InP/Epi晶圆供给偏紧，技术壁垒与价格上行强化上游关注度

概览

本报告整理了野村于2026年6月30日举办的AI Expert Call Series #69要点，专家背景为光激光芯片领域。讨论重点包括InP晶圆和Epi外延晶圆的技术壁垒、竞争格局、供需缺口、价格变化，以及MOCVD设备和EML/CW激光芯片产出效率。整体结论是，上游材料和外延环节具有较高工艺门槛，全球头部厂商优势明显，中国厂商仍在追赶；与此同时，出口管制和大尺寸晶圆供给不足正在推升中国市场价格。

核心观点

报告的核心观点包括：第一，InP晶圆制造的关键挑战是从多晶到单晶的转换，以及表面洁净度和杂质控制；第二，Epi外延生长依赖MOCVD设备、基底晶圆质量和长期工艺积累，大尺寸外延尤其困难；第三，全球InP晶圆格局由Sumitomo Electric、JX Metal、AXT等领先，中国厂商在良率和稳定性上仍有差距；第四，Epi晶圆环节中IDM厂商相较第三方代工具备更强议价能力；第五，中国市场因大尺寸InP供给紧张，InP和Epi晶圆价格自2025年底以来明显上涨。

分析框架

报告采用专家电话会议纪要方式，围绕光激光芯片上游产业链进行定性与数据化梳理，重点比较全球与中国厂商在技术壁垒、良率稳定性、供应能力和价格趋势上的差异。

方法论与常识提炼

• 专家访谈AI Expert Call Series #69

  光激光芯片上游产业链评估

  通过与光激光芯片专家交流，提炼InP晶圆、Epi外延晶圆、MOCVD设备和EML/CW激光芯片产出相关的技术、供需和价格要点。

• 产业链分析上游材料与外延制造比较

  全球厂商与中国厂商能力差距

  从单晶拉制、表面处理、外延结构设计、设备性能、良率和工艺稳定性等维度比较全球领先厂商与中国本土厂商。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• InP晶圆

  AI光通信和激光芯片上游关键材料

  优势

  供给紧张、技术壁垒高，价格自2025年底以来明显上涨。

  劣势

  大尺寸晶圆生产难度高，对单晶拉制、清洗和表面处理要求严格。

  对比

  全球领先厂商在良率和工艺稳定性上优于中国厂商。

  风险

  出口管制、供需变化和中国本土产能提升可能改变价格趋势。

• Epi外延晶圆

  EML/CW激光芯片制造的关键中间环节

  优势

  外延结构设计和工艺know-how形成进入壁垒，价格随供给偏紧上行。

  劣势

  高度依赖MOCVD设备性能和基底InP晶圆质量，大尺寸外延难度更高。

  对比

  IDM厂商相较第三方代工厂具备更强议价能力。

  风险

  良率、封装损耗和设备产能约束可能影响实际芯片产出。

• Coherent (COHR US)

  Epi晶圆IDM相关厂商

  优势

  作为IDM厂商，专家认为其相对第三方代工厂具备更强议价能力。

  劣势

  报告未给出具体财务预测、目标价或评级覆盖。

  对比

  与IQE、Landmark等第三方代工玩家相比，IDM模式更具议价优势。

  风险

  文中标注为Not rated，投资结论需要结合其他研究与公司披露。

• Lumentum (LITE US)

  Epi晶圆IDM相关厂商

  优势

  IDM模式使其在外延晶圆环节具备一定议价能力。

  劣势

  报告未披露公司层面的盈利测算或目标价。

  对比

  与第三方代工厂相比，IDM厂商在产业链控制力上更强。

  风险

  Not rated且缺少持续覆盖假设，需关注AI光通信需求和供应链约束变化。

• 中国InP/Epi本土厂商

  国产替代与供给缺口受益方向

  优势

  中国市场存在大尺寸InP短缺和价格上涨，推动本土供应链关注度提升。

  劣势

  单晶拉制良率、工艺控制、稳定性和大尺寸Epi外延能力仍落后于全球同业。

  对比

  Yunnan Germanium、Vital Materials、Huaxing Laser、WaferChina、EPIHOUSE和Wuhan Jiufengshan Laboratory等被提及，但整体仍处追赶阶段。

  风险

  若良率和稳定性提升不及预期，国产替代兑现速度可能受限。

关键数据

• 2英寸InP晶圆中国价格从2025年底每片CNY500-600升至当前CNY850-880价格上涨由供给偏紧推动。
• 3英寸InP晶圆中国价格从2025年底CNY1800升至当前CNY32003英寸及以上大尺寸InP晶圆主要由全球厂商供应，中国客户面临短缺。
• 2英寸EML Epi晶圆价格从2025年底每片CNY40k+升至当前CNY60-70kEpi外延晶圆价格同步上行。
• 3英寸CW Epi晶圆价格从2025年底CNY50k升至当前CNY70k+CW外延晶圆同样受供需偏紧影响。
• 海外2英寸Epi晶圆价格约USD10-20k/片高于中国市场每片CNY60-70k的区间。
• Aixtron G4设备EML月产出约350-400片/月专家称CW产出较EML高约20%，因CW激光所需外延生长轮次更少。
• 2英寸Epi晶圆100G EML产出理论最高约10k颗，实际约2k+颗/片实际产出受切割损耗、良率和封装损耗影响。

影响与含义

该纪要显示，AI光通信需求带动上游InP和Epi晶圆重要性提升，供给瓶颈和价格上涨可能利好具备稳定良率、成熟工艺和IDM一体化能力的厂商。对中国产业链而言，大尺寸InP晶圆和6英寸Epi外延仍处早期阶段，国产替代空间存在，但短期仍受设备、工艺和稳定性制约。

风险

• 专家访谈信息未必等同于公司正式披露，部分观点可能未经独立验证。
• InP和Epi晶圆价格上涨可能吸引新增产能，后续供需格局存在变化风险。
• 中国厂商在良率、工艺稳定性和大尺寸晶圆能力上仍存在追赶压力。
• 出口管制政策变化可能改变中国客户的供应可得性和价格路径。
• MOCVD设备性能、产能和工艺参数可能限制Epi外延扩产速度。
• 文中多家公司标注为Not rated，报告不构成个股持续覆盖或明确投资建议。

后续跟踪

• 中国客户3英寸及以上InP晶圆供给是否继续短缺。
• 2英寸和3英寸InP/Epi晶圆价格能否维持高位。
• 中国厂商单晶拉制良率、表面处理和工艺稳定性改善进展。
• 6英寸Epi外延晶圆在中国的研发和量产进度。
• MOCVD设备供给、设备性能和EML/CW产出效率变化。
• Coherent、Lumentum等IDM厂商在AI光通信需求中的议价能力和产能扩张。
• 中日出口管制及其他跨境供应链政策变化。