斯达半导管理层调研：SiC与MCU拓展应用，产能利用率改善有望支撑毛利率
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斯达半导管理层调研：SiC与MCU拓展应用，产能利用率改善有望支撑毛利率
高盛维持斯达半导中性评级，12个月目标价Rmb121.2，认为产品升级和终端多元化有利于长期毛利率改善，但功率半导体价格压力仍限制上行空间。
- 管理层认为2025年及2026年一季度下滑主要来自中国电动车需求低于预期、研发投入增加以及由fabless转向fablite后原材料和折旧成本上升。
- 未来毛利率改善的关键驱动包括出货爬坡带来的产能利用率提升、SiC在储能和AI数据中心电源中的采用扩大，以及SiC MOSFET和硅基功率半导体的产品组合升级。
- 汽车业务仍约占公司收入50%，公司正努力从竞争激烈的汽车市场向储能、AI数据中心电源等终端应用多元化。
- 高盛维持中性评级，目标价Rmb121.2，采用31.0倍2026年预期市盈率估值。
研报解读
概览
本报告基于高盛在上海中国科技之旅期间对斯达半导管理层的调研。管理层在经历2025年和2026年一季度业绩下滑后，仍对长期毛利率改善保持正面看法，核心支撑来自出货爬坡提升产能利用率、终端市场从汽车拓展至储能和AI数据中心，以及SiC MOSFET、IGBT和硅基功率半导体等产品组合升级。
核心观点
高盛对公司产品线扩张和产品组合升级持正面态度，认为这将帮助公司捕捉更多终端市场机会，尤其是AI数据中心电源等新应用。但由于功率半导体器件仍面临整体价格压力，且估值被认为相对合理，报告维持斯达半导中性评级。
分析框架
报告主要采用管理层调研、业务驱动因素拆解和相对估值方法。经营层面关注收入结构、终端市场需求、研发投入、成本与折旧压力、产能利用率和产品升级；估值层面采用目标P/E倍数与2026年预期EPS相结合，并参考行业P/E与EPS同比增速的相关性。
方法论与常识提炼
以31.0倍目标市盈率乘以2026年预期EPS得出12个月目标价Rmb121.2。
目标P/E倍数来自行业P/E与EPS同比增速相关性的推导，用于评估斯达半导未来12个月合理价值。
高盛因子画像从增长、财务回报、估值倍数和综合维度比较股票与市场及同行。
增长基于前瞻销售、EBITDA和EPS增速；财务回报基于ROE、ROCE和CROCI；估值倍数基于P/E、P/B、EV/EBITDA等指标；综合指标综合增长、财务回报和估值分位。
高盛用1至3的并购排名评估公司成为收购目标的概率。
1代表高概率，2代表中等概率，3代表低概率；排名为1或2的公司可能在目标价中纳入并购成分。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- StarPower / 603290.SS本报告覆盖公司与投资评级标的
- 优势
- 产品组合升级、SiC MOSFET迭代、IGBT升级至Gen-8、汽车MCU投入，以及向储能和AI数据中心电源等终端拓展。
- 劣势
- 2025年和2026年一季度业绩下滑，汽车收入占比仍高，研发投入和fablite模式下原材料及折旧成本对毛利率形成压力。
- 对比
- 公司处于高盛科技覆盖宇宙中，与其他中国及亚洲科技、半导体和硬件公司相对比较；评级为相对覆盖宇宙的Neutral。
- 风险
- IGBT市场增长不及预期、新设计导入和份额提升慢于预期、新产品开发进展不及预期，以及竞争加剧。
- SiC MOSFET与硅基功率半导体产品线公司未来产品组合升级和终端多元化的重要驱动
- 优势
- 有望在储能、AI数据中心电源和汽车等应用中扩大采用，提升出货规模和产能利用率。
- 劣势
- 仍处于投入和迭代阶段，研发负担较重，功率半导体价格下行压力尚未完全消除。
- 对比
- 相较传统汽车功率半导体应用，储能和AI数据中心电源可帮助公司降低对竞争激烈汽车市场的依赖。
- 风险
- 市场采用速度、新产品开发节奏和竞争强度均可能影响盈利修复。
关键数据
- 评级Neutral高盛维持斯达半导中性评级。
- 12个月目标价Rmb121.2基于31.0倍2026E EPS目标P/E。
- 汽车收入占比约50%汽车仍约占公司总收入一半，是当前需求波动的重要来源。
- 目标P/E倍数31.0x由行业P/E与EPS同比增速相关性推导。
- 历史目标价区间Rmb88.96至Rmb343.57图表显示2023年至2026年3月31日期间多个历史目标价，表中目标价未针对公司行动调整。
- 披露价格Rmb131.75公司特定监管披露中列示StarPower价格。
影响与含义
报告暗示斯达半导短期仍受电动车需求放缓、研发负担、成本折旧和行业价格压力影响，但若SiC、MCU和硅基功率半导体升级推进顺利，并在储能及AI数据中心电源等应用中形成出货规模，产能利用率和毛利率有望逐步修复。投资含义上，基本面改善具备方向性支撑，但当前估值和行业价格环境使风险回报更偏均衡。
风险
- IGBT市场增长强于或弱于预期。
- 新设计导入和市场份额提升快于或慢于预期。
- 新产品开发进展快于或慢于预期。
- 行业竞争弱于或强于预期。
- 中国电动车市场需求低于预期，尤其是在补贴减少后。
- 原材料成本和折旧成本上升继续压制毛利率。
- 功率半导体器件价格压力持续。
后续跟踪
- 斯达半导出货爬坡速度与产能利用率改善。
- SiC在储能和AI数据中心电源中的采用进展。
- 汽车业务收入占比是否下降，以及终端应用是否真正多元化。
- IGBT升级至Gen-8、SiC MOSFET升级至Gen-3和汽车MCU研发进展。
- 功率半导体价格下行是否继续收窄。
- 毛利率是否随利用率提升和产品组合升级而恢复。