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高盛:内存超级周期开启,上调三星/海力士目标价,升级铠侠

机构
高盛
日期
20260531
作者
Giuni Lee, James Schneider, Shuhei Nakamura, Taeyong Lee, Daiki Takayama, Kaho Otake
公司
铠侠控股, 三星电子, SK海力士, Samsung Electronics, SK Hynix, Kioxia Holdings
代码
285A, 005930, 000660
行业
DRAM, NAND
评级
买入
看多/乐观信心强上调中期研报明确上调SK海力士和三星目标价并重申买入评级,同时将铠侠从原有评级上调至买入,核心逻辑是内存行业进入‘高位更久’的超级上行周期。
作者Giuni Lee, James Schneider, Shuhei Nakamura, Taeyong Lee, Daiki Takayama, Kaho Otake
目标价三星 W480,000;SK海力士 W3,500,000;铠侠 ¥93,000
覆盖区域日本、韩国、亚太
资产类别权益/股票
业务部门DRAM、NAND、HBM
研究机构部门/子公司Goldman Sachs (Asia) L.L.C., Seoul Branch(分支机构)、Goldman Sachs Japan Co., Ltd.(子公司/法律实体)

AI 摘要卡

高盛:内存超级周期开启,上调三星/海力士目标价,升级铠侠

高盛认为本轮内存上行周期因AI需求、供给受限及长期协议而显著长于以往,预计供需紧张将持续至2028年,据此大幅上调三星与SK海力士目标价并重申买入,同时升级铠侠至买入。

三星/海力士:买入|三星TP W480K/海力士TP W3.5mn;铠侠:买入(新)
内存周期AI服务器HBM长期协议(LTA)估值重塑三星电子SK海力士铠侠
  • 预计2027年DRAM/NAND/HBM供需比2026年更紧,短缺延续至2028年
  • HBM ASP将在2027年追赶传统DRAM,带动HBM TAM在2027年翻倍至1160亿美元
  • SK海力士估值方法由P/B切换为P/E,目标价上调94%至350万韩元
  • 三星电子目标价上调50%至48万韩元,隐含约9倍前瞻P/E
  • 铠侠获升级为买入,目标价9.3万日元,受益于NAND价格“高位更久”
  • 长期协议(LTA)增强盈利可见性,降低周期性波动风险

研报解读

概览

本篇研报的核心结论是:存储芯片行业正经历一轮不同于以往的“高位更久”超级上行周期,其持续性将至少延续至2028年。高盛基于AI驱动的需求结构性变化、HBM挤占导致的供给增长放缓、以及长期协议带来的盈利稳定性三大支柱,大幅上调了三星电子和SK海力士的盈利预测与目标价,并将铠侠控股首次纳入买入评级。报告强调,市场目前仍以个位数P/E定价内存股,尚未充分反映本轮周期的高盈利可持续性与估值重塑潜力。

核心观点

需求端:AI服务器成为内存需求的核心引擎,且重要性远超2017-2018年云数据中心扩张时期。当前服务器占DRAM需求约50%、NAND需求约40%,远高于2017年的16%。随着Agentic AI扩展,大模型对KV Cache和高带宽内存的依赖使内存从辅助组件变为性能瓶颈,即便HBM已大规模应用,带宽与容量仍无法满足加速器需求,这为内存需求的长期高能见度提供了坚实基础。 供给端:传统内存产能扩张速度显著慢于上一轮周期。2017-2018年三大厂商传统DRAM产能CAGR为12%,而2026-2030年预计仅为7-8%。原因在于:一是新建洁净室建设周期长达3年,短期无法快速放量;二是HBM消耗晶圆产能是传统DRAM的3-4倍,且良率爬坡难度大,大量新增产能被HBM优先占用,进一步挤压传统内存供给。预计2026-2028年传统DRAM供给CAGR仅15%,较2017-2018年的19%低4个百分点。 合同机制:长期协议正在改变行业博弈结构。客户为保障中长期供应主动寻求LTA,供应商则借此提升业务稳定性。新一代LTA包含大额预付款、违约惩罚条款及保底价格区间,绑定力度远强于历史版本。这种机制不仅增强了盈利的可预见性,还通过锁定销量帮助厂商更高效规划资本开支,从而降低未来再次出现严重过剩的风险。硅片行业的LTA案例显示,类似结构可使毛利率保持更高稳定性。 价格与盈利预测:基于上述供需判断,高盛大幅上调内存ASP预测。预计三星2026E传统DRAM ASP同比上涨326%,NAND ASP上涨283%;2027E分别再涨27%和33%。HBM ASP将在2027年实现“追赶式”上涨,同比增幅达44%,推动HBM总可寻址市场从2026年的560亿美元跃升至2027年的1160亿美元,2028年进一步增至1680亿美元。相应地,三星2026E-2028E营业利润预测上调至374万亿/530万亿/610万亿韩元,SK海力士上调至271万亿/401万亿/454万亿韩元。 估值方法论转变:鉴于盈利可持续性增强,高盛将SK海力士的估值锚从P/B切换为P/E,给予9倍目标P/E(对应2026-2027年平均EPS),得出350万韩元目标价。该倍数既匹配当前同业平均水平,也接近美光在上行周期的平均估值。对于三星,采用SOTP估值法,隐含约9倍2026-2027年平均P/E,目标价48万韩元。报告指出,若内存企业能证明其高盈利具备结构性而非纯周期性特征,估值有望向拥有护城河的成长型高毛利公司靠拢(后者通常交易于20倍P/E附近)。

分析框架

高盛的分析框架围绕“本轮周期为何不同”展开,采用历史对比法,将当前周期与2017-2018年最强上行周期进行三维度对标:需求结构、供给弹性、合同约束力。在需求侧,通过拆解服务器内存占比、AI集群Capex趋势及Token消耗增速等数据,论证AI时代内存已从通用配套品演变为算力瓶颈;在供给侧,通过洁净室可用面积、HBM晶圆消耗系数及建厂Lead Time等硬约束指标,量化产能扩张的物理上限;在合同层面,引入硅片行业LTA作为参照系,验证长期协议对平滑周期波动的有效性。最终,将这三重结构性变化转化为对ASP、TAM、OPM的定量修正,并据此调整估值范式——当盈利可见性从“脉冲式”转为“平台式”时,估值锚自然应从资产基础的P/B转向盈利能力的P/E。

方法论与常识提炼

  • 周期与景气框架景气拐点分析

    内存周期长度与强度的结构性变化分析

    传统内存周期分析关注库存与价格的短期波动,但本报告通过对比2017-2018与当前周期,识别出AI需求、HBM供给约束、LTA合同三重因素共同延长了景气高点持续时间,属于对景气拐点分析范式的深化应用,即从单纯跟踪价格信号转向评估支撑景气的底层结构是否发生质变。

  • 行业/产业分析框架供需框架

    HBM对传统内存产能的挤出效应量化

    报告不仅定性指出HBM挤占产能,更通过‘HBM消耗晶圆量为传统DRAM的3-4倍’这一换算系数,结合洁净室分配比例,定量测算出传统内存实际可用产能增速被压缩4-5个百分点,这是供需框架中‘产品组合变化影响有效供给’的典型应用。

  • 估值方法PE/PEG 估值

    强周期股估值锚从P/B向P/E切换的条件判断

    内存股历史上因频繁亏损只能用P/B估值,但本报告提出当LTA等机制使高盈利具备可持续性时,P/E估值变得合理。这体现了估值方法选择并非一成不变,而是取决于盈利质量与可见性的结构性改善,是对PE估值适用边界的动态校准。

  • 竞争与战略框架价值链分析

    AI价值链中内存环节议价能力提升

    报告通过分析AI数据中心架构演变,指出内存从CPU附属品变为制约模型扩展的关键瓶颈,使其在AI价值链中的战略地位上升。这种地位变化直接转化为客户愿意签订含预付款和保底价LTA的商业现实,是价值链分析在半导体细分领域的具体体现。

  • 事件博弈与行为金融预期差/预期管理

    市场对‘高位更久’认知滞后带来的估值修复空间

    报告明确指出市场仍以个位数P/E定价内存股,说明投资者尚未充分消化本轮周期的结构性变化。这种预期差构成了估值上修的基础,属于典型的预期差分析——当基本面变化具有持久性而市场反应仍停留在旧范式时,便存在系统性重估机会。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • Samsung Electronics (005930.KS)
    最大受益者:在传统DRAM领域敞口最大,且HBM业务加速追赶
    优势
    传统DRAM市场份额领先;HBM在Google TPU和Nvidia HBM4中份额提升;2026E ROE预计达52%
    劣势
    智能手机业务受内存成本上升拖累,2026E手机OPM预计降至2%历史低点;劳工协议可能带来额外成本
    对比
    相比SK海力士,三星在传统DRAM短缺中弹性更大;但HBM技术进度略落后
    风险
    内存供需恶化;手机利润率急剧收缩;移动OLED市占率流失
  • SK Hynix (000660.KS)
    HBM领导者,估值重塑核心标的
    优势
    HBM市场绝对龙头;2027E HBM ASP预计同比+50%;DRAM/NAND OP margin分别维持~80%/mid-60%
    劣势
    2026E HBM出货量略低于预期;对单一产品线依赖度高
    对比
    HBM技术领先三星,但传统DRAM份额较小;估值切换后上行空间更明确
    风险
    内存供需恶化及技术迁移延迟;终端需求疲软;三星HBM进展超预期;AI Capex下调
  • Kioxia Holdings (285A.T)
    NAND价格‘高位更久’的直接受益者
    优势
    纯NAND厂商,对eSSD需求增长敏感度高;FY3/28E隐含7.8x P/E具吸引力
    劣势
    无DRAM/HBM业务对冲;规模小于三星/海力士
    对比
    相比综合型厂商,业绩弹性更集中于NAND周期;估值起点更低
    风险
    NAND复苏不及预期;YMTC技术迭代;eSSD市场拓展受阻

关键数据

  • 2026E DRAM供需缺口-5.0%较此前预测-4.9%扩大,主因服务器DRAM需求上调
  • 2027E DRAM供需缺口-5.9%较此前预测-2.5%显著扩大,为历史最紧缺水平
  • 2027E HBM TAM1160亿美元较此前750亿美元上调54%,主因ASP追赶传统DRAM
  • 三星2026E传统DRAM ASP涨幅+326% yoy较此前+312%上调,反映供需更紧
  • SK海力士2026E传统DRAM ASP涨幅+316% yoy较此前+309%上调
  • 2026-2030传统DRAM产能CAGR7-8%较2017-2018年的12%低4-5个百分点
  • 三星2026E营业利润预测374万亿韩元同比增长超8倍,ROE达52%
  • SK海力士目标P/E倍数9x基于2026-2027E平均EPS,匹配美光上行周期均值

影响与含义

研报认为,本轮内存周期的结构性变化将使头部厂商的盈利中枢永久性上移,而非短暂脉冲。对三星而言,其在传统DRAM领域的最大敞口使其成为本轮短缺的最大受益者,同时HBM业务的加速追赶(尤其在Google TPU和Nvidia HBM4份额提升)将进一步强化盈利能力,2026E股息率有望超共识3倍。对SK海力士,估值方法切换标志着市场对其认知从“周期股”向“AI基础设施核心供应商”转变,若后续能持续兑现高盈利,估值仍有向20倍P/E靠拢的空间。对铠侠,NAND价格“高位更久”的预期直接支撑其盈利修复,升级买入反映对其周期底部确认的判断。整体而言,内存板块正从纯Beta行情转向兼具Alpha属性的配置标的。

风险

  • 内存供需关系发生重大恶化
  • 智能手机/PC/服务器需求疲软拖累传统内存需求
  • 技术迁移延迟影响产能释放节奏
  • 三星HBM业务进展超预期挤压SK海力士份额
  • AI相关资本开支下调导致HBM需求不及预期
  • 三星手机利润率急剧收缩
  • 移动OLED市场份额流失
  • 劳工协议带来的额外成本不确定性

后续跟踪

  • 2027年HBM ASP是否如期实现44%同比上涨并完成对传统DRAM的价格追赶
  • 长期协议的实际签约规模、预付款比例及保底价格执行情况
  • 三大厂商新建洁净室投产进度及HBM产能分配比例
  • AI服务器出货量及Token消耗增速是否支撑内存需求持续超预期
  • SK海力士能否维持9倍P/E估值或向更高倍数演进
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