高盛重申 Samsung Electronics Buy：存储周期、HBM 定价和 LTA 是核心支撑

概览

本报告是高盛在 2026 年 7 月 28 日韩国存储专家网络研讨会后的纪要，并结合 Samsung Electronics 投资观点和估值方法。核心结论是存储供需仍偏紧，传统 DRAM 价格今年有望延续强劲增长，HBM 明年价格上行空间更大，LTA 的绑定条款将提升订单和价格的可见度。高盛因此重申 Samsung Electronics Buy 评级。

核心观点

第一，传统 DRAM 价格在 2026 年三季度可能出现强劲双位数环比增长，四季度在供应短缺背景下也可能继续双位数环比上涨。第二，HBM 定价明年可能因传统 DRAM 价格上升而显著抬升，高盛预计 Samsung Electronics HBM 价格同比上涨 87%。第三，LTA 的预付款、take-or-pay 和取消罚金条款增强了绑定力，服务器 DRAM 超过一半已被 LTA 覆盖。第四，中国供应商扩产积极，但良率、技术和可靠性差距意味着近中期难以成为明显威胁。第五，产能增加可能强于历史水平，但 HBM 高 trade ratio 会限制 bit growth。

分析框架

报告主要采用专家访谈纪要、行业供需判断、产品价格趋势、LTA 合同结构分析和公司估值方法相结合的方式。对 Samsung Electronics 的目标价采用 2026-2027 年 12 个月 EV/EBITDA SOTP 方法；优先股目标价则基于相对普通股 25% 折价。

方法论与常识提炼

• 估值方法EV/EBITDA SOTP

  12 个月 2026-2027E EV/EBITDA 分部加总估值

  高盛以 2026-2027E EV/EBITDA 为基础进行 SOTP 估值，得到 Samsung Electronics 普通股 12 个月目标价 W480,000。

• 估值方法Preference share discount

  优先股相对普通股折价

  优先股目标价 W360,000，基于 25% 的优先股对普通股折价，该折价来自二因子模型折价和过去 1 个月平均折价的均值。

• factorGS Factor Profile

  Growth、Financial Returns、Multiple 和 Integrated 因子画像

  Goldman Sachs Factor Profile 用增长、财务回报、估值倍数和综合指标比较个股与市场及行业同业的相对属性。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• Samsung Electronics (005930.KS)

  核心覆盖公司，受益于 DRAM、HBM 和存储价格周期

  优势

  全球大型科技公司，在存储芯片、OLED 面板、智能手机和 TV 等多个产品拥有领先市场份额；存储盈利能力强，HBM 进展改善，LTA 提供更强订单绑定。

  劣势

  HBM 高 trade ratio 可能限制 bit growth；混合键合量产良率仍需要时间。

  对比

  相较潜在中国存储供应商，Samsung Electronics 在良率、技术水平和产品可靠性上仍具领先优势。

  风险

  存储供需显著恶化、智能手机利润率急剧收缩、移动 OLED 市占率流失。

• Samsung Electronics (Pref) (005935.KS)

  同一公司优先股，估值基于相对普通股折价

  优势

  同样受益于公司存储周期和盈利改善，目标价采用普通股目标价折价法。

  劣势

  价格表现受优先股相对普通股折价变化影响。

  对比

  目标价 W360,000，对应普通股目标价 W480,000 的 25% 折价。

  风险

  与普通股共享公司基本面风险，并额外受优先股折价波动影响。

• SK Hynix Inc.

  韩国存储覆盖宇宙同业

  优势

  处于同一存储行业周期，可能同样受益于 DRAM/HBM 价格上行。

  劣势

  报告未提供该公司的单独评级、目标价或详细财务判断。

  对比

  作为 Samsung Electronics 覆盖宇宙同业，用于相对评级背景。

  风险

  同样面临存储供需和技术迭代风险。

关键数据

• 普通股目标价W480,000基于 12 个月 2026-2027E EV/EBITDA SOTP。
• 优先股目标价W360,000基于相对普通股 25% 折价。
• 普通股评级Buy高盛重申 Samsung Electronics Buy 评级。
• DRAM 价格2026 年三季度可能双位数环比增长，四季度可能继续双位数环比增长来自韩国存储专家电话会观点。
• HBM 价格预测Samsung Electronics HBM 价格明年同比 +87%高于 Bloomberg 卖方一致预期的 +52%。
• 服务器 DRAM LTA 覆盖超过一半专家预计 LTA 覆盖率未来继续提升。
• 主要下行风险存储供需恶化、智能手机利润率急剧收缩、移动 OLED 市占率流失来自报告风险披露。

影响与含义

若专家判断兑现，Samsung Electronics 的盈利弹性将主要来自存储价格继续上行、HBM 定价超预期和 LTA 提升订单可见度。对投资者而言，报告强化了 Samsung Electronics 作为韩国半导体与存储周期上行受益标的的定位，同时提示供需反转和非存储业务利润压力仍是主要风险。

风险

• 存储供需大幅恶化。
• 智能手机利润率急剧收缩。
• 移动 OLED 市场份额流失。
• HBM 或混合键合技术导入进度和量产良率低于预期。
• 中国存储供应商若缩小良率、技术和可靠性差距，可能提高竞争压力。

后续跟踪

• 2026 年三季度和四季度 DRAM 合约价与现货价环比走势。
• HBM 明年价格是否接近高盛预期的同比 +87%。
• 服务器 DRAM LTA 覆盖率、预付款、take-or-pay 和取消罚金条款的执行强度。
• Samsung Electronics HBM 客户导入、良率改善和产能扩张进展。
• 中国存储供应商扩产后的良率、技术水平和产品可靠性变化。
• 存储 bit growth 是否因 HBM 高 trade ratio 而低于历史平均。