高盛专家会纪要：看好中国存储扩产与本土 SPE 受益
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高盛专家会纪要：看好中国存储扩产与本土 SPE 受益
专家认为中国本土 DRAM 产能到 2030 年有望较当前翻倍以上，产品继续向 HBM3/3E 和 3D DRAM 演进，AI 需求支撑 2027E 存储价格继续上涨，高盛维持买入中国半导体设备链。
- 本土 DRAM 头部厂商年产能到 2030 年可能较当前水平翻倍以上，合肥、上海、北京扩产项目预计到 2028 年全面投产，2028 年后还有大型基地贡献增量。
- 新 DRAM 产能不仅使用全球一线设备，也在采用本土 SPE；部分工厂除光刻等高端设备外，主要使用本土设备。
- 本土 DRAM 产品仍落后全球同业，例如速度较慢，但随制程升级继续进展；本土龙头目标在 2026E 生产 HBM3 与 HBM3E。
- 受智能手机品牌厂商抵制成本上涨影响，专家预计 2026 年三、四季度存储涨价幅度小于 2026 年上半年；但中国及海外 AI 需求强劲，支撑 2027E 存储价格继续上涨。
研报解读
概览
本报告为高盛 2026 年 7 月 24 日举办的 China Memory Expert Webinar 纪要，讨论重点包括中国 DRAM 产能扩张、产品开发和整体存储价格趋势。专家观点与高盛对中国半导体设备的正面看法一致：本土晶圆厂与存储厂未来几年扩产，同时本土 SPE 采用率提升，预计将带动中国半导体设备公司。
核心观点
核心观点是，中国本土 DRAM 扩产周期仍在推进，行业头部厂商年产能到 2030 年可能较当前水平翻倍以上；合肥、上海、北京的产能扩张预计到 2028 年全面投产，2028 年后大型基地继续贡献本土 DRAM 供给。产品方面，本土 DRAM 供应商随制程升级持续进步，虽仍落后全球同业，但 HBM3 与 HBM3E 生产仍是本土龙头 2026E 的目标，3D DRAM 可能在 2027E 取得新进展。价格方面，2026 年下半年涨价幅度或低于 2026 年上半年，但 AI 需求强劲支撑 2027E 继续涨价。
分析框架
报告基于专家电话会议纪要，从产能、产品和价格三个维度验证中国存储产业链趋势，并将其映射到中国半导体生产设备公司受益逻辑。产能维度关注本土 DRAM 厂商扩产节点与区域布局；产品维度关注 HBM3/3E、DUV 替代路径和 3D DRAM；价格维度关注智能手机客户议价、AI 需求和全球供应商产能配置。
方法论与常识提炼
通过专家对产能、产品、价格的判断验证产业链投资观点。
高盛将专家对中国 DRAM 产能扩张、本土设备采用、HBM/3D DRAM 进展和存储价格趋势的观察，用于支持其对中国半导体设备板块的正面判断。
高盛以 Growth、Financial Returns、Multiple 和 Integrated 四类属性比较股票与市场及行业同业。
披露页说明 Growth 基于前瞻销售、EBITDA 和 EPS 增长，Financial Returns 基于 ROE、ROCE 和 CROCI，Multiple 基于 P/E、P/B、P/D、EV/EBITDA、EV/FCF 等估值指标，Integrated 为增长、回报和估值倒数的综合百分位。
高盛用 1 至 3 的 M&A rank 评估被收购概率，并在部分目标价中纳入并购因素。
披露页说明 M&A rank 1 表示 30%-50% 被收购概率，2 表示 15%-30%，3 表示 0%-15%；本报告正文未给出相关公司具体 M&A rank。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- Naura中国半导体设备受益标的；高盛列为 Buy。
- 优势
- 受益于本土晶圆厂和存储厂扩产，以及部分工厂提高本土 SPE 使用比例。
- 劣势
- 高端设备环节仍受 EUV、光刻等约束影响，部分 premium equipment 仍依赖全球一线供应商。
- 对比
- 相较全球一线 SPE，本土 SPE 在部分新 DRAM 产线中采用率提升，但在高端设备上仍存在差距。
- 风险
- 扩产节奏放缓、本土替代进展不及预期、存储价格回落或客户压价。
- AMEC中国半导体设备受益标的；高盛列为 Buy。
- 优势
- 与中国 SPE 板块一起受益于本土 DRAM 产能扩张和本土设备采用率提升。
- 劣势
- 报告未披露单公司订单、收入或产品线细节。
- 对比
- 报告将 AMEC 与 Naura、ACMR、Kematek 同列为买入中国 SPE 组合。
- 风险
- 设备国产化节奏、存储厂资本开支、技术节点迁移约束。
- ACMR / ACM Research中国半导体设备受益标的；高盛列为 Buy。
- 优势
- 受益于本土存储扩产和本土 SPE 使用比例提升。
- 劣势
- 报告未提供 ACMR 单独基本面或财务预测。
- 对比
- 披露页列示 ACM Research Buy $88.42，与其他中国 SPE 买入标的一并出现。
- 风险
- 本土 DRAM 扩产延迟、价格周期弱化、全球竞争压力。
- Kematek中国半导体设备受益标的；高盛列为 Buy。
- 优势
- 处于高盛看好的中国 SPE 组合中，受益于本土存储厂扩产。
- 劣势
- 报告未给出单公司经营数据或具体设备品类贡献。
- 对比
- 披露页列示 Kematek Buy Rmb94.60，与 Naura、AMEC、ACMR 同列。
- 风险
- 本土设备渗透率低于预期、技术升级受限、下游资本开支波动。
- 本土 DRAM 供应商本报告的产业趋势核心主体。
- 优势
- 产能扩张明确，产品随制程升级继续演进，HBM3/3E 和 3D DRAM 构成高端化方向。
- 劣势
- 产品仍落后全球同业，例如速度较慢；良率可能低于全球一线供应商。
- 对比
- 价格接近全球一线供应商，但良率可能更低；全球一线供应商短期不太可能把 HBM 产能转回传统 DRAM。
- 风险
- EUV 等设备限制、DUV 替代路径不确定、智能手机客户压价、技术进展慢于预期。
关键数据
- 会议时间2026-07-24高盛举办 China Memory Expert Webinar。
- 产能展望行业头部厂商年产能到 2030 年可能较当前水平翻倍以上专家认为合肥、上海、北京扩产到 2028 年全面投产，2028 年后大型基地继续贡献。
- 本土设备采用部分工厂除光刻等高端设备外主要使用本土 SPE新增 DRAM 产能同时使用全球一线 SPE 与本土 SPE。
- 产品目标本土龙头 2026E 目标生产 HBM3 与 HBM3E由于 EUV 等设备限制，本土厂商需要使用 DUV 或其他创新工艺开发高端产品。
- 3D DRAM 节点2027E 可能出现新的产品开发进展专家认为 3D DRAM 可能成为高端产品突破路径之一。
- 价格趋势2026 年三、四季度涨幅小于 2026 年上半年，2027E 仍有继续上涨支撑智能手机品牌厂商抵制成本上涨，但中国和海外 AI 需求仍强。
- 评级与价格信息ACM Research Buy $88.42; AMEC Buy Rmb388.50; Kematek Buy Rmb94.60; NAURA Buy Rmb757.00来自披露页的 rating and pricing information。
- 高盛全球覆盖截至 2026-07-01 覆盖 3,104 只股票；评级分布 Buy 50%、Hold 34%、Sell 16%投行业务关系比例为 Buy 65%、Hold 59%、Sell 43%。
影响与含义
该专家会强化了中国半导体设备链的中长期需求逻辑：DRAM 扩产带来设备采购需求，本土替代提升本土 SPE 渗透率，AI 需求支撑存储价格和行业资本开支可持续性。对投资映射而言，Naura、AMEC、ACMR、Kematek 被高盛列为买入标的；同时，EUV 约束、良率差距和智能手机客户压价说明产业升级仍有技术与价格阻力。
风险
- 本土 DRAM 产品仍落后全球同业，例如速度较慢，良率可能较低。
- EUV 等先进光刻设备受限，本土厂商需要依赖 DUV 或其他创新制造流程开发高端产品，技术路径存在不确定性。
- 智能手机品牌厂商对更高存储成本有抵制，可能压制 2026 年下半年价格上涨幅度。
- 如果 AI 需求放缓，2027E 存储价格继续上涨和全球供应商维持 HBM 产能配置的假设可能受挑战。
- 本土 SPE 采用率提升若低于预期，将削弱中国半导体设备公司的受益幅度。
后续跟踪
- 合肥、上海、北京 DRAM 扩产项目是否按计划到 2028 年全面投产。
- 2028 年后大型基地对本土 DRAM 供给的实际贡献。
- 本土龙头 2026E HBM3 与 HBM3E 生产目标的实现进度。
- 3D DRAM 在 2027E 是否出现产品开发新进展。
- 2026 年三、四季度存储价格涨幅是否如专家预计低于 2026 年上半年。
- 中国及海外 AI 需求是否继续支撑 2027E 存储涨价。
- 全球一线供应商是否继续维持 HBM 产能，而非转回传统 DRAM。