AI驱动SiC需求但贡献有限，警惕基板价格战

概览

本报告深入分析了碳化硅（SiC）行业在人工智能（AI）数据中心和电动汽车（EV）两大应用领域的最新进展。摩根大通指出，虽然AI带来的强劲情绪推高了SiC相关股票的估值，但实际贡献规模可能被市场高估。报告通过拆解数据中心电源架构升级（AC转HVDC）带来的增量空间，量化了AI对SiC总可寻址市场（TAM）的实际拉动作用。同时，报告详细追踪了SiC衬底和器件的价格走势，揭示了不同尺寸晶圆和不同应用场景下的供需失衡与价格分化现象，并对中美日主要SiC企业的经营前景进行了评估。

核心观点

AI数据中心成为SiC新增长点，但规模效应尚需时日。随着数据中心机架功率密度提升，电源架构从交流电（AC）向高压直流电（HVDC）迁移，SiC因其高效、紧凑的特性在基础设施（UPS、SST）和服务器端（PSU）得到应用。行业调研显示，AI专用SiC MOSFET交货期已延长至52周，且同规格下价格至少是汽车逆变器的两倍。然而，摩根大通测算，即使假设2028年80GW AI数据中心新增装机量中HVDC渗透率达到100%，其对SiC器件TAM的贡献也仅在4-4.8亿美元之间。考虑到AC与HVDC的混合部署，实际贡献可能更低，占比将从目前的低个位数升至中高个位数，难以达到乐观派预期的20-30%。 电动汽车仍是基本盘，中国市场竞争加剧导致价格下行。全球SiC器件TAM主要由EV驱动，预计2026年将达到40-45亿美元。在中国市场，SiC价格下降推动其渗透至15万元人民币价位的车型，2025年中国SiC EV出货量（不含特斯拉）达250万辆，2026年预计增长60%至400万辆以上，渗透率从2025年的10%-15%提升至2026年的20%左右。与此同时，汽车逆变器用SiC MOSFET价格持续快速下跌，国际IDM厂商报价预计从2024年的6.0-6.5美元降至2027年的2.5美元，中国供应商报价更低。尽管AI需求挤占产能导致汽车SiC交货期从26周延长至39-52周，谈判频率降低，但若更多中国供应商通过车规认证，2027年前价格仍将承压。 衬底价格呈现显著分化，8英寸面临持续降价压力。6英寸SiC衬底价格自2026年初以来稳定在1500元人民币左右，部分供应商因价格低于现金成本而停产，头部厂商利用率接近满载，但行业整体产能过剩阻碍了价格反弹。相比之下，8英寸SiC衬底价格持续下滑，从2025年初的7000元人民币降至2026年中期的4000元左右，预计2026年底降至3000-4000元，2027年进一步降至2500-3500元。客户希望基于晶圆面积差异，6英寸与8英寸价差控制在1.7倍以内，即便考虑生产效率提升，价差上限也不应超过2.0倍。良率提升和中国供应商的有效供给是降价的主要推手，报告认为主要供应商试图提价的计划难以实现。

分析框架

报告采用了自上而下与自下而上相结合的分析框架。首先，通过宏观视角审视AI数据中心建设趋势，利用“量价拆分”方法，结合机架功率密度、HVDC渗透率假设以及单瓦SiC价值量，估算AI对SiC TAM的具体贡献，以此校正市场过度乐观的情绪。其次，在微观层面，通过高频行业调研跟踪SiC衬底和器件的实时价格、交货期及利用率变化，区分不同尺寸（6英寸vs 8英寸）和不同应用（AI vs 汽车）的供需格局。最后，结合具体公司的产能规划、客户认证进度及财务指引，评估价格波动对企业盈利能力的实际影响，从而得出差异化的个股观点。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架量价拆分

  量价拆分

  通过将市场规模分解为“数量”（如数据中心装机GW数、EV销量）和“单价”（如每MW SiC价值量、单颗器件价格），分别预测其变化趋势，从而更精准地估算未来市场空间。在本报告中，用于量化AI数据中心对SiC TAM的实际贡献。

• 行业/产业分析框架供需框架

  供需框架

  分析特定产品（如SiC衬底、MOSFET）的供给能力（产能、良率、供应商数量）与需求强度（订单紧迫性、应用领域扩张）之间的匹配关系，以判断价格走势和行业景气度。报告借此解释了为何AI用SiC涨价而汽车用SiC降价，以及8英寸衬底面临的降价压力。

• 事件博弈与行为金融预期差/预期管理

  预期差/预期管理

  对比市场普遍预期（如AI贡献占比20-30%）与机构独立测算结果（低中高个位数），识别存在的预期偏差。报告提示投资者需 grounded expectations，避免因情绪高涨而忽视实际贡献规模的局限性。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• United Nova (天岳先进, 688469.SS)

  受益：中国领先SiC MOS供应商，直接受益于AI和汽车SiC需求增长

  优势

  具备大规模生产能力，8英寸SiC MOS正在送样国际AI服务器客户，若通过认证可缓解供应紧张

  对比

  相较于衬底厂商，器件环节受价格战影响相对较小，且UNT在车规级市场地位稳固

  风险

  若未能通过国际客户认证，或汽车行业价格竞争进一步恶化

• SICC (天科合达, 688234.SS)

  受损/谨慎：中国领先SiC衬底供应商，面临8英寸产品价格持续下跌压力

  优势

  8英寸衬底产能今年可能翻倍，长期受益于数据中心和先进封装需求

  劣势

  8英寸衬底价格预计2026-2027年持续下跌，市场对其定价前景存在错误预期

  对比

  相比UNT，SICC更直接暴露于衬底价格战风险中

  风险

  8英寸衬底价格跌幅超预期，行业产能过剩导致利润率压缩

• Rohm (罗姆, 6963.T)

  受益：全球SiC IDM龙头，AI服务器SiC MOSFET收入占比提升

  优势

  FY26 SiC器件/模块收入预计增长55%，8英寸晶圆量产启动，技术迭代提升良率

  劣势

  FY25计提减值影响，需至FY28才能恢复盈利

  对比

  相比纯衬底或器件厂商，IDM模式在供应链控制和成本优化上更具优势

  风险

  8英寸量产良率不及预期，中国区xEV销售占比下降带来的地域结构变化

关键数据

• 2028年数据中心SiC TAM贡献$400-500mn或更少占全球SiC器件TAM比例预计为中高个位数，低于市场预期的20-30%
• 2026年全球SiC器件TAM$4.0-4.5bn主要由电动汽车800V平台迁移驱动，同比增长约25%
• AI SiC MOS交货期52周因AI客户订单强劲且合格产能有限，交货期大幅延长
• 8英寸SiC衬底价格预测(2027)Rmb 2.5-3.5k持续下跌，2026年中期为~Rmb 4.0k，受良率提升和中国供应商供给增加影响
• 2026年中国SiC EV出货量>4.0mn units同比增长60%以上，渗透率提升至20%左右
• 汽车SiC MOS价格预测(2027)~$2.5国际IDM厂商报价，从2024年的$6.0-6.5持续下跌

影响与含义

对A股公司而言，天岳先进（UNT）作为中国领先的SiC MOS供应商，有望受益于强劲的需求，其2026年SiC MOS收入预计翻倍至30亿元人民币。若其8英寸SiC MOS通过国际AI服务器客户认证，将缓解供应紧张并提升产能利用率。天科合达（SICC）作为衬底龙头，虽受益于数据中心和先进封装的长期需求，且8英寸产能今年可能翻倍，但鉴于8英寸衬底价格将持续承压至2026年以后，报告对其股价持谨慎态度，认为市场对其定价前景存在误判。对罗姆（Rohm）而言，FY26营收预计增长30%，其中SiC器件/模块增长55%，AI服务器SiC MOSFET收入占比将提升至10%，公司计划通过8英寸晶圆量产和第五代MOS技术提升良率，目标在FY28恢复盈利。

风险

• AI数据中心SiC实际渗透率和贡献规模低于预期
• 8英寸SiC衬底价格下跌幅度超过预期，严重挤压供应商利润
• 中国汽车SiC MOS市场竞争加剧，导致价格战持续至2027年以后
• SiC供应商产能扩张过快，导致行业整体供过于求

后续跟踪

• 天岳先进（UNT）8英寸SiC MOS在国际AI服务器客户的认证进展
• 8英寸SiC衬底价格走势及主要供应商的定价策略执行情况
• AI数据中心HVDC电源架构的实际渗透率数据
• 中国SiC EV月度出货量及渗透率变化