封装基板5月出货额创历史新高,Intel EMiB-T推进先进封装竞争
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封装基板5月出货额创历史新高,Intel EMiB-T推进先进封装竞争
野村指出,日本封装基板5月出货额同比增长36%至¥27.8bn,叠加Intel EMiB-T供电性能改善,先进封装生态竞争正在升温。
- 5月封装基板出货额达¥27.8bn,同比增长36%,超过3月¥27.3bn的前高。
- 出货面积同比增长10%,平均单价同比增长23%至¥1.356mn/m²,高于4月创下的¥1.226mn/m²前高。
- 报告判断Rubin相关封装出货将在今年夏季、最晚约8月开始真正放量,目前已在逐步增加。
- Intel EMiB-T通过TSV、power mesh层和MIM电容改善封装内供电网络,论文称电压下降改善68%-80%。
研报解读
概览
本报告聚焦日本电子零部件中的半导体封装基板与先进封装技术进展。核心信息包括:5月封装基板月度出货额创历史新高,价格与面积同步增长;同时,Intel在ECTC披露EMiB-T技术细节,显示其在不使用interposer的2.5D封装路线中改善供电能力,可能强化与TSMC在quad-die和HBM4相关先进封装上的竞争。
核心观点
报告认为,封装基板需求正在从4月放缓后恢复并创新高,Rubin封装出货可能在夏季实质放量。技术路线方面,市场对Rubin Ultra从四颗die改为两颗die的看法升温,也有观点认为Feynman可能采用两个模块、每个模块两颗die的3D堆叠结构。由于大尺寸interposer与HBM4布线复杂度提高,报告认为采用interposer的领先封装厂商可能在大尺寸interposer可见度提升前,更多依赖结合3D堆叠与2.5D封装的3.5D路线。
分析框架
报告主要结合日本生产动态调查中的封装基板月度统计、单价与面积变化,以及Intel在ECTC发布的EMiB-T技术论文,对先进封装供需趋势和技术竞争格局进行判断。
方法论与常识提炼
通过金额、面积和单位面积价格同时观察需求强度与产品组合变化。
报告使用5月封装基板出货额、m²出货量和平均价格/m²,判断行业在4月放缓后恢复并创下新高。
比较TSMC与Intel在先进封装中的供电、散热、CPO和3D堆叠能力。
报告将EMiB-T的TSV、power mesh和MIM电容视为Intel改善封装内供电问题的证据,并关注其是否能建立类似TSMC 3DFabric Alliance的生态。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。
- 封装基板本报告的核心行业资产和月度统计对象。
- 优势
- 5月出货额、出货面积和平均单价均同比增长,出货额创历史新高。
- 劣势
- 4月曾出现放缓,需求节奏仍需观察后续月份是否持续。
- 对比
- 5月¥27.8bn出货额超过3月¥27.3bn前高;平均单价¥1.356mn/m²高于4月¥1.226mn/m²前高。
- 风险
- 若AI加速器封装拉货节奏延后,或客户技术路线变化,可能影响后续出货动能。
- Intel EMiB-T先进封装技术路线和潜在竞争变量。
- 优势
- 通过TSV、power mesh和MIM电容改善封装内供电,且不依赖interposer。
- 劣势
- 报告仍以技术论文和量产准备判断为主,商业放量和客户采用仍需验证。
- 对比
- 相较传统EMiB,论文称EMiB-T供电网络电压下降改善68%-80%;相较TSMC,Intel仍需建立类似生态体系。
- 风险
- 量产进度、生态伙伴、散热、CPO和3D堆叠能力均可能影响追赶速度。
- TSMC advanced packaging先进封装竞争中的既有领先者和对标对象。
- 优势
- 报告认为TSMC在封装基板内供电和散热管理方面具有强竞争优势,并受益于3DFabric Alliance生态。
- 劣势
- 更大尺寸interposer与HBM4结合可能面临技术难度。
- 对比
- Intel可能通过EMiB-T改善供电问题并快速追赶;TSMC可能阶段性依赖结合3D堆叠与2.5D的3.5D路线。
- 风险
- 若Intel生态建设和客户导入加速,TSMC在quad-die先进封装中的竞争压力可能上升。
关键数据
- 5月封装基板出货额¥27.8bn同比增长36%,超过3月¥27.3bn的历史前高。
- 5月封装基板出货面积+10% y-y按m²计的出货量同比增长。
- 5月平均单价¥1.356mn/m²同比增长23%,高于4月¥1.226mn/m²的前高。
- Intel EMiB-T量产准备2026报告预计Intel将在2026年完成8倍reticle尺寸、四颗die产品的量产准备。
- EMiB-T封装基板尺寸120x120mm报告称该封装最多可集成12个HBM4。
- EMiB-T供电网络改善68%-80%Intel论文称相较EMiB,EMiB-T封装内供电网络的电压下降改善68%-80%。
影响与含义
若封装基板出货继续维持高位,先进AI加速器封装链条的需求能见度将提升。技术层面,Intel EMiB-T改善供电问题可能使其在不使用interposer的2.5D封装路线中更具竞争力,并对TSMC既有3DFabric生态形成追赶压力。与此同时,大尺寸interposer与HBM4结合的技术难度可能推动行业阶段性采用3.5D封装路线。
风险
- Rubin Ultra、Feynman等AI加速器封装架构可能继续变化,影响封装基板需求结构。
- 大尺寸interposer与HBM4结合存在技术难度,可能拖累部分先进封装路线推进。
- Intel EMiB-T仍需验证量产、客户采用和生态建设进度。
- 月度统计存在波动,5月创高不必然代表后续月份持续上行。
后续跟踪
- Rubin封装出货是否在夏季、最晚约8月开始明显放量。
- 后续封装基板出货额、出货面积和平均单价是否延续5月强势。
- Rubin Ultra是否从四颗die架构调整为两颗die架构,以及Feynman是否采用两个3D堆叠模块结构。
- Intel EMiB-T在Google等加速器客户中的采用进展。
- TSMC与Intel在供电、散热、CPO和3D堆叠生态上的合作伙伴扩张。