并筹集$20bn股权资金;Kioxia的K3公告和Solidigm的大连扩产使NAND绿地投资更受重视;存储厂商也在尽可能提前拉动产能。随着主要晶圆厂项目开始安装设备,摩根士丹利预计12月季度LAM、AMAT和TEL合计DRAM出货将超过$6bn。该行仍指出,TeraFab加速和成熟逻辑复苏可为WFE预测增加超过1%、即$2–3bn。其模型包括2027–28年约$2bn的TeraFab WFE和2029年的$6bn;成熟逻辑则在2026年下降2%、2027年增长18%。 对于DRAM,该行不对供需关系作出判断,但强调使用路线图正在上移。截至6月,DRAM位元年初至今增长36%;摩根士丹利预测2026年和2027年位元供应分别增长32%和38%,其中HBM增长55%和57%,非HBM增长30%和36%。假设ASP增长10%、供应增长38%,该行估计2027年DRAM TAM为$979bn;若位元增长41%,则可达$1tr。若供应商预期DRAM在2027年增速快于整体WFE,则DRAM WFE将超过$75bn,同比增长40%,高于摩根士丹利的$70bn预测。 报告将Intel讨论的重点从Intel是否支出,转向哪些供应商能够获得该支出。摩根士丹利预计Intel WFE同比增长约70%,对2027年前WFE增量的贡献为13%。Intel历史上是AMAT和TEL收入占比超过10%的客户,CY22 Intel资本开支份额中AMAT为10.4%、TEL为10.3%。随着Intel制造战略发生变化,该行不排除供应商份额重新洗牌;其估计过程控制强度已从2023年Intel WFE的约6%升至今年约10%,KLAC和ONTO已经从Intel资本开支复苏中初步受益。 摩根士丹利还评估了HBM规格变化风险。NVIDIA Rubin Ultra从12层HBM转向8层HBM,并不意味着所有工艺步骤都按比例减少,因为更薄芯片和更窄间隙会增加封装难度。该行假设每100kwpm HBM对应$2bn设备投入,但认为过程控制工具以及背面研磨和抛光面临最大的下行风险。若路线图未能推进至16层及以上,则可能不需要混合键合,HBM过程控制强度也可能不再提升。 在选股方面,摩根士丹利在其Overweight标的中偏好AEIS和MKS胜过LAM和KLA,并将ONTO称为具独特份额提升逻辑的标的。在CY27 WFE高于约$230bn的上行情景下,其认为AEIS每股盈利可接近$20、MKS可接近$21,对应约13x和12x盈利。AMAT、LAM和KLA相对AEIS和MKS的估值溢价为64%,而自2019年以来平均仅为8%。摩根士丹利认为,这一折价过度,因为尽管子系统公司2026年增速应低于OEM,但OEM并未像上一轮周期那样在AEIS和MKS积累库存。因此,未来周期放缓时,子系统库存冲击应小于此前。
分析框架
摩根士丹利首先更新WFE预测,并按DRAM、逻辑和NAND拆分需求。随后,该行通过每GW WFE测算,将AI资本开支和NVIDIA算力部署转化为设备需求,并将其预测与市场预期比较,再检验Intel、NAND、DRAM、TeraFab和成熟逻辑的上行情景。最后,该行评估供应商敞口、HBM工艺强度、库存动态和相对估值,以确定偏好标的。
方法论与常识提炼
通过终端市场扩产、DRAM位元供应、逻辑需求、NAND项目和晶圆厂设备安装来评估WFE需求。
报告利用预期扩产和存储及逻辑客户的设备支出构建WFE展望,并识别潜在上行驱动因素。
将超大规模云厂商的AI资本开支和算力部署转化为半导体产能,进而转化为WFE需求。
摩根士丹利估算每NVIDIA GW对应的WFE,并将这一关系应用于预测的超大规模云厂商资本开支和算力部署。
比较SPE OEM和子系统供应商的远期盈利倍数及相对估值溢价。
报告对CY27或CY28 EPS采用周期底部倍数,并比较AEIS/MKS与AMAT/LAM/KLA的估值,以支持其相对偏好。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。
- Advanced Energy Industries (AEIS)在摩根士丹利的WFE上行情景中,为其偏好的子系统供应商。
- 优势
- 若CY27 WFE超过约$230bn,每股盈利可接近$20;其远期P/E低于历史区间。
- 劣势
- 预计2026年增速将低于OEM。
- 对比
- AMAT/LAM/KLA相对AEIS/MKS的估值溢价为64%,而自2019年以来平均为8%。
- 风险
- AI部署不确定性和WFE周期弱于预期。
- MKS Inc. (MKS)在摩根士丹利的WFE上行情景中,为其偏好的子系统供应商。
- 优势
- 若CY27 WFE超过约$230bn,每股盈利可接近$21;摩根士丹利认为其重演上一轮库存冲击的风险较低。
- 劣势
- 预计2026年增速将低于OEM。
- 对比
- 与AEIS一道相对SPE OEM处于历史性折价。
- 风险
- AI部署不确定性和WFE周期弱于预期。
- ONTO Innovation (ONTO)摩根士丹利具独特份额提升逻辑的标的。
- 优势
- 摩根士丹利认为,Intel过程控制强度提高已带来初步收益。
- 风险
- HBM规格变化可能对过程控制需求造成压力。
- Applied Materials (AMAT), Lam Research (LAM) and KLA (KLA)SPE OEM和过程控制可比公司。
- 优势
- 受益于广泛的WFE支出;AMAT和LAM的库存周转天数接近周期低位。
- 劣势
- 相对AEIS/MKS存在显著估值溢价。
- 对比
- AMAT/LAM/KLA相对AEIS/MKS的估值溢价为64%,而历史平均为8%。
- 风险
- AI部署放缓或HBM工艺强度变化可能影响需求。
- Tokyo Electron (TEL)Intel WFE增长的潜在受益者。
- 优势
- 历史显示TEL是Intel WFE的最大受益者;其在CY22 Intel资本开支中的份额为10.3%。
- 劣势
- 随着Intel制造战略变化,供应商份额可能重组。
- 对比
- TEL的CY22 Intel资本开支份额与AMAT的10.4%接近。
- 风险
- Intel供应商份额变化可能改变其获得的支出份额。
关键数据
- 2026/27年WFE预测调整+26% / +54% since December 1摩根士丹利对WFE预测的上调。
- 2026/27年DRAM WFE$53bn / $70bn2026年和2027年预测;同比分别增长70%和33%。
- 先进逻辑WFE增长72% in 2026; 50% in 2027摩根士丹利预测。
- 每单位AI资本开支对应的WFE~$7bn per $100bn of AI capex基于NVIDIA的估计;被描述为下限。
- 超大规模云厂商资本开支及算力$1.2tr and 29GW in 2027摩根士丹利互联网团队的预测,用于WFE换算。
- 2027年AI隐含WFE区间$204–242bn对比摩根士丹利的2027年$223bn预测。
- DRAM位元供应增长32% in 2026; 38% in 2027摩根士丹利预测;HBM位元增长预测为55%和57%。
- OEM相对AEIS/MKS的溢价64%对比自2019年以来8%的平均溢价。
影响与含义
摩根士丹利认为,持续强劲的WFE有利于半导体设备需求,但整体股票上行取决于AI算力部署及相关回报能够持续的更清晰证据。该行相对偏好AEIS和MKS,因为其估值折价在其看来与较低的库存去化风险不相符;而ONTO则受益于独特的份额提升逻辑。
风险
- 若因数据中心延期或信用担忧而削弱对超大规模云厂商GW部署的信心,AI基础设施股票可能持续难以获得支持。
- 若HBM路线图未推进至16层及以上,过程控制以及背面研磨和抛光面临最大的下行风险。
- 摩根士丹利不愿假设WFE预测会进一步上调,因为市场对2027–28年的预期可能已较充分。
- Intel供应商份额重新洗牌可能改变哪些设备公司获得Intel增加的支出。
后续跟踪
- 超大规模云厂商AI资本开支和算力部署能否在2027年达到模型预测的29GW。
- 2027年WFE是接近摩根士丹利的$223bn预测、$204–242bn的AI隐含区间,还是更高的市场预期。
- Intel 2027年资本开支增长及设备供应商之间的订单分配。
- DRAM提前拉动产能、位元供应增长,以及DRAM WFE是否高于摩根士丹利2027年的$70bn预测。
- HBM路线图,包括其是否会从12层或8层配置推进至16层堆叠。
- TeraFab加速和成熟逻辑复苏是否成为额外WFE需求来源。