SEMICON China 2026调研显示中国半导体设备景气度仍偏强
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SEMICON China 2026调研显示中国半导体设备景气度仍偏强
UBS在SEMICON China 2026走访24家公司后认为，2026年起中国存储尤其DRAM资本开支上行、晶圆厂设备国产化加速，以及AI推动后道封装测试需求，是行业主要增量。
- 中国存储产能扩张在2026年可能达到约120-140kwpm，且多数增量来自DRAM，2027年仍可能继续显著增加。
- 中国WFE厂商预计DRAM晶圆厂国产化率加速提升，CXMT上海厂基线自给率目标被提及为30-40%或更高。
- AI正在改变后道封装和测试需求，2.5D、HBM TCB、handler、tester、prober、热管理和功率半导体测试均受益。
- UBS认为NAURA、AMEC和ACMR年初以来回调提供布局机会，并对NAURA、AMEC、ACMR和Changchuan维持Buy评级。
研报解读
概览
本报告为UBS对SEMICON China 2026上海巡展后的行业纪要，覆盖24家公司，范围包括晶圆厂设备、后道设备、半导体零部件、原材料和OSAT。核心结论是中国半导体供应链对2026年及以后存储资本开支更乐观，DRAM扩产和国产化加速成为前道设备主线，同时AI相关先进封装、测试时长增加、热管理复杂化和功率半导体测试需求推动后道设备景气度上升。
核心观点
报告认为，中国半导体设备长期增长逻辑未变。存储方面，2026年中国综合存储产能扩张可能约120-140kwpm，主要来自DRAM，且2027年有进一步显著增加的可能；逻辑方面，上海和北京先进节点扩产按计划推进，但其他地区可见度有限。国产化方面，DRAM晶圆厂、SPM清洗、高选择比刻蚀、ALD、量测和检测设备均出现进展。后道方面，AI推动2.5D先进封装、HBM TCB、handler、tester、prober和热管理设备需求，部分传统封装也受海外龙头产能紧张外溢带动。
分析框架
UBS通过公司和专家会议、展台走访、行业反馈以及近期SPE进口数据分析，交叉验证中国晶圆厂资本开支、设备国产化、后道封装测试和材料零部件需求趋势，并结合公司管理层交流总结细分环节机会。
方法论与常识提炼
供应链反馈与公司管理层交流
报告基于24家公司和专家交流，覆盖前道设备、后道设备、零部件、材料和OSAT，用于判断资本开支、国产化和AI需求变化。
市盈率倍数估值
报告说明对AMEC、NAURA、ACMR和Changchuan采用PE倍数估值。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- NAURA前道设备受益标的
- 优势
- 高端ICP刻蚀NMC612H发布，在刻蚀、沉积、清洗等环节受益于DRAM扩产和国产化。
- 劣势
- 面临成熟产品竞争和市场份额压力。
- 对比
- 与AMEC、ACMR同属UBS看好的中国前道设备公司。
- 风险
- 地缘政治限制、WFE需求低于预期、竞争加剧导致份额损失。
- AMEC前道刻蚀和MOCVD设备受益标的
- 优势
- 发布ICP刻蚀、高选择比刻蚀、Smart RF Match和Micro LED MOCVD；Primo Angnova可用于<5nm先进存储，Primo Domingo可用于GAA、3D NAND和DRAM等3D IC制造。
- 劣势
- 成熟产品竞争可能影响毛利率。
- 对比
- 报告称公司对2026和2027年中国晶圆厂资本开支保持乐观。
- 风险
- 地缘政治、WFE需求走弱、刻蚀竞争加剧、新产品开发慢于预期、核心管理和研发人员流失。
- ACMR清洗设备受益标的
- 优势
- 管理层重申中国清洗设备长期60%份额目标，SPM清洗在关键国内客户取得进展，2026年有望成为重要增长驱动。
- 劣势
- 清洗设备市场竞争可能加剧。
- 对比
- 与NAURA、AMEC共同受益于中国WFE国产化。
- 风险
- 地缘政治限制、WFE需求低于预期、清洗设备份额损失、新产品开发周期更长。
- Changchuan后道ATE受益标的
- 优势
- 报告将其列为后道设备Buy评级标的，受益于AI、先进封装和测试需求上升。
- 劣势
- 国内ATE市场竞争激烈，ASP和利润率可能承压。
- 对比
- 在后道设备链中与handler、tester、prober供应商共同受益。
- 风险
- 2026年半导体周期回调、国内ATE竞争加剧、公司治理问题。
- Piotech沉积和先进封装设备供应商
- 优势
- ALD、PECVD、Gap-fill和3D IC产品支持先进逻辑、先进存储、HBM、3D DRAM和先进封装。
- 劣势
- 多产品研发需要持续投入。
- 对比
- 与Lead Micro同受益于ALD设备国产化和先进节点需求。
- 风险
- 新产品验证不及预期、研发费用压力、客户扩产节奏变化。
- OSAT和后道设备链AI需求受益资产组
- 优势
- AI带来更长测试时间、更复杂热管理、2.5D和HBM TCB扩产，以及功率半导体测试需求。
- 劣势
- 部分消费电子需求受存储涨价拖累。
- 对比
- 传统封装需求还受海外龙头产能紧张外溢支撑。
- 风险
- AI产能扩张不及预期、先进封装良率改善慢、海外扩产节奏变化。
关键数据
- 走访公司数量24家公司覆盖WFE、后道设备、半导体零部件和原材料。
- 2026年中国存储产能扩张约120-140kwpm行业共识显示多数增量来自DRAM。
- CXMT上海厂国产化目标30-40%或更高针对基线设备自给率的行业反馈。
- 此前国产化率15-20%报告称DRAM晶圆厂国产化较此前水平加速。
- Jingce订单Rmb433m、Rmb571m、过去12个月累计Rmb773m涉及存储客户和领先逻辑客户的量测、OCD和e-beam订单。
- E-Town干法去胶中国份额70-80%公司口径。
- 先进节点WFE投资强度成熟节点的2-3倍E-Town反馈。
- Sidea prober TAM中国TAM约Rmb3-4bnAccretech和TEL合计约70%市场份额。
- NSIG 12英寸硅片规划未来几年达到1.2m wpm对比2025年底850kwpm。
- NSIG SOI规划2026年底达到400kwpm对比2025年底160kwpm。
影响与含义
对投资而言，报告强化中国半导体设备链的中长期国产替代和AI后道需求逻辑。前道设备受益于DRAM扩产、先进逻辑局部推进和国产化率提升；后道设备受益于AI芯片测试复杂度提升、先进封装扩产和光模块升级；材料及零部件受益于本土晶圆厂供应安全需求和设备OEM国产供应链切换。短期股价回调被UBS视为布局机会，但宏观、地缘政治、晶圆厂资本开支和研发进展仍是主要不确定性。
风险
- 宏观经济和终端需求弱于预期。
- 地缘政治紧张加剧，出口或供应限制扩大。
- 半导体下行周期长于预期。
- 中国晶圆厂暂停项目或资本开支低于预期。
- 中国WFE厂商研发进展慢于预期。
- 设备和材料国产化验证周期长于预期。
- 国内竞争加剧导致价格、毛利率或市场份额承压。
后续跟踪
- 2026-2027年中国DRAM和存储晶圆厂实际扩产规模。
- CXMT上海厂及其他DRAM晶圆厂国产化率是否达到30-40%或更高。
- 上海和北京先进逻辑产能扩张是否按计划推进。
- 高选择比刻蚀、ALD、SPM清洗、量测检测和过程控制设备的客户验证与订单转化。
- AI相关2.5D、HBM TCB、handler、tester、prober和热管理设备订单。
- 光模块从400G向800G/1.6T迁移带来的测试设备需求。
- 日本及美国供应链风险变化是否进一步推动中国客户转向本土设备和材料。