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韩国3月多芯片存储出口强劲,指向 Samsung 与 SK hynix 1Q26 HBM 收入环比中双位数增长

机构
Bernstein
日期
2026-04-21
作者
Mark Li; Edward Hou, CFA; Yipin Cai, CFA
公司
Samsung Electronics Co Ltd; SK Hynix Inc; Micron Technology Inc; KIOXIA Holdings Corp
代码
005930.KS; 000660.KS; MU; 285A.JP
行业
半导体;存储器;HBM
评级
Samsung Electronics: Outperform; SK hynix: Outperform; Micron: Outperform; KIOXIA: Underperform
中性信心弱3月韩国多芯片存储出口继续走强,指向 Samsung 与 SK hynix 1Q26 HBM 收入环比中双位数增长;HBM需求强劲且价格相对传统存储更稳定。
作者Mark Li; Edward Hou, CFA; Yipin Cai, CFA
目标价Samsung Electronics common: KRW 225,000; Samsung preferred: KRW 191,250; Samsung ADR: US$3,888; SK hynix: KRW 1,150,000; Micron: US$510; KIOXIA: JPY 17,000
覆盖区域亚太
资产类别权益/股票
业务部门HBM、DRAM、NAND、传统存储器、先进封装
研究机构部门/子公司Bernstein(其他)、Société Générale(其他)、AllianceBernstein, L.P.(其他)

AI 摘要卡

韩国3月多芯片存储出口强劲,指向 Samsung 与 SK hynix 1Q26 HBM 收入环比中双位数增长

Bernstein 认为,3月韩国出口数据验证 HBM 需求仍强,Samsung 1Q26 HBM 收入大致符合预期,SK hynix 则可能显著好于模型预测。

Samsung Electronics:Outperform,目标价 KRW 225,000;SK hynix:Outperform,目标价 KRW 1,150,000;Micron:Outperform,目标价 US$510;KIOXIA:Underperform,目标价 JPY 17,000。
HBM韩国出口跟踪Samsung ElectronicsSK hynixAI存储需求传统存储涨价Malaysia出口监测
  • 3月韩国对台湾和马来西亚多芯片存储出口达 US$4.2B,环比增长14%,同比增长94%,1Q26整体环比增长15%。
  • Samsung 相关的 South Chungcheong 出口1Q26环比增长19%;回归模型指向 Samsung 1Q26 HBM 收入约 US$3.9B、环比增长17%,与Bernstein预测一致。
  • SK hynix 相关的 North Chungcheong 与 Icheon 出口1Q26环比增长13%;回归模型指向 1Q26 HBM 收入约 US$6.6B、环比增长16%,明显好于Bernstein原先预测的环比下降20%。
  • HBM每重量出口价值仅小幅上升,尚未显示 HBM4 价格或量级对整体数据产生明显影响;HBM价格相对传统存储价格波动更具隔离性。
  • 马来西亚出口从2月高位回落但仍约 US$0.6B,主要由 Samsung 贡献,值得继续观察其与 Intel EMIB 和先进封装需求的关系。

研报解读

概览

本报告用韩国海关与KITA的多芯片存储出口数据跟踪 Samsung 和 SK hynix 的 HBM 收入趋势。Bernstein认为,3月数据在2月强势基础上进一步改善,1Q26 HBM出口表现好于预期:Samsung 与模型基本一致,SK hynix 则显示明显上修空间。报告同时讨论 HBM价格、传统存储涨价、台湾与马来西亚出口目的地、以及未来 HBM4 份额变化。

核心观点

核心观点是:第一,韩国对台湾和马来西亚的多芯片存储出口是 Samsung 与 SK hynix 当季 HBM 收入的较好领先指标;第二,3月出口继续增强,支持1Q26 HBM收入环比中双位数增长;第三,Samsung 在 HBM4 位置改善,未来随 HBM4 放量可能逐步获得份额;第四,SK hynix 2月和3月出口显著修复,可能受 Rubin 延迟导致部分订单转向 Blackwell 与 HBM3E 的影响;第五,传统存储价格短期继续强于预期,但可能在1H27见顶并在2H27至2028年逐步正常化。

分析框架

报告采用月度韩国出口数据、来源地、目的地和每重量出口价值作为代理变量,分别映射 Samsung 的 South Chungcheong 出口以及 SK hynix 的 North Chungcheong 与 Icheon 出口,并用历史回归关系估算 HBM季度收入。分析还比较台湾、马来西亚、香港、中国大陆等目的地的出口价值和每重量价值,以判断哪些地区更可能对应 HBM,而非手机DRAM或NAND封装。

方法论与常识提炼

  • 高频数据跟踪韩国多芯片存储出口代理 HBM 收入

    以韩国对台湾和马来西亚的多芯片存储出口作为 Samsung 与 SK hynix HBM 收入的先行指标。

    报告认为这些出口与两家公司 HBM 收入高度相关,因为台湾主要对应 CoWoS 封装链,马来西亚可能与高端封装相关。

  • 公司映射出口来源地映射

    South Chungcheong 对应 Samsung,North Chungcheong 与 Icheon 对应 SK hynix。

    Samsung HBM封装主要位于 South Chungcheong;SK hynix HBM出口几乎全部来自 North Chungcheong 与 Icheon。

  • 价格代理每重量出口价值

    用 value per weight 方向性观察 HBM ASP 与产品组合变化。

    HBM单位重量价值较高,因此每重量出口价值上升可提示价格、代际或HBM占比变化,但报告强调该指标只适合方向判断,不能精确估算价格。

  • 回归估算历史出口与 HBM 收入回归

    用历史出口与公司 HBM 收入关系估算1Q26收入。

    Samsung回归估算为约 US$3.9B、环比增长17%;SK hynix回归估算为约 US$6.6B、环比增长16%。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • Samsung Electronics Co Ltd / 005930.KS
    核心受益标的;South Chungcheong出口是其 HBM 收入代理。
    优势
    1Q26 HBM收入预计约 US$3.9B、QoQ +17%;马来西亚出口主要来自 Samsung;HBM4 位置改善,未来可能获得份额。
    劣势
    HBM4初期量仍小,尚未明显反映在每重量价值中。
    对比
    相对 SK hynix,近期每重量价值趋势更偏正面,且报告认为 Samsung 在 HBM4 上正在追赶甚至领先。
    风险
    若 HBM包装迁出韩国或在韩国本土被消化,出口数据会低估真实出货;若存储价格周期提前结束,目标价承压。
  • SK Hynix Inc / 000660.KS
    核心受益标的;North Chungcheong与Icheon出口是其 HBM 收入代理。
    优势
    2月和3月出口强劲,回归指向1Q26 HBM收入约 US$6.6B、QoQ +16%,显著好于模型。
    劣势
    每重量价值自2025年中以来偏下行或持平;报告认为 Samsung 可能在 HBM4 上逐步抢占份额。
    对比
    1Q26短期收入上修弹性强于 Samsung,但中期 HBM4 份额竞争压力更突出。
    风险
    HBM3E新合约价格下跌约20% QoQ;若订单转移只是短期 Rubin 延迟效应,持续性需验证。
  • Micron Technology Inc / MU
    全球存储景气受益标的。
    优势
    HBM需求与传统存储涨价共同支撑行业盈利,Bernstein维持 Outperform。
    劣势
    报告主体数据主要跟踪韩国出口,对 Micron 的直接验证较少。
    对比
    与 Samsung、SK hynix相比,本报告对 Micron 的结论更多来自全球存储周期判断而非韩国出口代理数据。
    风险
    传统存储价格若在1H27后见顶并回落,盈利弹性可能减弱。
  • KIOXIA Holdings Corp / 285A.JP
    存储行业覆盖标的,但报告维持负面看法。
    优势
    若 NAND需求强于预期、政策支持或成本下降超预期,存在上行风险。
    劣势
    Bernstein对其因中国竞争和估值保持谨慎,评级为 Underperform。
    对比
    相较 Samsung、SK hynix、Micron,KIOXIA不属于报告的结构性看多对象。
    风险
    中国存储竞争、估值压力以及价格周期变化。

关键数据

  • 3月韩国对台湾和马来西亚多芯片存储出口US$4.2B,MoM +14%,YoY +94%1Q26整体较4Q25增长15%,显示 HBM出口继续强劲。
  • Samsung 相关出口South Chungcheong 1Q26出口 QoQ +19%回归指向 Samsung 1Q26 HBM收入约 US$3.9B,QoQ +17%,与Bernstein预测一致。
  • SK hynix 相关出口North Chungcheong + Icheon 1Q26出口 QoQ +13%回归指向 SK hynix 1Q26 HBM收入约 US$6.6B,QoQ +16%,好于模型中 QoQ -20% 的预测。
  • 韩国全部多芯片存储出口3月 US$8.6B,MoM +27%,QoQ +39%增长可能主要受传统存储价格上行推动;台湾和马来西亚占总出口49%。
  • 马来西亚出口3月约 US$0.6B较2月高位回落,但仍高于去年11月和12月水平,且主要由 Samsung 贡献。
  • HBM价格信号每重量出口价值 MoM 小幅上升尚未显示 HBM4 明显放量或提价信号;HBM价格相对传统存储价格波动更稳定。

影响与含义

报告对存储板块的含义偏正面。对 Samsung 而言,1Q26表现符合预期,且马来西亚出口和 HBM4 进展支持其客户认可度与份额改善。对 SK hynix 而言,1Q26 HBM收入存在上修空间,短期数据好于模型。对 Micron,行业 HBM 与存储需求强劲构成支持。对 KIOXIA,Bernstein仍因中国竞争和估值保持谨慎。宏观层面,AI项目增加继续支撑 HBM需求,但传统存储价格未来可能在供给释放和需求破坏下逐步回归正常。

风险

  • 韩国出口数据无法捕捉 Samsung 或 SK hynix 若将 HBM封装迁出韩国后的出货。
  • 若 HBM在韩国本土被进一步封装进其他产品,出口数据也无法反映该部分需求。
  • HBM每重量出口价值只能方向性提示价格与组合变化,不能精确估算 ASP。
  • 传统存储价格若因需求转弱或供给增加提前见顶,将削弱存储板块盈利和估值。
  • 中国在存储尤其是 NAND 的进展可能带来竞争压力。
  • SK hynix近期强劲可能受 Rubin 延迟和订单短期转移影响,持续性仍需观察。

后续跟踪

  • 4月及后续韩国对台湾和马来西亚多芯片存储出口是否延续高位。
  • South Chungcheong、North Chungcheong 与 Icheon 三地出口是否继续覆盖几乎全部 HBM相关出口。
  • 马来西亚出口是否继续维持约 US$0.5B-0.6B 月度量级,以及是否与 Intel EMIB 和先进封装产能相关。
  • HBM4开始出货后是否带动每重量出口价值明显上行。
  • Samsung 是否在 HBM4 放量阶段持续获得份额。
  • 传统存储价格在2Q26后是否继续超预期,以及是否在1H27附近见顶。
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