6月存储价格继续上涨，但3QCY26涨价动能预计放缓

概览

本报告是Bernstein针对全球存储行业的月度价格跟踪，基于TrendForce/DRAMeXchange发布的6月DRAM与NAND合约价和现货价数据，对比Bernstein模型与投资者预期。核心结论是：6月DRAM与NAND合约价仍在上涨，并继续显示2QCY26存在大幅涨价，但涨价节奏进入3QCY26将明显放缓。

核心观点

DRAM方面，传统DRAM在2QCY26的合约价涨幅仍非常强，6月合约价指向约74%的QoQ涨幅，服务器需求尤其是AI相关需求继续吸收供应商调配出的增量供给。NAND方面，晶圆价格涨幅已放缓且现货价回落，但Mobile NAND与SSD价格涨幅足以支撑整体NAND综合价格约60%的QoQ上涨。报告同时强调，当前短缺和LTA可缓冲价格修正，但消费端需求破坏最终会发生，价格涨幅将在3QCY26收窄，并可能从2HCY27至CY28逐步见顶回归正常。

分析框架

报告将TrendForce/DRAMeXchange的合约价与现货价作为主要输入，按不同应用场景和产品权重计算行业平均价格变化；DRAM样本覆盖Mobile、Server、PC和Specialty DRAM，并额外考虑HBM影响；NAND样本以eMMC/UFS和NAND wafer加权，并额外讨论SSD影响。现货价被视为合约价的领先指标，但报告也提示其噪声较高。

方法论与常识提炼

• 行业价格跟踪TrendForce/DRAMeXchange 价格跟踪

  合约价与现货价联动分析

  用月度合约价判断季度ASP方向，用现货价观察供需紧张程度和潜在合约价领先信号。

• 加权平均模型Bernstein Memory ASP Weighting Model

  按应用场景加权测算行业ASP

  DRAM平均价按Mobile、Server、PC和Specialty DRAM等需求贡献加权，并随DDR5和LPDDR5渗透率调整；NAND按eMMC/UFS与wafer加权，并额外考虑SSD。

• 供需周期分析LTA与产能周期框架

  长期协议、产能释放与需求破坏共同决定价格可持续性

  LTA可能降低价格修正冲击，但消费需求回落和新增产能上线会使价格在2HCY27至CY28逐步正常化。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• Samsung Electronics

  全球存储供应商，覆盖DRAM、NAND、HBM等业务

  优势

  评级为Outperform，目标价KRW 440,000；在服务器DRAM和存储价格上行周期中受益，LTA价格上限可能高于Micron。

  劣势

  消费电子和智能手机需求走弱可能拖累部分DRAM与NAND出货；价格涨幅进入3QCY26将放缓。

  对比

  相较Micron，TrendForce认为Samsung的LTA价格上限可能更高；相较SK hynix，Samsung在2QCY26服务器DRAM价格推动上更积极。

  风险

  需求破坏、价格正常化、HBM/服务器需求不及预期、NAND竞争加剧。

• SK hynix

  DRAM和HBM核心受益者

  优势

  评级为Outperform，目标价KRW 3,300,000；受益于AI和服务器需求，HBM相关动能强。

  劣势

  Mobile DRAM初始涨价要求低于Samsung和Micron，部分价格弹性可能较弱。

  对比

  在AI/HBM链条上具优势，但服务器DRAM合约谈判大多已在4月完成，后续涨价幅度可能受LTA约束。

  风险

  LTA价格上限、产能释放、服务器需求变化及消费端需求回落。

• Micron

  美国存储供应商，DRAM/NAND均有敞口

  优势

  评级为Outperform，目标价US$1,300.00；受益于传统DRAM和NAND综合价格大幅上涨。

  劣势

  TrendForce称Micron偏好更长合约期限，其LTA价格上限可能接近2QCY26水平，后续价格上行空间可能受限。

  对比

  相较Samsung和SK hynix，Micron的LTA上限可能更低，但美国CSP客户优先供给仍支撑需求。

  风险

  LTA封顶、3QCY26涨价放缓、NAND价格动能不足和周期见顶。

• KIOXIA

  NAND供应商

  优势

  在NAND价格上行周期中仍可受益于Mobile NAND和SSD涨价。

  劣势

  评级为Underperform，目标价JPY 40,000；报告对NAND结构性更谨慎，且中国竞争压力更突出。

  对比

  相较DRAM主导厂商，NAND供应商面临更强竞争和更弱的晶圆现货/合约价格动能。

  风险

  NAND wafer现货下跌、模块厂采购谨慎、YMTC等中国竞争、需求破坏。

• SanDisk

  NAND和SSD相关标的

  优势

  评级为Outperform，目标价US$3,000.00；SSD涨价约70%的判断支撑其盈利弹性。

  劣势

  NAND wafer价格涨幅放缓，整体NAND结构性竞争压力仍存在。

  对比

  相较KIOXIA，报告对SanDisk评级更积极，主要受益于SSD价格强劲和目标价上调背景。

  风险

  SSD需求不及预期、NAND价格正常化、中国竞争和消费端需求破坏。

关键数据

• 传统DRAM 2QCY26合约价涨幅约+74% QoQ6月合约价指向2QCY26较1QCY26大幅上涨，较5月合约价所暗示的涨幅高约10个百分点。
• PC DRAM现货价+5.6%至+11.5% MoMDDR4与DDR5 PC DRAM芯片现货价6月继续修复。
• 服务器DRAM现货价+6.1%至+26.4% MoMServer DDR5特别强，现货价仍显著高于合约价，反映市场仍短缺。
• 服务器DRAM 3QCY26预期涨幅+13%至+18% QoQ较2QCY26大幅涨价明显放缓。
• Mobile DRAM 2QCY26预期涨幅接近+80% QoQSamsung和Micron要求涨幅超过80%，SK hynix初始要求较温和。
• Specialty DRAM 2QCY26涨幅+105%至+108% QoQ传统产品供给不足，AI网络交换机、Server SSD和汽车应用带来额外需求。
• NAND wafer现货价约-3%至-4% MoM6月NAND晶圆现货价继续下跌，且晶圆只是NAND市场的一小部分。
• NAND综合合约价2QCY26涨幅约+60% QoQ样本中的wafer和eMMC/UFS合计涨约41.5%，加入SSD约70%涨幅后，综合NAND涨幅估计约60%。
• Mobile NAND 2QCY26涨幅约+75%至+80% QoQ主要受供应短缺推动，但智能手机OEM需求更谨慎。
• NAND 3QCY26涨幅预期Mobile NAND约+5%至+10% QoQ价格仍可能上涨，但涨价尝试会遭遇更多智能手机需求破坏。

影响与含义

对投资而言，短期存储价格和盈利上修仍支持主要DRAM/NAND供应商，尤其是具备服务器、HBM、SSD和LTA议价能力的厂商；但估值可持续性取决于3QCY26以后涨价放缓、消费端需求破坏、LTA价格上限和2HCY27后产能释放的节奏。报告对DRAM相对更积极，对NAND结构性更谨慎，原因是中国竞争增加及晶圆价格动能较弱。

风险

• 消费端需求破坏可能滞后但最终发生，尤其在PC、智能手机和其他消费应用中。
• 3QCY26 DRAM和NAND价格涨幅预计明显放缓，可能压制盈利上修幅度和估值倍数。
• LTA价格上限可能限制后续ASP上行，且不同供应商条款差异会影响盈利弹性。
• 2HCY27至CY28更多产能上线和LTA生效后，存储价格可能逐步见顶并正常化。
• NAND面临更强结构性竞争，尤其是来自中国厂商的竞争压力。
• 现货价噪声较高，且HBM、SSD未完全纳入样本，样本加权结果可能与公司实际公布ASP不同。

后续跟踪

• 3QCY26 DRAM合约价涨幅是否如TrendForce预期放缓至PC约15%-20%、Server约13%-18%。
• 美国CSP与中国CSP的LTA签署进度、价格上限和履约量。
• Server DDR5现货价是否继续显著高于合约价，以验证AI和服务器需求强度。
• 智能手机OEM是否继续下调产量和内存配置，以及Mobile DRAM/NAND的需求破坏程度。
• NAND wafer采购量是否继续下降，以及SSD价格强势能否抵消wafer疲弱。
• 2HCY27后新增产能上线节奏，以及存储价格从高位正常化的速度。