高盛:内存超级周期开启,上调三星/海力士目标价,升级铠侠
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高盛:内存超级周期开启,上调三星/海力士目标价,升级铠侠
高盛认为本轮内存上行周期因AI需求、供给受限及长期协议而显著长于以往,预计供需紧张将持续至2028年,据此大幅上调三星与SK海力士目标价并重申买入,同时升级铠侠至买入。
- 预计2027年DRAM/NAND/HBM供需比2026年更紧,短缺延续至2028年
- HBM ASP将在2027年追赶传统DRAM,带动HBM TAM在2027年翻倍至1160亿美元
- SK海力士估值方法由P/B切换为P/E,目标价上调94%至350万韩元
- 三星电子目标价上调50%至48万韩元,隐含约9倍前瞻P/E
- 铠侠获升级为买入,目标价9.3万日元,受益于NAND价格“高位更久”
- 长期协议(LTA)增强盈利可见性,降低周期性波动风险
研报解读
概览
本篇研报的核心结论是:存储芯片行业正经历一轮不同于以往的“高位更久”超级上行周期,其持续性将至少延续至2028年。高盛基于AI驱动的需求结构性变化、HBM挤占导致的供给增长放缓、以及长期协议带来的盈利稳定性三大支柱,大幅上调了三星电子和SK海力士的盈利预测与目标价,并将铠侠控股首次纳入买入评级。报告强调,市场目前仍以个位数P/E定价内存股,尚未充分反映本轮周期的高盈利可持续性与估值重塑潜力。
核心观点
需求端:AI服务器成为内存需求的核心引擎,且重要性远超2017-2018年云数据中心扩张时期。当前服务器占DRAM需求约50%、NAND需求约40%,远高于2017年的16%。随着Agentic AI扩展,大模型对KV Cache和高带宽内存的依赖使内存从辅助组件变为性能瓶颈,即便HBM已大规模应用,带宽与容量仍无法满足加速器需求,这为内存需求的长期高能见度提供了坚实基础。 供给端:传统内存产能扩张速度显著慢于上一轮周期。2017-2018年三大厂商传统DRAM产能CAGR为12%,而2026-2030年预计仅为7-8%。原因在于:一是新建洁净室建设周期长达3年,短期无法快速放量;二是HBM消耗晶圆产能是传统DRAM的3-4倍,且良率爬坡难度大,大量新增产能被HBM优先占用,进一步挤压传统内存供给。预计2026-2028年传统DRAM供给CAGR仅15%,较2017-2018年的19%低4个百分点。 合同机制:长期协议正在改变行业博弈结构。客户为保障中长期供应主动寻求LTA,供应商则借此提升业务稳定性。新一代LTA包含大额预付款、违约惩罚条款及保底价格区间,绑定力度远强于历史版本。这种机制不仅增强了盈利的可预见性,还通过锁定销量帮助厂商更高效规划资本开支,从而降低未来再次出现严重过剩的风险。硅片行业的LTA案例显示,类似结构可使毛利率保持更高稳定性。 价格与盈利预测:基于上述供需判断,高盛大幅上调内存ASP预测。预计三星2026E传统DRAM ASP同比上涨326%,NAND ASP上涨283%;2027E分别再涨27%和33%。HBM ASP将在2027年实现“追赶式”上涨,同比增幅达44%,推动HBM总可寻址市场从2026年的560亿美元跃升至2027年的1160亿美元,2028年进一步增至1680亿美元。相应地,三星2026E-2028E营业利润预测上调至374万亿/530万亿/610万亿韩元,SK海力士上调至271万亿/401万亿/454万亿韩元。 估值方法论转变:鉴于盈利可持续性增强,高盛将SK海力士的估值锚从P/B切换为P/E,给予9倍目标P/E(对应2026-2027年平均EPS),得出350万韩元目标价。该倍数既匹配当前同业平均水平,也接近美光在上行周期的平均估值。对于三星,采用SOTP估值法,隐含约9倍2026-2027年平均P/E,目标价48万韩元。报告指出,若内存企业能证明其高盈利具备结构性而非纯周期性特征,估值有望向拥有护城河的成长型高毛利公司靠拢(后者通常交易于20倍P/E附近)。
分析框架
高盛的分析框架围绕“本轮周期为何不同”展开,采用历史对比法,将当前周期与2017-2018年最强上行周期进行三维度对标:需求结构、供给弹性、合同约束力。在需求侧,通过拆解服务器内存占比、AI集群Capex趋势及Token消耗增速等数据,论证AI时代内存已从通用配套品演变为算力瓶颈;在供给侧,通过洁净室可用面积、HBM晶圆消耗系数及建厂Lead Time等硬约束指标,量化产能扩张的物理上限;在合同层面,引入硅片行业LTA作为参照系,验证长期协议对平滑周期波动的有效性。最终,将这三重结构性变化转化为对ASP、TAM、OPM的定量修正,并据此调整估值范式——当盈利可见性从“脉冲式”转为“平台式”时,估值锚自然应从资产基础的P/B转向盈利能力的P/E。
方法论与常识提炼
内存周期长度与强度的结构性变化分析
传统内存周期分析关注库存与价格的短期波动,但本报告通过对比2017-2018与当前周期,识别出AI需求、HBM供给约束、LTA合同三重因素共同延长了景气高点持续时间,属于对景气拐点分析范式的深化应用,即从单纯跟踪价格信号转向评估支撑景气的底层结构是否发生质变。
HBM对传统内存产能的挤出效应量化
报告不仅定性指出HBM挤占产能,更通过‘HBM消耗晶圆量为传统DRAM的3-4倍’这一换算系数,结合洁净室分配比例,定量测算出传统内存实际可用产能增速被压缩4-5个百分点,这是供需框架中‘产品组合变化影响有效供给’的典型应用。
强周期股估值锚从P/B向P/E切换的条件判断
内存股历史上因频繁亏损只能用P/B估值,但本报告提出当LTA等机制使高盈利具备可持续性时,P/E估值变得合理。这体现了估值方法选择并非一成不变,而是取决于盈利质量与可见性的结构性改善,是对PE估值适用边界的动态校准。
AI价值链中内存环节议价能力提升
报告通过分析AI数据中心架构演变,指出内存从CPU附属品变为制约模型扩展的关键瓶颈,使其在AI价值链中的战略地位上升。这种地位变化直接转化为客户愿意签订含预付款和保底价LTA的商业现实,是价值链分析在半导体细分领域的具体体现。
市场对‘高位更久’认知滞后带来的估值修复空间
报告明确指出市场仍以个位数P/E定价内存股,说明投资者尚未充分消化本轮周期的结构性变化。这种预期差构成了估值上修的基础,属于典型的预期差分析——当基本面变化具有持久性而市场反应仍停留在旧范式时,便存在系统性重估机会。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。
- Samsung Electronics (005930.KS)最大受益者:在传统DRAM领域敞口最大,且HBM业务加速追赶
- 优势
- 传统DRAM市场份额领先;HBM在Google TPU和Nvidia HBM4中份额提升;2026E ROE预计达52%
- 劣势
- 智能手机业务受内存成本上升拖累,2026E手机OPM预计降至2%历史低点;劳工协议可能带来额外成本
- 对比
- 相比SK海力士,三星在传统DRAM短缺中弹性更大;但HBM技术进度略落后
- 风险
- 内存供需恶化;手机利润率急剧收缩;移动OLED市占率流失
- SK Hynix (000660.KS)HBM领导者,估值重塑核心标的
- 优势
- HBM市场绝对龙头;2027E HBM ASP预计同比+50%;DRAM/NAND OP margin分别维持~80%/mid-60%
- 劣势
- 2026E HBM出货量略低于预期;对单一产品线依赖度高
- 对比
- HBM技术领先三星,但传统DRAM份额较小;估值切换后上行空间更明确
- 风险
- 内存供需恶化及技术迁移延迟;终端需求疲软;三星HBM进展超预期;AI Capex下调
- Kioxia Holdings (285A.T)NAND价格‘高位更久’的直接受益者
- 优势
- 纯NAND厂商,对eSSD需求增长敏感度高;FY3/28E隐含7.8x P/E具吸引力
- 劣势
- 无DRAM/HBM业务对冲;规模小于三星/海力士
- 对比
- 相比综合型厂商,业绩弹性更集中于NAND周期;估值起点更低
- 风险
- NAND复苏不及预期;YMTC技术迭代;eSSD市场拓展受阻
关键数据
- 2026E DRAM供需缺口-5.0%较此前预测-4.9%扩大,主因服务器DRAM需求上调
- 2027E DRAM供需缺口-5.9%较此前预测-2.5%显著扩大,为历史最紧缺水平
- 2027E HBM TAM1160亿美元较此前750亿美元上调54%,主因ASP追赶传统DRAM
- 三星2026E传统DRAM ASP涨幅+326% yoy较此前+312%上调,反映供需更紧
- SK海力士2026E传统DRAM ASP涨幅+316% yoy较此前+309%上调
- 2026-2030传统DRAM产能CAGR7-8%较2017-2018年的12%低4-5个百分点
- 三星2026E营业利润预测374万亿韩元同比增长超8倍,ROE达52%
- SK海力士目标P/E倍数9x基于2026-2027E平均EPS,匹配美光上行周期均值
影响与含义
研报认为,本轮内存周期的结构性变化将使头部厂商的盈利中枢永久性上移,而非短暂脉冲。对三星而言,其在传统DRAM领域的最大敞口使其成为本轮短缺的最大受益者,同时HBM业务的加速追赶(尤其在Google TPU和Nvidia HBM4份额提升)将进一步强化盈利能力,2026E股息率有望超共识3倍。对SK海力士,估值方法切换标志着市场对其认知从“周期股”向“AI基础设施核心供应商”转变,若后续能持续兑现高盈利,估值仍有向20倍P/E靠拢的空间。对铠侠,NAND价格“高位更久”的预期直接支撑其盈利修复,升级买入反映对其周期底部确认的判断。整体而言,内存板块正从纯Beta行情转向兼具Alpha属性的配置标的。
风险
- 内存供需关系发生重大恶化
- 智能手机/PC/服务器需求疲软拖累传统内存需求
- 技术迁移延迟影响产能释放节奏
- 三星HBM业务进展超预期挤压SK海力士份额
- AI相关资本开支下调导致HBM需求不及预期
- 三星手机利润率急剧收缩
- 移动OLED市场份额流失
- 劳工协议带来的额外成本不确定性
后续跟踪
- 2027年HBM ASP是否如期实现44%同比上涨并完成对传统DRAM的价格追赶
- 长期协议的实际签约规模、预付款比例及保底价格执行情况
- 三大厂商新建洁净室投产进度及HBM产能分配比例
- AI服务器出货量及Token消耗增速是否支撑内存需求持续超预期
- SK海力士能否维持9倍P/E估值或向更高倍数演进