大中华区旧存储短期趋势分化，但DDR4与传统Flash涨价仍强

概览

本报告聚焦大中华区半导体中的旧存储板块，讨论近期主流存储与传统存储价格走势分化。报告指出，市场对存储周期、云服务商自由现金流以及中国存储持仓出清的担忧导致旧存储股票估值下修，但旧制程存储供应紧张仍使DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash在3Q26具备超预期涨价能力。

核心观点

核心观点是：主流DRAM和NAND价格上涨节奏可能低于部分投资者预期，但旧存储的供需格局更紧，短期价格弹性更强。DDR4受到CSP采购意愿提升及可能签订1-2年仅锁量LTA的支撑，3Q26季度价格涨幅可能至少达到30%；SLC/MLC NAND和NOR flash也因结构性供给缺口具备强涨价动能。对GigaDevice等A股相关标的，报告认为近期持仓出清后或趋于稳定，估值下行风险已有部分释放。

分析框架

报告主要采用行业价格预测、产品供需缺口、季度价格环比变化、公司估值倍数和历史估值底部对比的方法。价格判断参考Trendforce对DRAM和NAND的预测，并结合摩根士丹利对DDR4、SLC/MLC NAND、NOR flash短期供需和客户采购行为的判断。估值支撑则通过GigaDevice股价回撤、Macronix/Nanya/Winbond的2028E BVPS倍数，以及大中华区IDM公司历史1.0x BVPS支撑位进行比较。

方法论与常识提炼

• industry_cycle存储价格周期分析

  通过DRAM、NAND、DDR4和NOR flash季度价格涨幅判断行业景气度。

  报告将主流存储和旧存储分开评估，认为主流产品涨价温和，而旧存储因供给缺口和客户采购需求更紧，短期价格弹性更强。

• 估值方法BVPS倍数下行支撑

  以2028E BVPS倍数评估大中华区IDM存储公司的估值底部。

  报告指出Macronix、Nanya、Winbond分别交易在1.5x、1.2x、1.2x 2028E BVPS，而历史上1.0x通常是大中华区IDM公司的强下行支撑位。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• GigaDevice Semiconductor Beijing Inc (603986.SS)

  旧存储与利基存储相关A股标的，报告重点讨论其公告、估值回撤和价格周期影响。

  优势

  DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash结构性供给缺口有望支撑短期价格上涨；股价已大幅回调，估值存在一定支撑。

  劣势

  作为设计公司，P/E底部较难判断；公司公告提示利基存储产品未来可能大幅降价。

  对比

  报告将其与Macronix、Nanya、Winbond等大中华区存储公司进行估值支撑比较，后者交易在1.5x/1.2x/1.2x 2028E BVPS。

  风险

  若利基存储价格下行提前发生，或CSP采购需求减弱，短期涨价逻辑可能受损。

• Macronix International Co Ltd

  大中华区旧存储可比公司，用于BVPS估值支撑比较。

  优势

  受益于旧存储价格上涨和行业供需紧张。

  劣势

  估值仍受存储周期波动影响。

  对比

  交易在约1.5x 2028E BVPS，高于报告提到的1.0x历史下行支撑位。

  风险

  若价格周期转弱，估值倍数可能压缩。

• Nanya Technology Corp.

  DRAM相关可比公司，用于旧存储周期和BVPS估值比较。

  优势

  DDR4价格上涨可能改善短期盈利预期。

  劣势

  主流DRAM涨价预期相对温和，周期敏感度高。

  对比

  交易在约1.2x 2028E BVPS，接近但仍高于历史强支撑位。

  风险

  DRAM价格涨幅不及预期或需求放缓。

• Winbond Electronics Corp

  旧存储可比公司，受DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash周期影响。

  优势

  传统Flash和DDR4价格上涨对短期盈利形成支持。

  劣势

  业务对存储价格周期敏感。

  对比

  交易在约1.2x 2028E BVPS，接近历史支撑区间。

  风险

  若供给缺口收敛或需求转弱，价格弹性可能下降。

关键数据

• 3Q26传统DRAM混合价格预测+13-18% Q/Q来源为Trendforce预测，报告认为低于部分投资者此前预期。
• 3Q26 PC DDR5价格预测+15-20% Q/QTrendforce对PC DDR5的季度价格预测。
• 3Q26 server DDR5价格预测+13-18% Q/QTrendforce对服务器DDR5的季度价格预测。
• 3Q26 mobile LPDDR5(X)价格预测+8-13% Q/QTrendforce对移动端LPDDR5(X)的季度价格预测。
• 3Q26 NAND价格预测+10-15% Q/QTrendforce对NAND整体价格的季度预测。
• 4Q26传统DRAM价格预测+3-8% Q/QTrendforce对4Q26传统DRAM的预测。
• 4Q26 NAND价格预测0-5% Q/QTrendforce对4Q26 NAND的预测。
• 3Q26 DDR4价格判断季度涨幅至少30%报告认为DDR4月度涨价可超过20%，CSP可能提高报价并寻求1-2年仅锁量LTA。
• 3Q26 SLC/MLC NAND价格判断+50-60% Q/Q报告继续预期旧制程NAND价格大幅上涨。
• 3Q26 NOR flash价格判断+30-40% Q/Q报告认为NOR flash同样受结构性供给缺口支撑。
• GigaDevice股价回撤较6月29日高点Rmb840回调45.6%报告认为这一回调提供一定估值支撑。
• 603986.SS当前价格Rmb104.23覆盖表列示价格日期为2026-07-27。

影响与含义

对投资含义而言，旧存储股票短期可能受益于DDR4、SLC/MLC NAND和NOR flash价格强劲上涨，尤其是供给缺口明确、客户补库存意愿较强的细分领域。对A股相关标的，前期估值下修和持仓出清可能降低进一步下行压力，但长期仍需关注利基存储价格下行风险是否兑现。

风险

• 主流DRAM和NAND价格涨幅低于部分投资者此前预期，可能压制行业情绪。
• GigaDevice公告提示利基存储产品未来可能出现大幅价格下跌。
• CSP自由现金流担忧可能影响客户采购节奏和估值偏好。
• 中国存储相关股票持仓出清若延续，短期股价仍可能承压。
• 旧存储涨价若无法持续，2028E BVPS估值支撑可能不足以抵消盈利预期下修。

后续跟踪

• 3Q26 DDR4月度涨价是否持续超过20%。
• CSP是否与供应商签订1-2年仅锁量LTA。
• SLC/MLC NAND在3Q26是否兑现50-60%环比涨价。
• NOR flash在3Q26是否兑现30-40%环比涨价。
• 4Q26传统DRAM和NAND涨价是否如Trendforce预测般放缓。
• GigaDevice利基存储降价风险是否从长期预期转为短期现实。
• A股存储板块持仓出清是否趋于稳定。