大摩上调DRAM设备支出预测，看好存储扩产周期
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大摩上调DRAM设备支出预测，看好存储扩产周期
摩根士丹利将2026/2027年DRAM晶圆厂设备（WFE）支出预测分别上调至486亿/625亿美元，主要受旧厂升级驱动；NAND方面因良率提升上调位元供给预测。
- 2026/2027年DRAM WFE预测上调至486亿/625亿美元，位元供给增长预测升至29%/33%。
- DRAM支出上修主要源于旧厂（brownfield）升级加速，客户正全力提前采购设备。
- NAND WFE预测微调，但受益于良率改善，2026/2027年位元供给增长预测上调至24%/31%。
- 预计美光科技（MU）2026/27财年资本支出指引可能进一步上调。
- HBM贸易比率导致2028年约27%的位元成为“损失位元”，支撑设备需求。
- 应用材料（AMAT）在逻辑架构变革中获取份额，但面临中国市场限制风险。
研报解读
概览
本报告主要更新了摩根士丹利对全球半导体存储芯片（DRAM和NAND）晶圆厂设备（WFE）支出及位元供给的预测。核心结论是显著上调DRAM领域的WFE和供给预期，主要驱动力来自客户为应对需求而提前进行的旧厂设备升级；同时微调NAND WFE预测，但因良率提升而上调其位元供给增长预期。报告认为DRAM设备支出仍有上行空间，并简要分析了应用材料等关键设备商的估值与风险。
核心观点
DRAM领域迎来显著上修。报告将2026年和2027年的DRAM WFE预测分别从446亿/571亿美元上调至486亿/625亿美元。新建产能（greenfield）预测小幅调整，而旧厂升级（brownfield）假设大幅增加，这是上修的主要动力。同时，2026/2027年DRAM位元供给增长预测从26%/32%提升至29%/33%。机构指出，DRAM WFE预测仍偏向乐观，因为客户正在竭尽全力提前支出以锁定产能。 NAND领域侧重良率驱动的供给增长。NAND WFE预测微调，2026/2027年分别为157亿/241亿美元（原为159亿/240亿美元）。虽然晶圆投入量变化不大，但机构假设了更高的良率，从而推动位元供给增长预测从21%/32%上调至24%/31%。尽管NAND WFE加速的迹象初现且不可避免，但机构认为这一趋势在短期内不会完全显现。 关键驱动因素与标的视角。HBM（高带宽内存）的贸易比率效应显著，预计2028年约27%的位元将因HBM生产过程中的损耗而成为“损失位元”，这间接支撑了对上游设备的需求。对于应用材料（AMAT），报告指出其在逻辑架构变革（如背面供电）中获取市场份额，但目前估值约为2027年预期每股收益的28倍，较拉姆研究（LAM）和科磊（KLA）存在折价，反映了对其在中国市场份额流失的担忧。
分析框架
报告采用典型的“自上而下”行业供需分析框架。首先，通过渠道调研（checks）发现DRAM设备采购正在提前，结合对美光科技（MU）资本支出指引可能上调的判断，自下而上地修正了WFE模型。其次，运用“量价拆分”与“良率分析”逻辑，区分了新建产能与旧厂升级对WFE的贡献，并特别强调了良率提升对NAND位元供给的非线性放大作用。最后，结合技术演进（如HBM导致的位元损耗、逻辑架构变革）来评估长期设备需求的结构性变化。
方法论与常识提炼
将存储芯片的总供给增长拆分为晶圆投入量（Wafer Starts）和单晶圆位元产出（Bits per Wafer，受层数、良率影响）两个维度进行分析。
研报在分析NAND时指出，虽然晶圆投入量变化不大，但通过假设更高的良率，推导出位元供给的显著增长。这种方法帮助读者理解为何设备支出（与晶圆数相关）与最终产品供给（与位元数相关）可能出现背离。
通过分析资本支出（WFE）作为供给端的先行指标，结合下游需求预期，判断行业景气度拐点。
报告通过上调WFE预测，暗示供给端正在积极扩张，且客户“全力提前支出”表明需求端强劲。这种供需匹配的分析是判断半导体周期位置的核心方法。
使用市盈率（PE）倍数对比同行业不同公司的估值水平，并结合增长前景解释折溢价原因。
报告指出AMAT的2027年预期PE为28倍，相比LAM和KLA存在6倍和5倍的折价，并将其归因于对中国市场份额流失的担忧。这展示了如何用相对估值法结合具体风险因素来解释股价表现。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- Applied Materials Inc. (AMAT.O)受益标的，作为全球领先的半导体设备商，将从DRAM和逻辑芯片的设备支出增长中获益。
- 优势
- 在逻辑架构变革（如背面供电）中获取市场份额；DRAM业务增长前景良好。
- 劣势
- 面临中国市场设备和服务出口广泛限制的风险；在关键客户（三星、台积电）处可能存在份额流失风险。
- 对比
- 估值较LAM和KLA存在折价，反映了市场对其中国业务风险的担忧。
- 风险
- 对华出口限制加剧；关键客户份额流失。
关键数据
- 2026年DRAM WFE预测486亿美元从446亿美元上调，主要受旧厂升级驱动
- 2027年DRAM WFE预测625亿美元从571亿美元上调
- 2026年DRAM位元供给增长29%从26%上调
- 2027年DRAM位元供给增长33%从32%上调
- 2026年NAND WFE预测157亿美元从159亿美元微调
- 2027年NAND WFE预测241亿美元从240亿美元微调
- 2028年HBM导致的位元损耗比例约27%因HBM贸易比率导致的“损失位元”
影响与含义
对半导体设备行业而言，DRAM支出的上修意味着2026-2028年行业平均WFE将达到580亿美元的高位，利好头部设备制造商。对于存储芯片厂商，激烈的产能竞赛和良率提升将决定其市场地位，美光科技等厂商的资本支出指引成为关键跟踪指标。报告提示，虽然NAND WFE加速是必然趋势，但投资者需耐心等待其财务表现的兑现。
风险
- 对华设备发货和服务的广泛限制。
- 应用材料在关键客户（如三星、台积电）处失去市场份额。
后续跟踪
- 美光科技（MU）2026/27财年资本支出指引是否上调。
- DRAM客户设备采购提前的持续性及规模。
- NAND良率改善的实际进度及其对位元供给的影响。