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存储股急跌或已告一段落,AI需求与资本回报打开战术性再入场窗口

机构
Morgan Stanley
日期
2026-08-06
作者
Shawn Kim、Ryan Kim、Duan Liu、Cindy Huang
公司
-
代码
-
行业
亚太存储半导体(DRAM、NAND、HBM)
评级
亚太行业观点:有吸引力;Samsung Electronics为Top Pick
中性信心弱维持7月回调已消化部分存储周期后段风险,估值提供战术性再入场机会;AI资本开支、HBM与DRAM瓶颈、长期协议及潜在资本回报支持中长期重估,但价格涨幅放缓、库存回升和新增供给限制短期盈利超预期空间。
作者Shawn Kim、Ryan Kim、Duan Liu、Cindy Huang
目标价多标的:SK hynix为KRW 2,600,000;Samsung Electronics为KRW 381,000;Samsung Electronics优先股为KRW 304,800
覆盖区域亚太
资产类别权益/股票
业务部门DRAM、NAND、HBM、传统存储器(DDR4、NAND SLC)、存储模组
研究机构部门/子公司Morgan Stanley(其他)、Morgan Stanley & Co. International plc(其他)、Morgan Stanley & Co. International plc, Seoul Branch(其他)、Morgan Stanley Asia Limited(其他)

AI 摘要卡

存储股急跌或已告一段落,AI需求与资本回报打开战术性再入场窗口

Morgan Stanley认为存储周期正步入后段但并未破坏AI驱动的长期逻辑,回调后的低估值、长期协议和资本回报有望成为下一阶段主要催化剂。

维持亚太存储行业“有吸引力”观点;SK hynix与Samsung Electronics目标价不变,分别隐含74%和65%的上涨空间。
半导体存储芯片人工智能资本开支DRAMNANDHBM长期协议资本回报周期后段韩国科技股
  • 存储行业本轮最剧烈的回调可能已经结束,当前估值具备战术性吸引力。
  • 2027年云资本开支增速预测由此前的14%上调至29%,超大规模云厂商仍普遍面临算力供不应求。
  • 存储价格涨幅预计自2026年第四季度开始放缓,库存回升与供给增长将降低进一步盈利超预期的概率。
  • 长期协议已由意向转向量化合同、预付款和价格下限,但市场仍需观察其能否经受下行周期检验。
  • 选股继续偏向资本开支集中及供给瓶颈最突出的环节,优先DRAM和DDR4、NAND SLC等传统存储器,而非存储模组厂。

研报解读

概览

报告将近期存储股回调视为成熟周期中的正常波折,而非AI存储需求逻辑的终结。行业预计在2026年第四季度进入周期后段,价格涨幅和盈利预测上调广度开始放缓,但AI基础设施建设仍造成DRAM、HBM及企业级存储供给紧张。随着单纯依靠价格上涨驱动盈利超预期变得困难,投资主线将逐步转向长期协议带来的盈利稳定性、自由现金流、资本纪律和股东回报。

核心观点

长期层面,AI资本开支、智能体人工智能普及以及存储对模型性能的重要性构成结构性需求,Samsung Electronics和SK hynix预计2027年盈利增长约25%至50%。短期层面,2026年7月快速去杠杆后追涨交易可能延续,但第三季度DRAM价格表现略低于此前预期,消费电子需求趋弱且渠道库存回升。当前约3倍未来十二个月市盈率反映了较强的盈利下滑预期;若AI需求延长盈利持续期,估值倍数扩张和资本回报可能成为比盈利预测上调更重要的收益来源。

分析框架

研究结合2026年第二季度业绩、管理层指引、产业链调研及价格和库存数据,分别评估AI资本开支、长期协议重估和存储周期三个支柱;同时更新DRAM、NAND、HBM价格与出货假设,并以剩余收益模型评估SK hynix和Samsung Electronics的目标价。

方法论与常识提炼

  • 行业周期与结构性需求AI支出—长期协议重估—存储周期三支柱框架

    同时检验结构性AI需求、合同化收入与传统周期变量

    AI资本开支决定长期需求强度,长期协议影响盈利可见度与资本回报,价格、库存和供给则决定短期周期位置。三个维度可以同时出现不同方向,因此强劲AI周期与传统存储下行阶段可以并存。

  • 周期判断价格二阶导数框架

    以同比价格涨幅见顶识别周期后段

    报告认为价格仍可上涨,但涨幅开始放缓意味着周期动能的二阶导数见顶,经营杠杆将更难持续跑赢价格增速,盈利预测上调广度也会随之减速。

  • 股票估值剩余收益估值模型

    基于账面价值与超额回报估算目标价

    该模型用于SK hynix和Samsung Electronics目标价评估;目标价分别对应约2.6倍和2.1倍2027年预期市净率。

  • 估值范式标准化盈利与结构性重估比较

    比较传统周期均值估值与AI驱动的更长盈利持续期

    传统存储股通常按标准化盈利估值,但若AI需求属于结构性变化而非普通周期,历史均值回归框架可能低估盈利持续时间、自由现金流和资本回报价值。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • SK hynix(000660.KS)
    AI存储和DRAM供给瓶颈的核心受益标的,目标价维持KRW 2,600,000。
    优势
    HBM领导地位、DRAM敞口较高、长期协议提升需求可见度,目标价隐含74%上涨空间。
    劣势
    2026年每股收益上调主要来自一次性资产处置收益,周期后段将降低持续盈利超预期的可能性。
    对比
    相较消费端占比较高的存储模组厂,更直接受益于AI资本开支与DRAM紧缺。
    风险
    HBM规格与定价谈判不确定、2028年新增供给、利润率均值回归及AI资本开支放缓。
  • Samsung Electronics(005930.KS)
    报告标注的Top Pick,目标价维持KRW 381,000。
    优势
    存储产能与客户基础广泛,计划将60%至70%的产能纳入长期协议,并通过价格下限和预付款降低波动。
    劣势
    消费电子和智能手机业务疲弱,存储成本压力导致2026年每股收益预测下调10%。
    对比
    业务较SK hynix更为多元,长期协议覆盖规划更明确,但消费业务拖累也更明显。
    风险
    消费需求进一步下滑、HBM竞争力不及预期、存储供给扩张及高利润率回落。
  • DRAM与HBM
    报告最偏好的存储环节,是AI基础设施建设的关键瓶颈。
    优势
    超大规模云厂商需求持续高于供给,客户积极签署长期协议,HBM仍具较强定价诉求。
    劣势
    第三季度DRAM价格涨幅低于此前预期,价格动能预计自第四季度开始减弱。
    对比
    相较存储模组和消费型产品,更直接承接数据中心资本开支。
    风险
    HBM最终规格变化、热管理限制、价格谈判失败以及2027年末至2028年新增产能投放。
  • NAND与传统存储器
    整体保持积极,其中NAND SLC及DDR4等传统产品因供给退出和短缺更受偏好。
    优势
    企业级固态硬盘需求强劲,SLC在汽车、工业、通信和边缘AI应用中严重短缺。
    劣势
    消费端NAND需求趋软,MLC和QLC面临价格上限及客户抵制。
    对比
    传统制程SLC的定价表现优于MLC,企业级产品优于消费型产品。
    风险
    YMTC等中国厂商扩产、渠道库存上升、硬盘替代及消费需求继续走弱。
  • 存储模组厂及分销商
    相对谨慎,报告明确偏好上游DRAM和传统存储器而非模组厂。
    优势
    若消费需求恢复,可受益于库存价值和出货改善。
    劣势
    约90%的终端敞口来自消费市场,库存已升至平均12.5周,采购行为趋于保守。
    对比
    相较上游存储原厂,对AI需求的直接敞口较低且更易受到渠道去库存影响。
    风险
    消费电子需求疲弱、库存继续累积、采购正常化及高价存储抑制终端销量。

关键数据

  • 2027年云资本开支增速同比增长29%此前预测为14%,在美国超大规模云厂商2026年第二季度业绩后上调15个百分点。
  • 2027年主要韩国存储企业盈利增长约25%至50%指Samsung Electronics与SK hynix的预期盈利增长,是报告中长期看多依据之一。
  • 2026年第三季度DRAM合同价格环比约上涨15%早期成交略低于此前20%的预期,价格增量动能预计向第四季度放缓。
  • 2026年第三季度NAND价格环比约上涨20%不同产品分化明显,传统制程SLC短缺程度更高。
  • PC DRAM合同价格2026年第三季度环比上涨15%至20%较第二季度45%至50%的涨幅显著放缓,买卖双方议价仍较紧张。
  • 云服务商DRAM长期协议覆盖目标至少覆盖需求的90%产业调研显示云服务商仍愿意签署长期协议,新增新型云服务商订单也在谈判中。
  • Samsung Electronics长期协议规划计划覆盖60%至70%的产能已与五家主要全球数据中心客户达成协议,另有五家客户处于最终谈判阶段,并设置预付款和主流产品最低价格。
  • SK hynix长期协议进展约10家客户已完成谈判协议通常约五年,包含更强的双向承诺、定制定价和保证金安排。
  • 渠道库存模组厂及分销商平均12.5周截至2026年第二季度末,低于上一周期15周的峰值,但非AI消费市场采购趋于保守。
  • 云服务商库存当前2.5至3个月,目标4至5个月客户仍希望建立更高安全库存,但采购节奏预计自2026年第三季度开始正常化。
  • SK hynix盈利预测调整2026年至2028年每股收益分别调整13%、-2%和1%2026年上调主要来自KRW 63.27万亿的一次性资产处置收益;目标价维持KRW 2,600,000,隐含74%上涨空间。
  • Samsung Electronics盈利预测调整2026年至2028年每股收益分别调整-10%、-2%和0%下调主要反映中国消费需求及智能手机出货和利润率走弱;目标价维持KRW 381,000,隐含65%上涨空间。

影响与含义

投资含义由追逐价格与盈利上调转向评估盈利持续性和现金回报。短期回调后的低估值支持反弹,但周期后段不利于持续获得盈利超预期;中期应优先配置直接受益于AI资本开支和供给瓶颈的DRAM、HBM及传统高短缺存储环节,并降低对消费端占比较高的模组厂依赖。若长期协议能够在下行阶段稳定价格和需求、企业进一步披露回购或其他资本回报,行业估值有望脱离传统周期均值框架。

风险

  • CXMT和YMTC等中国厂商扩产并进入更多非中国客户供应链,可能削弱长期供给纪律和回报率。
  • 2027年末至2028年全球新增晶圆厂产能投放可能缓解当前短缺,使DRAM和NAND价格下行。
  • DRAM接近90%的行业毛利率显著高于历史水平,可能因扩产、新进入者或客户转向低成本方案而均值回归。
  • AI数据中心建设最终可能放缓,超大规模云厂商在2028年前后可能因融资约束或升级周期正常化而降低资本开支。
  • 消费电子、个人电脑和智能手机需求持续疲弱,可能进一步压低价格涨幅和出货量。
  • 美国十年期国债收益率升至4.7%等利率上行因素可能压制高增长存储股估值并增加市场波动。
  • 长期协议尚未经历完整下行周期,其价格下限、采购承诺和资本回报效果仍需验证。
  • HBM的最终堆叠规格、热管理、供给与定价仍在谈判,设计变化可能影响收入和利润率预期。

后续跟踪

  • 2026年第四季度DRAM和NAND价格涨幅是否按预期继续放缓。
  • Samsung Electronics、SK hynix及其他供应商对回购、股息和资本回报计划的进一步披露。
  • 长期协议在价格下行阶段能否稳定收入、利润率和自由现金流。
  • 美国超大规模云厂商2027年资本开支是否继续高于市场一致预期。
  • HBM最终采用8-Hi还是12-Hi配置,以及对应价格和利润率谈判结果。
  • 模组厂、分销商和云服务商库存是否继续上升,以及采购节奏是否正常化。
  • CXMT、YMTC及Solidigm新增产能的融资、建设和量产进展。
  • AI企业级固态硬盘需求与消费型NAND需求之间的分化是否扩大。
  • Samsung Electronics和SK hynix在2027年至2028年的盈利增长能否抵消传统存储价格回落。
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